教学大纲-中英文

固体电子器件原理 教学大纲教学大纲 傅兴华傅兴华 编写编写 贵州大学电子科学系贵州大学电子科学系 2008 年 5 月修订 第一版 2001 年 4 月 1 固体电子器件原理固体电子器件原理 教学大纲教学大纲 一 教学对象一 教学对象 固体电子器件原理 是微电子技术本科专业的专业课 学习本课程之前 要求学生已 经具有量子力学 热力学与统计物理 固体物理和半导体物理方面的知识 本课程也可以作 为计算机科学与技术 电子信息类和电气信息类本科专业的选修课 二 教学目的二 教学目的 本课程论述基于电子的微观运动规律为基础的各种电子器件的工作原理 其核心内容是 硅微电子器件的工作原理和设计方法 本课程的目的是让学生了解和掌握微电子器件相关的 物理知识 熟练掌握各种常见微电子器件参数与器件的结构参数和材料参数之间的关系 能 够进行典型的微电子器件设计 初步具备新型器件的跟踪研究能力和自主开发能力 为后续 课程 微电子系统设计 打下一定的基础 三 教学要求三 教学要求 教学内容贯彻少而精的原则 突出重点 突出基础训练 因本学科属于快速发展的工程技 术学科 在教学中还应突出学科的前沿性 本课程的总要求是 学生学完本课程后 能够比较自 觉地应用固体与半导体物理的知识 分析电子器件的参数与微电子器件的结构参数和工艺参 数之间的关系 具有一定的电子器件的研究开发能力 四 教学内容与安排四 教学内容与安排 本课程的主要内容可分为 6 章 下面分别叙述其主要内容和教学要求 第一章 微电子器件物理基础 已经单独开设半导体物理课程的微电子技术专业可跳过这一章 非器件专业的学生则必 须讲授这一章 主要内容是固体材料的晶体结构和能带结构 固体和半导体中载流子的统计 分布 载流子的输运过程 低维输运 固体和半导体的热 光 电行为 要求器件专业的学生从定性和定量两方面掌握和应用本章的知识 而对非器件专业的学 生 则要求定性理解本章的内容 并熟悉简单的定量关系 第二章 pn 结 本章是器件原理中十分重要的一章 务必要求学生熟练掌握和应用本章的知识 主要内 容包括 pn 结特性的定性描述和定量描述 pn 结的直流特性 pn 结的寄生效应 pn 结的交 2 流小信号特性及其等效电路 pn 结的开关过程及其物理实质 pn 结的击穿模型及其定量描 述 金属 半导体接触放在本章介绍 各种结构的能带图 用泊松方程求解 pn 结问题和载流 子在 pn 结内的输运原理是本章的两个重点 具体要求是 深刻理解和画出各种偏置条件下 pn 结 金属 半导体接触的能带图 理解和掌握准费米能级的概念和应用 熟练计算 pn 结的接触电势差 深刻理解和掌握 pn 结直流特性的有关概念和计算问题 熟练计算 pn 结的空间电荷区宽度和势垒电容 熟练计算 pn 结的开关过程参数 掌握和计算 pn 结击穿的有关理论和计算问题 要求学生课外完成 30 道左右有一定难度的习题 第三章 双极型晶体管 本章包括了传统晶体管原理的主要内容 是学生必须熟练掌握的内容 通过本章的学习 学生对于微电子器件原理的分析和应用能力将得到进一步的提高 本章内容主要包括双极型 晶体管内载流子的输运过程 双极型晶体管的直流特性 频率特性 功率特性和开关特性 要求重点掌握和理解双极型晶体管的能带图 载流子的输运过程 直流特性和频率特性几方 面的内容 具体要求是 根据给定结构参数和材料参数 计算双极型晶体管的发射结注入效率 基区输运系数 基极电阻等直流参数 渡越时间 截止频率等交流参数 解释和计算发射极电流集 边效应和基区宽度扩展效应等功率晶体管的有关问题 解释和计算晶体管的极限参数如击穿 电压 最大耗散功率等 计算晶体管的开关参数 要求学生课外完成 30 道左右有一定难度的习题 了解双极型晶体管技术和工艺的新进 展 第四章 场效应晶体管 由于现代集成电路中的器件绝大多数都是场效应晶体管 因此本章的学习显得尤为重要 本章分为结型场效应晶体管 JFET 和绝缘栅场效应晶体管 IGFET 或 MOSFET 两部分 结 型场效应晶体管部分可以略讲 重点放在绝缘栅场效应晶体管部分 具体要求是 掌握涉及 JFET 的电流电压方程的有关问题 掌握 JFET 的短沟道效应的有关概念和物理 模型 了解 JFET 交流特性和参数 掌握 MOS 二极管的实验原理和方法 MOS 二极管 C V 特性的重要意义和应用范围 深刻 理解阈电压各项的物理意义 熟练掌握 MOSFET 阈电压的计算 掌握 MOSFET 电流电压方程 直流参数和交流参数的有关计算问题 理解亚阈区导电原理 物理模型和计算方法 深刻理 解和掌握各种短沟道效应的物理模型 分析方法 了解 MOSFET 的按比例缩小理论和重要意 义 了结亚微米 深亚微米 MOSFET 发展的最新动向 要求学生课外完成 30 道左右有一定难度的习题 阅读有关 MOSFET 最新进展的文献 5 万 3 字以上 了解 MOSFET 晶体管技术和工艺的新进展 第五章 光电子器件 半导体激光器件与发光器件在现代信息社会中扮演着十分重要的角色 是微电子技术和 光电子技术的桥梁和纽带 是最为活跃的研究领域之一 本章要求学生掌握常用半导体激光 和发光器件的制造工艺 工作原理和主要参数 并了解这些器件的应用领域 本章的教学方式为讲座式和讨论式 课外作业为阅读有关最新进展的论文和论文综述 第六章 功率器件 本章主要学习双极型功率器件 MOSFET 功率器件和可控硅三方面的内容 鉴于学生通 过前述章节的学习 已经掌握了固体器件原理的基本方法 本章有学生讲授 课堂讨论的形 式完成 学时安排 总学时数为 80 学时 其中课堂教学 72 学时 第一章 微电子器件物理基础 8 学时 第二章 pn 结 金属半导体接触 16 学时 第三章 双极型晶体管 12 学时 专业文献阅读和讨论 2 学时 第四章 场效应晶体管 20 学时 专业文献阅读和讨论 4 学时 第五章 光电子器件 4 学时 专业文献阅读和讨论 2 学时 第六章 功率器件 文献阅读和讨论 4 学时 专业文献阅读和讨论学时数也可集中使用 五 测试五 测试 测试内容分为概念 计算和开放式论述 以及课程设计三个方面 概念题和计算题主要 检查学生掌握所学知识的面 牢固程度和综合应用所学知识解决一般问题的能力 以闭卷考 试的形式进行 概念题占 40 计算题占 60 考题在题库中抽取 题库大小为不低于 250 道题 其中概念题不低于 100 道 开放式论述题考查学生对已学知识的综合应用能力和应用 已有知识去获取新知识的能力 以开卷考试论文式考题的形式进行 课程设计结合集成电路 设计和微电子工艺实验进行 六 参考书目六 参考书目 1 半导体物理学 刘恩科等待 国防工业出版社 94 年版 2 C Kittel Introduction to solid state physics 4 3 Donald A Neamen Semiconductor Physics and Devices Basic Principle Third Edition 清 华大学出版社 2003 年影印版 4 S M Sze Physics of Semiconductor Devices Second edition 6 半导体器件学术论文选读 7 傅兴华等编 半导体器件原理 讲义 1994 年本 8 浙江大学半导体教研室编 晶体管原理 国防工业出版社 1980 年 6 月第一版 七 教学中应注意的问题七 教学中应注意的问题 教学中正确处理基础知识教学与文献阅读之间的关系 专业文献阅读必须在学生已经较 为牢固地掌握基础知识的前提下进行 各章的教学重点一定要与固体与半导体物理的知识结 合起来 讲深讲透 专业文献的阅读除了让学生了解本学科的前沿之外 还应对学生基础知 识的学习起巩固作用和引导作用 文献的选择除了要确实能反映学科前沿外 还应注意难易 适当 阅读量适中 保证学生能在教师的辅导下真正读懂原文 5 Course Programme for Solid State Electronic Devices 1 The Object of the Course