【毕业学位论文】（Word原稿）雪崩光电探测器温控偏压补偿电路设计-电气工程及其自动化

毕业设计 （论文） 题目： 雪崩光电探测器温控偏压补偿电路设计 学生姓名 学号 专业 电气工程及其自动化 班级 指导教师 评阅教师 完成日期 2012 年 5 月 15 日 1 学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取 得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。 作者签名： 2012 年 5 月 15 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保障、使用学位论文的规定，同意学校保留并向有关学位论文管理部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权省级优秀学士学位论文评选机构将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可 以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 本学位论文属于 1、保密 ，在 _年解密后适用本授权书。 2、不保密 。 （请在以上相应方框内打“”） 作者签名： 2012年 5 月 15 日 导师签名： 2012 年 5 月 15 日 2 目录 摘 要 1 前言 3 1 崩特性分析 4 4 倍增机理及噪声分析 5 佳增益条件分析 7 压选择 8 2 温控偏压补偿电路设计 9 度传感电路设计 9 号放大电路设计 11 压电路设计 13 控偏压补偿电路 20 控偏压补偿电路参数计算 22 3 控偏压补偿电路仿真运行及结果分析 24 介 24 控偏压补偿电路 仿真图 的建立 26 真运行结果分析 29 4 总结与展望 32 要研究成果总结 32 崩光电探测器及其温控偏压补偿电路的前景展望 33 致谢 35 参考文献 36 附录 37 3 雪崩光电探测器温控偏压补偿电路设计 指导老师： （三峡大学电气与新能源学院） 摘要： 雪崩光电探测器在光纤通信，空间光通信等方面都有着举足轻重的作用，随着光电技术的发展对雪崩光电探测器的精度要求越来越高，反应速度要求越来越快，应用领域要求越来越广。基于这样一种实际需要设计精度更高，跟踪速度更快，工作环境温度更广的雪崩光电探测器的温控偏压补偿电路是十分必要的。雪崩光电探测器的主要元件为雪崩光电二极管（ 本文从 雪崩机理出发，分析了温度对 雪崩增 益的影响，给出了 压温度特性曲线并在此基础上给出了 最佳雪崩增益的条件及控制原理。 基于 偏压 温度特性设计了温控 偏压补偿电路，该电路主要分为三部分：温度传感电路、信号放大电路 和升压电路。温度传感电路采用集成温度传感元件 元件精度高、外围电路简单、反映速度快，实现了温度的快速精确的跟踪。信号放大电路采用信号加一级参考电压再进行放大的方式，该设计既能够起到放大信号的作用，又能够起到基础电压补偿的作用，能够适应几乎所有的升压电路。该电路的运放采用 运放性能稳定 ,能够 得到稳定的放大后的电信号。升压电路采用了高效充电元件 元件原应用于相机闪光灯的电容充电器，它充电速度快，升压比例调节方便，可以迅速给出 300V 甚至更高的电压。升压电路是基于 升压原理同时结合线性稳压的基本方法而设计的一种快速充电、升压较高的低波纹升压电路。 本设计过程中采用了 件仿真，通过仿真实验验证该电路能够满足 路能够在 度范围内稳定工作，电压精度较高，经过仿真实验和数据分析 输出电压在 100，波纹小于 10足精确的 温度补偿要求。 