标准解读

《GB/T 34174-2017 表面化学分析 工作参考物质中离子注入产生的驻留面剂量定值的推荐程序》是一项国家标准,主要针对表面化学分析领域内,对于使用工作参考物质进行离子注入时,如何确定驻留面剂量提供了一套标准化的操作指南。该标准适用于通过离子束技术将特定元素或化合物注入到材料表面的过程,并且需要准确测定这些注入离子在材料表层中的分布情况。

根据这项标准,首先定义了“驻留面剂量”的概念,即单位面积上所接收的总离子数量。为了保证测量结果的一致性和准确性,标准详细规定了从样品准备、实验条件设置、数据采集到最终计算整个流程的具体步骤和技术要求。其中包括但不限于:

  • 样品的选择与制备方法;
  • 离子注入设备及其参数设定;
  • 测量手段(如二次离子质谱法SIMS)的应用;
  • 数据处理及不确定度评估方法等。

此外,《GB/T 34174-2017》还强调了质量控制的重要性,在执行过程中应定期校准仪器、检查实验条件是否符合规定,并通过重复性测试来验证结果的有效性。同时,它也提到了与其他国际标准和实践相比较,确保我国在此领域的技术水平能够达到甚至超越国际先进水平。

此标准为相关科研机构、生产企业以及检测实验室提供了科学依据和技术指导,有助于提高我国表面化学分析领域的整体研究水平和技术能力。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2017-09-07 颁布
  • 2018-08-01 实施
©正版授权
GB∕T 34174-2017 表面化学分析 工作参考物质中离子注入产生的驻留面剂量定值的推荐程序_第1页
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文档简介

