模拟电子技术学习笔记

精品文档 1欢迎下载 本证半导体本证半导体 纯净晶体结构的导体 常用的有硅和锗 在外电场的作用下 自由电子定向移动形成电子电流电子电流 从而破坏晶格间原有的共价键 出 现电子的空位 称为空穴空穴 空穴也进行位置的相对移动 形成空穴电流空穴电流 N N 型半导体型半导体 在本征半导体中加入 5 价的元素 磷 锑 砷 使导体内的每一个原子周 围除形成共价键之外 有一个游离的电子 N 型半导体的多数载流子电子 少数载流子空 穴 电子受力移动 留下施主杂质带正电 不参与导电 所以 杂质半导体 多数载流子主要取决于杂质的浓度 少数载流子有共价键提供 其浓度取决于温度 整个半导体内先电中性 P 型半导体 本征半导体 微量正 3 价元素 晶格内形成共价键时 少电子而 多空穴 即为多数载流子 电子则为少数载流子 杂质元素称为受主杂质 在外界能量的作用下形成空穴的移动 留下带负电的杂质离子 主要靠空穴导电 PN 结 P 型与 N 型的交界处形成 PN 结 交界两侧电子与空穴浓度差悬殊 产生扩散运动 电子由 N 向 P 移 动 形成 P 向 N 的电子电流 交界 P N 分别留下 漂移 了不能移 动且显负 正的杂质离子 从而形成 N 向 P 的自建电场 阻碍了扩 散运动 中将达到二者平衡 当达到平衡时 扩散运动与漂移运动的作用相等 通过界面的总载 流子数为零 PN 结的电流为 0 PN 结交界区形成一个高阻区 称 为耗尽层 精品文档 2欢迎下载 PN 结的导电性 正向电压 P 接电源高电压 N 接电源低电压 外加电场与自建场方向相反 阻挡 层变窄 促进多子扩散 PN 结导 通 反向电压 N 接电源高电压 P 接电源低电压 反向电压超过 0 几 V 时少子基本在 电场作用下 形成漂移电流 少子 不因为电压变大而增多 反向电流 基本不变 即饱和电流 外加电场与自建场方向相同 阻挡 层变宽 促进少子漂移 PN 结截 止 电流方向与正向偏置时相反 称为反向电流 少子成小电流 反 向电流很小 击穿特性 雪奔击穿 碰撞击穿 少子能量 过大 与原子碰撞 从而形成电 子 空穴对 如此连锁反应 反向电流快速增加 电压超 过门限 值 PN 结 击穿 击穿 不一定 PN 结 的损坏 齐纳击穿 电场击穿 原子间的 价电子直接拉出 形成电子 空穴对 反向电流急剧增加 势垒电容 工作在击穿条件下 反向电流变化大 电压却变化很小 即具有稳压性 稳 压 二 极 管 二极管的应用 限幅电路 门电路 扩散电容 精品文档 3欢迎下载 三极管的结构及类型 无论是 PNP 还是 NPN 型的三极管 都包含三个区 发射区 c 基区 b 和集电极区 e 集电结 发射结 正向反向 正向饱和状态放大状态 反向反向放大截止状态 三极管的接法 b e c IB IEIC a 共基极 b e IB IE IC b 共发射极 b e IB IE IC c 共集电极 c c Ie Ic Ib 共基极电流放大系数 共发射极电流放大系数 1 发射结 c 重掺杂 2 基区 e 很薄 3 集电极面积大 三极管的放大作 用 精品文档 4欢迎下载 1 当 Uce 不变时 输入回路中的电流 Ib 与电压 Ube 之间的关 系曲线称为输入特性 三极管的特性曲线 2 当 Ib 不变时 输出回路中的电流 Ic 与电压 Uce 之间的关系 曲线称为输出特性 直流分析 即静态分析 基极电流 Ib 集电极电流 Ic Ib Uce 电容 开路 先画出直流通路 电感 短路 信号源 短路 共设极的电路 1 输入电压与输出电压反相 2 顶部失真 输入回路就出现开始失真 饱和 Uce 减小到极限 3 底部失真 输入端 Ib 没失真 在输出出现失真 截止 Uce 增 静态工作点不合适 大到极限近似等于 Vcc 不失真 不失真 整个周期 三极管处在放大区 整个周期 三极管