本设计过程当中运用了信号放大与加参考电压双因素 调节 的放大方式，使得该信号放大电路适应多种升压电路的要求，保证了补偿电压曲线能够与 压曲线的严格契合。升压电路采用了快速充电元件 升压电路的设计克服了传统的“逆变 升压 整流”的升压模式的波纹大，控制复杂等缺点，成功的实现了集成元件的高精度升压的设计。 本文给出了各部分的具体的电路图，阐述了各部分的工作原理，对其优缺点进行了比较。对本设计中使用的相关元器件做了基础性介绍，给出相关原理图、 4 工作方式和主要引脚功 能。对电路的仿真过程给予了详细介绍，并且给出了仿真实验图，及相关数据表格。 关键字： 倍增增益 偏压补偿 he of is an in of we of is of is of an is of is an on PD of on PD PD of PD on on PD is a it of of of is to a is to a in of t to of t he is a a in of to it 00V or a WB 5 PD at C 0 C, 00is 0to of of to to of a of to of PD a of of of of of In a of It is in of a a to of 言 随着光纤 通信，激光测距等技术 的发展， 光电探测器作为接受光信号并将其转换成电信号的接收端元件受到了人们的广泛关注。 由于光能的传播按照指数规律衰减，因此 能够精确的探测到 远距离的 光信号已 经成为光通信技术中极其重要的研究方面，近些年 人们在这一方面进行了许多探索 。为了寻找灵敏度更高的光电探测器 人们进行了大量的研究，经过反复试验，比较，雪崩光电探测器因其对光信号特有的敏感性得到了国内外的研究人员的广泛关注。 雪崩光电探测器由于具有内增益，可显著提高探测系统的信噪比，大大降低对前置放大器的要求，因而在光纤通信、激光测距、以及光纤传感等技术中得到广泛应用。 雪崩 光电探测器 是基于雪崩光电二极管（ 雪崩特性而生成的光电探测器。 在半导体光电探测器中，入射光子激发出的光生载流子在外加偏压下进入外电路后 ，形成可测量的光电流。 电二极管即使在最大的响应度下 ,一个光子最多也只能产生一对电子 是一种无内部增益的器件。为了获得更大的响应度 ,则选择了 雪崩光电二极管。 光电流的放大作用基于电离碰撞效应 ,在一定的条件下 ,被加速的电子和空穴获得足够的能量 ,能够与晶格碰撞产生一对新的 6 电子 这种过程是一种连锁反应 ,从而由光吸收产生的一对电子 空穴对而形成较大的二次光电流。因此 有较高的响应度和内部增益，这种内部增益提高了器件的信噪比。 主要应用于长距离或接收光 功率受到其它限制而较小的光纤通信系统。目前很多光器件专家对 前景十分看好，认为 研究对于增强相关领域的国际竞争力，是十分必要的。 目前国内外对雪崩光电探测器的研究主要集中在两个方面：一是， 材料 及芯片结构 方面。二是， 佳雪崩增益的工作条件。 近些年在 材料方面的研究取得了长足的发展，除了传统的 外近些年又研发出许多吸收系数更高，功耗更小，噪声更低，适应波长范围更广的 如：， ， ， P）/和 n（ 等。这些 性能越来越高，但是对工作条件的要求越来越 苛刻，且不同类型的 工作偏压不同，温控特性各异，这就要求我们去研究更加精确的偏压补偿装置来满足这些 这些不同类型 能够发挥其良好的性能。 这正是国内外对 究的另一个重要方面即最佳雪崩增益的工作条件。 想获得最佳的雪崩增益就必须通过外加偏压使得处于临近雪崩击穿且没有击穿的状态。