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08/09材料科学基础(B)参考答案暨评分标准一、填空题1 B （2分）2 弱 范德瓦耳斯键 氢键 （2分）3 一维缺陷 两 小 位错 （2分）4 面心立方 密排六方 hcp （2分）5 （2分）6 固溶体 中间相 （2分）7 连续生长 平面式 树枝 （2分）8 成分不均匀 宏观偏析 微观偏析 （2分）9 树枝晶 低 大 （2分）10 高 小 大 （2分）二、做图题1. （5分） 2. （5分）三、判定下列位错反应能否进行，并说明理由。（4分）满足（1）但是不满足（2）（2分），故不能反应。（2分）四、常温下，铁素体铁的点阵常数为0.365nm，分别求出（100）、（111）、（123）的晶面间距，并指出它们中晶面间距最大的晶面。0.365nm （2分） 0.211nm （2分）0.098nm （2分）显然，最大。 （2分）五、答: GV= HfT/ Tm（2分）r*=，（2分）G*=r*3GV+4r*2=()2（1分）代入已知数据，可得T=100，r*=0.945nm，GV=-1.97106J/m3 ，Gr*=3.4310-19J。（3分）六、解答：经推导，其溶质分布方程为：七、解答：在切应力作用下，在位错线两个端点附近，角速度增加，位错线卷曲，位错环再继续扩展时，两端点的位错线段会相遇，它们是柏氏向量相反的两个螺位错或刃位错，在相互抵消后，位错环就不受固定端点的约束自由运动了。（3分） 位错线CD在切应力作用下，可以不断重复上述过程，就可能源源不断地放出位错环这种位错线段就叫做FR源。（3分）F-R开动后并不是永远不断地放出位错，当位错遇有障碍，如晶界、L-C锁等，位错塞积后应力集中就可对位错源有一反作用力，使位错源停止动作。（2分）八、Fe-Fe3C相图进行分析1） （2分），包晶反应（1分）（2分），共晶反应（1分）（2分），共析反应（1分）(bcc)、(bcc) （3分）、(fcc)、Fe3C(复杂正交晶系) （3分）2）（6分）3）
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