Principle of Micro electronics Device is the course designed for the undergraduate students of micro electronics technology specialty Before taking this class the students are required to have the knowledge of quantum mechanics thermodynamics and statistical physics solid state physics and semiconductor physics This course can also be taken by the students of computer science and technology electronic information and electric information 2 The Purpose the Course The class will discuss the principles of working of all kinds of electronic devices based on the microscopic movement of electron The main content will be the principle of working and the method of design of silicon based devices The purpose is to let the students understand and master physical knowledge related to the microelectronic devices skillfully master all kinds of relations of devices parameters with structural parameter and material parameter The students are requires to be able to design some typical devices also they will be able to have the basic ability to follow and develop new devices This course will also make the students ready for the following course of the design microelectronic system 3 The Requirement of the Teaching The main content of teaching should emphasize the main points basic training Because this major is in the field of engineering and technology which is still developing fast therefore the cutting edge of this area should be emphasized in the teaching The general requirement of this course is the following After taking this course the students will be able to use the knowledge of solid state physics and semiconductor physics to be able to analyze the relation between electronic devices parameters microelectronic device structural parameter and material parameter to be able to do research and develop of electronic devices 4 The Content and Arrangement of the Teaching The content of this course will be taught in six chapters the following will be the detail 6 Chapter 1 The Basic Physics of Microelectronic Devices Those in the major of microelectronic technology who have taken the course of semiconductor physics can discard this chapter For those who are not in microelectronic device major they must take this chapter The main content is crystal structure of solid material and energy band structure the statistical distribution of charge carrier in solid and semiconductor the transport of carriers low dimensional transport the thermo electric and optical behavior of solid and semiconductor The students in the major of micro devices are required to master the knowledge of this chapter qualitatively and quantitatively For those students not in the major of micro device they are required to mater the knowledge qualitatively and to be familiar with some simple quantitative relations Chapter 2 pn Junction This chapter is a very important chapter in the course of the principle of devices The students are mandated to skillfully master and apply the knowledge in this chapter The main knowledge in this chapter is the following the qualitative and quantitative description of pn junction the DC characteristic of pn junction the induced effects in pn junction the AC small signal characteristic and its equivalent circuit the switch process and physical basis of pn junction the breakdown model of pn junction and its quantitative description The metal semiconductor contact