理论上外加偏压越接近于 雪崩击穿电压， 灵敏度越高，但是由于受外界因素的影响外加偏压不可能无限的接近雪崩击穿电压，目前广泛采用的偏压为雪崩击穿电压的90%97%，具体情况 根据 所采用的 本增增益（ M） 的大小及工作条件的复杂程度做 出合理化 选择 。 由于 内增益与其偏压存在密切关系，只有当偏压接近雪崩击穿电压且略低于雪崩击穿电压时系统才能获得最佳倍增因子和最大信噪比，一旦偏压高于雪崩击穿电压，倍增过程所产生的附加噪声将导致信噪比快速下跌。因此，控制偏压精确跟踪击穿电压是获得最佳倍增因子的关键。 由于 度十分敏感，而 应用范围甚广，工作环境千变万化，因此要想 计出能够跟踪工作条件的偏压补偿设备。 由于雪崩击穿电压是背景噪声和环境温度的函数，为了保证雪崩光电探测器在不同温度和背景辐射的情况下均处于最佳工作状态， 必须从 倍增机理出发，分析 噪声特性， 探究雪崩击穿电压与环境温度的变化关系，进一步研究 偏压与倍增因子的关系，探讨 雪崩光电探测的最佳偏压温度补偿方法 。 雪崩光电探测器温控偏压补偿电路的设计是雪崩光电探测器的高灵敏度性能实现的重要保证，是 雪崩光电探测的一个重要的研究方面，对雪崩光电探测器的应用有着重要作用。对提高光纤通信，激光测距等领域相关技术的提高有着重要意义。 7 1， 雪崩特性分析 雪崩光电探测能够广泛的应用于多种精密光电探测领域，其重要 原因在于其高灵敏度，对于很微弱的光信号也能够检测到，现在已经实现了单光子探测，这是很多其他的光电探测器所不能比拟的。这样高的灵敏度主要归功于它的雪崩击穿特性。 雪崩击穿特性 概述 在雪崩光电二极管的 上施加一个非常高的反向偏压 , 使结区产生很强的电场 , 当光照射 时所激发的光 生载流子进入结区后 ， 在强电场中会受到加速而获得足够的动能 ， 在高速运动中与晶格发生碰撞 ， 使晶格中的原子发生电离 , 产生新的电子空穴对 ， 这个过程称为碰撞电离。 新产生的电子空穴对在强电场下又被加速 ， 获得足够能量 ， 再次与晶格碰撞 ， 产生出新的电子空穴对 ， 这个过程不断往复 ， 使 内载流子迅速增加 ，电流也随之急剧增多 ， 这种现象称为雪崩效应 。 了解了以上概念，让我们看一下雪崩光电二极管的 雪崩击穿特性。为了使生雪崩效应，就必须在 产生碰撞电离，从而实现电子空穴对的倍增。当探测器探测到光子时 ，为实现光生载流子的培增，光生载流子必须穿过一个高电场区。在这个高场区光生电子或空穴可获得足够大的动能，当它们与中性原子碰撞时可以把中性原子的价电子碰撞出来，使之产生电离，从而激发出新的电子空穴对，新产生的自由电子和空穴又在强电场作用下加速飘移去撞击其它的中性原子，结果又产生新的自由电子和空穴，如此连锁反应像雪崩一样迅速碰撞出大量的电子和空穴，形成 内增益和较大的输出电流。 由上述分析知：雪崩培增的物理本质是碰撞电离，倍增的条件是需对 从 内部结构出发分析 倍增机理，及其噪声特性。 为减小 结构常采用 n+或者 p+，耗尽层主要位于低掺杂的半导体一边。图 1 为高反压 n+的电场强度分布图，其中（ a）为 的结构示意图，（ b）为半导体中的电场分布图。 在 n+区 （ x 0 处），由于掺杂浓度很高，电导率较大，电场强度基本为零。在 x 0 区间内有空间电荷导致的场强分布 E(x)不难从电场高斯定理推出如下计算式 （ 1） ： x 0 )()( (1) 0 x 区间为耗尽层，场强的峰值在 n 型和 p 型半导体的分界面处。如图 8 1-(a)所示，在耗尽区内注入一个能量大于半导体禁带宽度的光子，其能量被晶格原子吸收，将激发价电子跃迁到导带，同时在价带上留下一个空穴，形成了一对电子空穴对。