TFTLCDARRAY-CELL-MODULE工艺技术介绍ppt课件.ppt

1 TFT LCD工艺技术概要 SVA NEC 2 主要内容 一 TFT的基本构造二 4Mask与5Mask工艺对比三 ARRAY基板的工艺流程四 TN与SFT工艺对比五 其他 3 一 TFT的基本构造 4 一 TFT的基本构造 GATE G SiNx a Si n a Si DRAIN SOURCE P SiNx ITO像素电极 GLASS 接触孔 G工程 I工程 D工程 C工程 PI工程 5 二 4Mask与5Mask工艺对比 6 二 4Mask与5Mask工艺对比 1 节省时间 1462 1398 64min2 节省设备 1套InlinePR 曝光机 7 二 4Mask与5Mask工艺对比 4Mask D I工程 8 三 ARRAY基板的工艺流程 9 洗净 10 药液 刷子 高圧 排水 排水 纯水 洗净功能 洗净对象 作用 药液 刷洗 高压喷射 氧化分解 溶解 机械剥离 机械剥离 机械剥离 有机物 浸润性改善 有机物 微粒子 大径 微粒子 中径 微粒子 小径 溶解 接触压 水压 加速度cavitation 洗净 11 Sputter TFT中Sputter薄膜的种类和作用 12 Sputter设备 整体图 SMD 1200 基板搬入 加热 搬出 冷却 室 L1 L2 搬送室 Tr 成膜室 X1 X3 13 PECVD 注 S1所用设备加热装置放在工艺室中 且只有两个工艺室 14 PECVD 15 InlinePR 16 InlinePR 涂布前洗净 HMDS处理 涂布 EBR处理 预烘 光刻胶和基板的密着性改善 腔体 加热盘 OH H2O CH3 3Si N Si CH3 2IH O Si CH4 3 NH3 基板端面的光刻胶除去 减少垃圾 N 洗浄液 排气 光刻胶中的溶剂除去 烧成 改善膜厚均一性和密着性 加热盘 非接触方式 改善静电 背面污染 热应力等方面 非接触式栓 气泡发生罐 刷子 超声波喷头 背面 正面 疏水化 旋转cup方式 气流控制 膜厚改善 17 曝光 基板 弓 補正 18 显影 显影液回收 清洗槽 风刀干燥 显影槽 基板倾斜 显像液流下 基板全面喷纯水 回收显影液 19 湿刻 20 干刻 机械手 工艺腔 工艺腔 转移腔 工艺腔 装料腔 21 干刻 压力控制 气体供给 控制台 除害装置 scrubber 汽缸cabinet Gasbox 上部电极气体吹出 电源 场合 下部电极 APC阀 泵 流量控制 RFpower 压力检出 真空排气 特气对应 APC控制 C M控制 C M 等离子体 工艺腔体 M Box 22 剥离 次剥离 次剥离 次rinse 次rinse 干燥 冲淋 循环冲淋 纯水冲淋 剥离液 剥离液 Cascade 循环水 纯水 23 四 TN与SFT工艺对比 MaskProcess MaskProcess 工程 Gate 工程 Island 工程 Drain 工程 Contact 工程 Pixel Pattern在周边部位 Pattern在周边部 I工程和D工程一起进行 24 四 TN与SFT工艺对比 TN 构造简单PR数少 成本低 LT短开口率大开态时液晶分子不能完全直立 视角较小常白模式 不良点多为明点 易成为点缺陷 SFT 液晶分子水平排列 视角大常黑模式 不良点为暗点 不易发现电极面积大导致开口率小Pattern密度高 易受异物影响为了增加亮度必须增大背光源辉度 功耗较大 25 五 其他 玻璃尺寸比较 26 NEG出展的8代玻璃 五 其他 玻璃尺寸比较 27 五 其他 TFT LCD产业特性与半导体的异同 TFT LCD产业与半导体产业最相似之处 在于前段阵列制程 都是设备投资金额昂贵以及进行一连串高精细度的半导体制程 不同的是 1 TFT是在玻璃上加工 半导体则是在硅晶圆上加工 2 半导体产业的材料成本比例大约仅在8到10 左右 但是TFT的材料成本高达五至六成 所以 DRAM价格可能下杀到原来的一成以下 但TFT面板的价格走势相对较为平稳 3 半导体产品 如 DRAM 属标准产品 相容性相当高 但是TFT面板不同客户要求的产品亮度 电路接点等几乎都不尽相同 4 半导体产品的上游材料产业供应链相对地短 但是TFT的上下游产业供应链相当长 5 半导体产业的发展历程较长 欧美日韩台 都具生产半导