美国旭明芯片中文简介

各位 您好 随着 led 光效的提升 led 离照明越来越近 潜在的无穷大的市场 再加 上国家政策上的鼓励和护持 各行各业的资金纷纷涌入 led 行业 各大应用厂 商为了确保在行业内的竞争优势 纷纷和上游芯片厂家联姻 形成战略联盟 以求在行业内能够共同持续发展 阳光照明目前已经和晶电达成战略合作协议 普瑞和佛山照明达成战略协议 cree 则和雷士 宁波燎原以及上海亚明等达成战略联盟 另外有些企业如德豪 润达 国星光电以及创维和康佳 比亚迪 上海绿地集团 中信等企业则投资 涉足于上游芯片制作 总之在未来竞争日益白日化的情况下 强强连手的局势 会越来越常见 美国上市公司 semileds 旭明光电股份有限公司 为国际上专业从事大功率芯 片的制造厂商 其垂直型金属铜衬底结构 led 技术可媲美甚至淩駕於世界 LED 製造大廠 和其他芯片相比较垂直型金属铜衬底结构 led 技术有以下几大优点 1 采用金属铜作为衬底 导热快 散热好 2 电流垂直流通 电流密度小 led 芯片可以承受更大的电流 3 semileds 芯片电压为全球最低 光效高 更节能 4 semileds 芯片 99 正面出光 和其他晶片相比较 在光通量相同的情况下 照度更高 semileds 芯片更适合做射灯以及路灯等户内外灯具 今年一季度 semileds 对外公布消息 其第三代产品 I DO 系列已经开始批量供 应市场 在电流 350ma 下 光通量可以达到 135lm 借助于 semileds 垂直型结 构 相信未来 semiled 较其他 led 有更多的方法提升亮度 贵司作为国内知名的 led 企业 在此 我们希望能够和贵司形成战略合作关系 优势互补 共同在 led 行业中携手共进 共创辉煌 一 美国旭明光電垂直型金屬基層一 美国旭明光電垂直型金屬基層 MvpLED 技術優點技術優點 旭明以特有專利申請中的磊晶沉漬技術 此技術是 LED 在藍寶石基材上成長額 外的結構 此結構使得藍寶石基材可以移除 LED 在金屬基層上形成之後 我 們也在 n GaN 表面上製作圖案來克服氮化鎵材料內部的光全反射損失 增加取 光效率 旭明光電的垂直型金屬基層 MvpLED 技術克服了傳統型與覆晶封裝型的 效率不佳的問題 舉例而言 第一點 此技術並不需移除 n 型電極接腳上的任 何東西 同尺寸晶粒下 傳統型藍寶石基板之氮化鎵 LED 相比較而言 其發光 的面積較大 第二點 因為電源以垂直方向流經元件而大幅降低動態電阻 而 電流聚集也被可避免 再者 由於 n 型氮化鎵本身具有較好的電傳導率 在無 須製作透明電極層的情況下 依然具有很好的電流散佈 因此沒有透明電極吸 光而降低亮度的困擾 可具有較高亮度的光輸出 第三點 由於垂直型金屬基 層 MvpLED 之金屬基層具有很高的熱傳導率 所以垂直型金屬基層 MvpLED 的導 熱效率很好 第四點 垂直型金屬基層 MvpLED 的出光方向為單一方向 向上射 出 而傳統型藍寶石基板之氮化鎵 LED 的出光方向確有六個面向來射出 因此 不論在克服全反射效應的出光或於封裝晶粒時將光收集的效應來看 垂直型金 屬基層 MvpLED 具有最好的光取出與光收集 達成最佳發光的效率 綜合以上所 言 垂直型金屬基層 MvpLED 可以實現固態照明應用上時之高工作電流與高功率 操作之要求 二 美国旭明光電垂直型金屬基層二 美国旭明光電垂直型金屬基層 MvpLED LED 芯片结构芯片结构 图图 三 与传统蓝宝石芯片比较 三 与传统蓝宝石芯片比较 传统蓝宝石芯片传统蓝宝石芯片semiles 垂直型金屬基層芯片 一蓝宝石衬底一蓝宝石衬底 1 绝缘 绝缘 2 较低的热传导系数 较低的热传导系数 37w m k 3 低反射率 低反射率 一 金属衬底一 金属衬底 1 导电 导电 2 很高的热传导系数 很高的热传导系数 400w m k 3 高反射率 镜面反射 高反射率 镜面反射 二 二 P 正 极在上面的结构 正 极在上面的结构 1 需要 需要 TCL 电流扩散层 电流扩散层 使电流扩散至整使电流扩散至整 个个 P 电极表面 电极表面 2 部分光被 部分光被 TCL 层吸收层吸收 3 部分光被 部分光被 P 电极遮盖吸收 电极遮盖吸收 二 二 P 正 极在下面的结构 正 极在下面的结构 1 不需要 不需要 TCL 层 电流从上到下 层 电流从上到下 2 没有光被 没有光被 TCL 层吸收层吸收 3 P 电极在下面 不会遮住光 电极在下面 不会遮住光 三 电流横向流通三 电流横向流通 1 电流相当拥挤 电流相当拥挤 2 芯片缩放能力有限 由于芯片四面出光 芯片缩放能力有限 由于芯片四面出光 芯片的发光效率会随着面积的增加而降低 所芯片的发光效率会随着面积的增加而降低 所 以单纯靠增加芯片尺寸面积来提高光通量的方以单纯靠增加芯片尺寸面积来提高光通量的方 法不可取 法不可取 三 电流垂直流通三 电流垂直流通 1 没有电流拥挤现象 没有电流拥挤现象 2 芯片扩展不受尺寸的影响 芯片为正面出 芯片扩展不受尺寸的影响 芯片为正面出 光 发光效率在