在场强的作用下，光生电子向 n+区、光生空穴向 p 区加速漂移，它们在漂移过程中还会与其他晶格原子发生碰撞。如果场强很强，使得光生载流子的动能已经增大到足以使被碰撞的原子发生电离，碰撞的结果就会产生新的电子 次电子 上，再去碰撞晶格原子产生新的电子 这一连锁反应便是人们熟知的雪崩效应。 图 1-(b)中的坐标定义， 0 为势垒区， a b 为倍增区。 倍增区紧贴 n+区，倍增区和 n+区的厚度都很薄，各约 m1 。而势垒区为保证入射光的完全吸收需要约 m20 。 因此绝大多数光生载流子都在 层内产生。倍增区便形成了纯 电 子注入 方式。 图 1（ b） 中 在外加电场的作用下 接受到外加光子时激发出来的光生载流子进入 倍增区 后 , 在强电场中会受到加速而获得足够的动能 , 在高速运动中与晶格发生碰撞 , 使晶格中的原子发生电离 , 产生新的电子空穴对 , 这一过程不断反复直到势垒区被击穿，形成雪崩击穿，产生电信号 + E(x) (a) (b) a b 0 图 1 高反压 n+的电场强度分布 (a)结构示意图 (b)场强分布 x n+ 9 雪崩倍增机制如图 2 所示。 图 2 为 电子注入结构的 雪崩机制示意图。当 接受到光子的能量时，其 绝大多数光生载流子 都在 层内产生 的 。 为了使雪崩噪声谱密度最小化， 是设计成纯电子注入结构，倍增因子M 表达式可表示为 (2)： )(ex p (11)(ex p ( （ 2） 载流子漂移单位距离可能发生的平均电离碰撞次数称为离化率，不同材料的化率不尽相同， 通型 离化系数如下： /)(e x p 65 (3) /)(e x p 66 (4) 图 3 给出了离化率与场强倒数的关系 2，其中 为电子电离率， 为空穴电离率。 n+ p+ 纯电子注入 图 2 层 0 10 2 2 222/ ( )( ) / 2 ( ) 4 ( / ) S N R p s I N d L P q M F R P I F K T R F f 图 3 化率与场强倒数的关系 益的条件分析 收机的信噪比 由下式决定 : (5) 式中 , 信号平均功率 ; 2 2 M 为倍增增益 ; R 为光电响应度 ; 暗电流 , f 为带宽 ; 过剩噪声因子 ; K 为波尔兹曼常数 ; 后级放大器的噪声系数 ; T 为绝对温度 ;负载电阻 . 由上式可以看出 , 其他条件一定时 , M 值太小热噪声将起主导作用 , 信噪比难以达到系统要求 ; M 值太大将会提高信号平均功率 ,但同时增大了散粒噪声 ,也会降低信噪比 . 在给定了入射光功率时 , 为达到最大的信噪比所要求的 增 增益称为最佳倍增增益 它的值由下式给出 : 1 / ( 2 ) 4 / ( ) T in T q x R L R P I (6) 式中 , x 为过剩噪音系数 , 其值取决于 制作材料及工艺 . 由上式可见 ,最佳倍增增益取决于入射光功率、暗电流、环境温度以及光电响应度等因素 . 殊的内部结构决定了当它的工作温度和反向偏压有一方面发生变化时 , 其倍增增益 M 会随之改变 . 为了使雪崩光电二极管工作在最佳的工作状态。从 以上 公式，可以看出，偏置 环境 温度 的变化规律 。 图 4 不同温度条件下 11 由以上分析可知 电流，环境温度和光电响应度等因素。而以上因素只有环境温度是影响其倍增增益的干扰因素。由 4图 可知不同温度下对应的最佳增益不同，必须设计出温度补偿电路来跟踪补偿偏压才能保证最佳雪崩增益，保证系统 的 最信噪比。 偏压选择 如图 5所示 为一定条件下的 如图 5所示， 想 论上将我们需要另外加的偏置电压无限接近于 崩增益达到 “ 一触即发 ”的效果。