ICS7104040 G 04 . . 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T341742017/ISO/TR162682009 : 表面化学分析 工作参考物质中离子 注入产生的驻留面剂量定值的推荐程序 SurfacechemicalanalysisProposedprocedureforcertifyingtheretained areicdoseinaworkingreferencematerialproducedbyionimplantation (ISO/TR16268:2009,IDT)2017-09-07发布 2018-08-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 GB/T341742017/ISO/TR162682009 : 目 次 前言 引言 范围1 1 规范性引用文件2 1 术语和定义3 1 符号和缩略语4 4 概念和程序5 5 要求6 7 定值7 8 附录 资料性附录 离子注入 A ( ) 10 附录 资料性附录 离子注入剂量 B ( ) 11 附录 资料性附录 射线荧光光谱术 C ( ) X 12 附录 资料性附录 非定值二级参考物质及其替代物 D ( ) 13 附录 资料性附录 面剂量测量中的不确定度 E ( ) 14 参考文献 17 GB/T341742017/ISO/TR162682009 : 前 言 本标准按照 给出的规则起草 GB/T1.12009 。 本标准使用翻译法等同采用 表面化学分析 工作参考物质中离子注入产生 ISO/TR16268:2009 的驻留面剂量定值的建议程序 。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会 提出并归口 (SAC/TC38) 。 本标准起草单位 中国科学院化学研究所 中国石化石油化工科学研究院 国家纳米科学中心 : 、 、 。 本标准主要起草人 邱丽美 刘芬 徐鹏 刁玉霞 赵志娟 章小余 : 、 、 、 、 、 。 GB/T341742017/ISO/TR162682009 : 引 言 本标准汇总经验后提供一个尚未被验证为完整程序的推荐程序 以描述获得一个定值工作参考物 , 质 时的常见问题 此 用于给定晶圆片状固体材料的表面化学定量分析 此处讨论的 (WoRM) , WoRM 。 已离子注入某种原子序数比 大的化学元素 称作分析物 的同位素 其初始晶片由分析者选 WoRM Si ( ) , 择或准备 通过推荐程序对 中驻留分析物的面剂量进行定值 。 WoRM 。 离子注入 晶片中的分析物的驻留面剂量通过与硅片上离子注入的同种分析物的驻留面剂 WoRM 量进行比较测量得到定值 并且此硅片为二级参考物质 最好已定值 比较测量分两步进行 , (SeRM)( )。 , 其中用到作为中间物质的第三种参考物质和两种测试技术 波长色散 射线荧光光谱 和离 ( X (WD/XRF) 子注入剂量术 作 为 传 递 参 考 物 质 的 中 间 参 考 物 质 同 样 是 一 片 离 子 注 入 的 硅 片 且 与 )。 (TrRM) , , 是 非等同 孪生注入的 即它与 同时生成 但基片类型和驻留面剂量与 不同 WoRM ( ) ( WoRM , WoRM )。 它的首要功能是在对 进行直接 测量中避免可能的二次激发效应 其次是在驻留面剂 WoRM WD/XRF ; 量远低于 测量范围时也允许 被定值 WD/XRF WoRM 。 的定值是参考物质表征的新概念和程序的一部分 在此概念中 和 WoRM 。 ,WoRM、TrRM SeRM 在系列参考物质及其定值中有它们各自的作用 是分析者责任范围和参考物质供应商责任范围 。SeRM 之间的传递物质 此标准假设能获得一个合适的 描述了分析者责任区的部分程序 当获得一 。 SeRM, 。 个 后 为进行驻留面剂量的比较测量 分析者需同时有合适的离子注入机和合适的波长色散 SeRM , , X 射线荧光光谱仪 。 的晶片性质特别适合半导体材料分析 但不局限于此应用 然而 在表面分析技术的选择 WoRM , 。 , 上存在限制 虽然样品和 的分析物及基片或许相同 但是分析物可能存在不同的化学态和不 。 WoRM , 同的深度分布 采用 时 所选择的表面分析技术需对分析物的化学态不敏感 且允许对不同深 。 WoRM , , 度分布进行校正 才能获得有意义的结果 此问题可在二次离子质谱分析中使用特殊参考物来解决 , 。 。 当选择合适的表面分析技术后 可用于均匀的 离子注入的 扩散的 分层的分析物的深度分布 ,WoRMs 、 、 、 测量 。 此标准主要根据参考文献1 。 GB/T341742017/ISO/TR162682009 : 表面化学分析 工作参考物质中离子 注入产生的驻留面剂量定值的推荐程序1 范围 对表面分析用的工作参考物质 中离子注入原子序数大于硅的分析物元素 本标准规定了 (WoRM) , 对其驻留面剂量进行定值的程序 为组成均匀的 标称直径不小于 的抛光 或类似磨 。WoRM 、 50 mm ( 面 基片 也称作基片 并已离子注入一种基片上不存在的某种化学元素的同位素 也称作分析物 其 ) ( ), ( ), 标称面剂量范围通常为 16 2 至 13 2 即半导体技术中最感兴趣的范围 10 atoms/cm 10 atoms/cm ( )。WoRM 晶片中离子注入分析物的面剂量 是通过与二级参考物质 硅片中注入相同分析物的驻留面剂 , (SeRM) 量比较而进行定值的 。 本标准提供了 定值的概念和程序方面的信息 同时也有对参考物质要求 比较测量和实 WoRM 。 、 际定值的描述 离子注入 离子注入剂量术 波长色散 射线荧光光谱和无法得到 时的无证替 。 、 、 X SeRM 代物的补充材料见附录 到附录 定值过程中产生的不确定度来源和数值见附录 A D。 E。2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改单 适用于本文件 。 , ( ) 。 表面化学分析 词汇 ISO18115 (SurfacechemicalanalysisVocabulary)3 术语和定义 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 ISO18115 。31 . 定值 certification 对某一参考物质 按某一程序定值 将某一属性的值溯源至可用准确单位来表达该属性值的行为 , 。 , 并赋予认定值在给定置信度下的不确定度 。 注 该术语可同时用于 确认行为 即通过一个程序来定值 和 证书发布 以表述该程序定值的内容 : “ ”( ) “ ” 。32 . 下临界能 lowercriticalenergy 一束离子束的动能 低于此动能时 垂直入射离子的背散射将超过接收 的 驻 留 面 剂 量 指 定 的 百 。 , 分比 。33 . 决定性方法 definitivemethod 参考方法建立在一个有效的 恰当描述的理论基础上 以确认得到的系统误差相对于终端用户的需 、 , 求可忽略 方法可测量某种性质 测量结果直接以基本单位形式给出 或者通过确切数学公式表达的物 。 , , 理或化学理论能以与基本单位紧

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