will be introduced in this chapter The energy band diagram of various device structure to use the Poission equation to solve the problem of pn junction and the transport of carrier in pn junction are the two important parts in this chapter The requirement is 1 Deeply understand the energy band diagram of pn junction and metal semiconductor contact under various bias conditions Draw the diagrams skillfully 2 Understand the concept of Fermi level and master the application of it 3 Calculate the contact potential of pn junction skillfully 4 Deeply understand the concepts of DC characteristic of pn junction and master the related calculation 5 Skillfully calculate the width of space charge region and the capacity of potential barrier 6 Skillfully calculate the parameters of switch process of pn junction 7 Understand the theoryt of breakdown of pn junction and master the related calculation The students are required to finish about 30 problem with appropriate difficulty Chapter 3 The Bipolar Junction Transistors The chapter covers the main contents of the traditionally treated aspects of the bipolar transistors They include The carrier transportation in the BJT The current gain factors of the BJT The frequency response of the BJT Some topic related to the power application of the device 7 The switching characteristics of the device After complete this chapter the students should consolidate their ability to analyze the physics nature of carriers in devices and most importantly understand how to find the device parameters such as current gain breakdown voltage cut off frequency from the material and geometric parameters such as mobility doping concentration junction depth and width of a device Chapter 4 The Field Effect Transistors The chapter covers MOS capacitor MOSFET the JFET and MESFET is also discussed in brief The main content to be grasped is as follows MOS capacitor and its characterization C V curve and its applications The operation of the MOSFET The threshold voltage and its calculation Modification of the threshold by short channel and narrow channel effects Adjustment of the threshold by ion implantation Other electrical effects resulted from the shrink size of the MOSFET The scaling theory The students are required very familiar with the above mentioned aspects and then to read the related materials in the international technology roadmap for semiconductors Chapter 5 Optical Devices This chapter deals with the mechanisms of the emission and absorption of photon in semiconductors Devices which converted optical energy into electrical energy such as solar cell photo detector are covered The representative devices which converted electrical energy into optical energy is light emitting diodes LED and lasers The energy band structure of the solid plays an important role in operations and fabrications of these devices Chapter 6 Semiconductor Power Devices This chapter covers bipolar junction power transistors power VMOS and DMOS transistors and the thyristors Heat sinking and junction temperature are also discussed in brief This chapter is studied by students themselves and complete the course by discussions in class Course Schedule The total lecture hours of the course are 72 The fundamental physics of the solid and semiconductors 8 hours The pn junction and diode 16 hours The bipolar junction transistors 12 hours reading and discussions