但实际上由于考虑到噪声的影响，当偏置电压无限接近于 实际选择偏置电压的过程中要留有一定的裕度，一般选择在 图 5 以上从 到了最佳雪崩增益与温度的关系，并结合原理图对外加温控偏压补偿的选择给予了合理化的论证。 2 计 对于 原则上我们希望 个温度十分稳定的工作环境当中，当实际上是不可能的，目前通常的做法是将 中。当外界温度发生很 大 的变化时， 恒温槽 内的 温度发生微小改变，尽量减小温度对 设计也是采用这种办法，将温度传感器和 时监测槽内微小的温度变化， 通过外设电路 对 所示。本电路设计主要分为三个部分，即温度传感部分，信号放大部分， 电路 升压部分。温度传感器置于恒温V I c 12 0 4 0 1 9 60 . 7 4 4 0 . 0 1 1 9 1 . 0 6 4 * 1 0T 槽内，检测 温度信号转 化成电信号输出给信号放大电路。信号放大电路将接受来的电信号进一步放大 ，输出电压，电流更大的电信号，输出给升压 电路 ，控制 升压电路，输出更高的电压给予 图 6 度传感电路设计 本设计中温度传感部分 主要元器件采用集成温度传感器 该集成温度传感元件，温度检测精确，电路结构简单，适合于多数 温度传感 成的集成温度传感元件， 所示： 表 1 引脚号 引脚名称 功能 1 过一个 2 A 需要接地 3 度传感器的输出端 4 B 需要接电源 5 地 成温度传感器 ,只有五个引脚， 外围电路简单 ,线路链接易于接线和检查。工作 电源电压在 2. 7 5. 5 装形式 ， 体积小 ， 功耗低 ， 它的输出电压为 温度的线性函数 ， 在 - 20 85 范围内非线性误差仅为 0. 4 ， 完全能满足系统要求 。 7） ： ( 0 4 ) / 0 1 9 (7) 由上式可以看出，该传感器的温度与电压成线性关系，经变换得到下式 （ 8） ： (8) 由上式可知 0 时 输出的电压为 744 出斜率为 11. 9 。 其实上 述（ 7）（ 8）式为近似关系式 ，精确关系式如（ 9），但是后项系数较小，通常情况下可以忽略，只有非常精确的系统中能够用到。本设计中采用上述（ 8）式的近似计算。 (9) 温度传感电路 信号放大电路 升压电路 13 温度传感电路 温度传感电路原理图如图 7所示 ，芯片连接 5温度传感器置于恒温槽内监测温度，由 T。 图 7 温度 传感电路 号放大电路 设计 上述温度传感电路在温度 0 时，所输出的电压信号只有 744使在更高的温度条件下，比如 30 式输出电压也只有 何况还有的温度条件下，输出电压更小。这样的电压还不足以驱动直流升压电路，所以要在温度传感电路后面加一级信号放大电 路。 该信号放大电路采用 该芯片能够工作在 125之间， 通过可调变阻器形成反馈回路，如图 8所示： 图 8 信号放大电路 该信号放大电路通过 1放大，由 电路的传递函数如下式（ 10） : *U A U 14 (10) 其中 大小由 关系式如下式（ 11）所示： 2 1 3( ) / R R (11) 表面上看来该电路的设计 是正确的，但是联系到后级电路的设计综合考虑还是存在一定问题的。 似于线性关 系，以一种典型的硅光电二级管为例其偏压传递函数为 ： V） =。 可以抽象出一般 温度传递函数为 ： d+其函数图象如 9（ a）所示。再来看一下以上所设计的温控偏压补偿电路的传递函数，将式（ 14）代入式（ 16）可得*(744T * )=函数图象如下图 9（ b）所示 。下图另 K=保证里两条直线的斜率相同，可以得到一个 个值可以通过调节 关系得到。但是这个唯一确定的 d=很难保证两条直线的截距相同，于是就出现了下图中两条直线不重合的现象。 