标准解读

《GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭》是一项国家标准,主要针对蓝宝石单晶晶锭的生产、检测以及质量控制等方面进行了规定。该标准适用于通过各种方法生长的蓝宝石单晶体,包括但不限于泡生法(Czochralski method)、导模法(EFG, Edge-defined Film-fed Growth)等技术所制备的产品。

根据此标准,蓝宝石单晶晶锭的质量评价指标主要包括外观质量、几何尺寸偏差、位错密度等多个方面。其中,对于外观的要求非常严格,不允许存在裂纹、气泡等缺陷;几何尺寸则需符合特定范围内的公差要求;而位错密度作为衡量晶体内部结构完整性的重要参数之一,在本标准中也给出了具体的限定值。

此外,《GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭》还详细描述了相关的测试方法与条件,比如使用X射线衍射仪测定晶向偏移角,采用光学显微镜或扫描电子显微镜观察并计算位错密度等。这些规范化的测量手段有助于保证不同厂家之间数据的一致性和可比性。

最后,标准内还列出了包装、标志、运输及贮存的相关指导原则,旨在确保产品从出厂到最终用户手中的整个过程中都能保持良好状态。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替,建议下载现行标准GB/T 31092-2022
  • 2014-12-22 颁布
  • 2015-09-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS29045 H 83 . 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T310922014 蓝宝石单晶晶锭 Monocrystallinesapphireingot2014-12-22发布 2015-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 GB/T310922014 目 次 前言 范围1 1 规范性引用文件2 1 术语和定义3 1 要求4 1 检验方法5 3 检验规则6 4 标志 包装 运输 贮存和质量证明书7 、 、 、 5 订货单 或合同 内容8 ( ) 6 附录 规范性附录 总杂质含量的测定方法 A ( ) 7 附录 规范性附录 位错密度测试方法 B ( ) 9 附录 规范性附录 双晶摇摆曲线的半峰宽值的检测方法 C ( ) 12 附录 规范性附录 局部光散射体 气泡 包裹物及散射颗粒检测方法 D ( ) 、 、 15 附录 规范性附录 镶嵌 孪晶的检测方法 E ( ) 、 18 附录 规范性附录 透光率检测方法 F ( ) 20 GB/T310922014 前 言 本标准按照 给出的规则起草 GB/T1.12009 。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 。 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 和全国半导体设备和材料标准 (SAC/TC203)化技术委员会材料分会 共同提出并归口 (SAC/TC203/SC2) 。 本标准起草单位 协鑫光电科技 江苏 有限公司 中国科学院上海光学精密机械研究所 常州亿晶 : ( ) 、 、光电科技有限公司 江苏吉星新材料有限公司 新疆紫晶光电技术有限公司 、 、 。 本标准主要起草人 刘逸枫 魏明德 徐养毅 杭寅 吴剑波 蔡金荣 赵新俭 : 、 、 、 、 、 、 。 GB/T310922014 蓝宝石单晶晶锭1 范围 本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求 检验方法 检验规则及标志 包装 运输 贮存和质量证明书 、 、 、 、 、 、 订货单 或合同 内容 ( ) 。 本标准适用于蓝宝石单晶晶锭 产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材 , 料 以下简称晶锭 ( )。2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改单 适用于本文件 。 , ( ) 。 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1554 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1555 计数抽样检验程序 第 部分 按接收质量限 检索的逐批检验抽样计划 GB/T2828.1 1 : (AQL) 半导体材料术语 GB/T14264 3 术语和定义 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 GB/T14264 。31 . 蓝宝石 sapphire 可以用来外延生长的 有确定晶向的人工生长单晶氧化铝材料 , 。32 . 蓝宝石晶锭 sapphireingot 依特定轴向生长的晶体 通过机械加工后能满足切片的蓝宝石棒材 , 。33 . 总长度 totallength 晶锭测量的实际几何长度 。34 . 有效长度 effectivelength 晶锭实际长度中 去除晶锭内部缺陷后的几何长度 , 。4 要求 41 化学组成 . 晶锭为高纯的 其总杂质含量应小于 -Al2O3, 100mg/kg。42 结晶质量 . 晶锭 在 有

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