图 9 偏压 出现上述问题的原因在于没有给放大后的电压信号一个基础电压，换言之，该信号的放大电路是从零开始。而 随温度变化部分的电压是在一定的电压基础之上变化的。所以该信号放大电路需要加给信号一个基础电压值，基础电压值的大小由所需补偿的 温度函数关系决定。 需要给信号一个参考电压值就需要得到一个可调且稳定的电压。 电压跟随器就是输出电压与输入电压是相同的，就是说，电压跟随器的 电压放大倍数 恒小于a b U T 0 d 15 且接近 1。电压跟随器 一般起到 缓冲、隔离、提高带载能力的作用。共集电路的输入 高阻 抗，输出低阻抗的特性，使得它在电路中可以起到阻抗匹配的作用，能够使得后一级的放大电路更好的工作。电压隔离器输出电压近似输入电压幅度，并对前级电路呈 高阻状态 ，对后级电路呈低阻状态，因而对前后级电路起到 “隔离 ”作用。电压跟随器常用作中间级，以 “隔离 ”前后级之间的影响，此时称之为缓冲级。基本原理还是利用它的输入阻抗高和输出阻抗低之特点。 电压跟随器的输入阻抗高、输出阻抗低特 点，可以极端一点去理解，当输入阻抗很高时，就相当于对前级电路开路；当输出阻抗很低时，对后级电路就相当于一个恒压源，即输出电压不受后级电路阻抗影响。一个对前级电路相当于开路，输出电压又不受后级阻抗影响的电路当然具备 隔离作用 ，即使前、后级电路之间互不影 。 进入电压跟随器的电压需要经过一级 分压电阻，将 5V 的电源电压分压为所需要的参考电压，设计电路图如下： 改进后的信号放大电路如下 图 10所示：图 10 信号放大电路（改进） 该电路为为同相求和电路，电路由两部分组成即为电压跟随器 1。电源电压通过 6分压进入电压跟随器 2稳压后得到一个稳定的参考电压，再将这个参考电压加到上一级的信号电压 相加后的电压信号送给运放 改进后的放大电路的输出电压与信号电压的函数关系如下式（ 12）： () U U（ 12） 4 2 6 4 2( ) / ( )R E F P C C U R R R （ 13） 根据电路需要可以调整 R 以通过调整16 经 实例（见 证，该信号放大电路能够适应 信号放大电路有两个可调量降低了后级电路的设计难度，原则上讲该电路能够适应任何线性升压电路。该电路的 1均采用 运放结构简单，精度高，误差小适应于高精度的信号放大。 压电路 设计 经信号放大电路后的电压信号只有几伏，不足以满足 需要加一级升压电路。本设计 采用集成芯片 充电速度快，充电电流大能够迅速的给出 300它具有以下特点： 充电电流大，能够快速对相机闪光灯电容器进行充电。 微功耗 (静态工作电流仅为 5工作电压范围宽 (16V)。 允许使用体积较小的高频变压器，且无需电压分压器。 高效回扫工作 (80%)，输出电压可调整等优点。 该芯片的充 电响应曲线如下图 11所示，由下图可以看出该芯片的响应速度较快，适合于快速跟踪变压，负荷 图 11 内部结构框图如图 12 所示。当 触发器输出高电平， 压器 较器 旦峰值电流达到 时 1整流，产生高压对闪光灯电容 脚电压下降；当 61的输出翻转成低电平，产生触发脉冲使 17 变压器 2组成输出电压检测电路。 1、 2与基准电压进行比较。当 而使主触器复位， 压器 有在 电电路才会继续对 图 12 部结构框图 3所示： 18 图 13 以上为 800体的升压比例由 相关参数如下表 2所示： 表 2 名称 图中符号 参数 输入电压 件电压 0V 充电电压 0V 驱动电压 0V 驱动端 电流 1常工作温度 85 短时工作温度 150 焊接最高温度 300 基于 根据 电路 为典型的升压电路，通过该变 路图如图 14所示。 该电路中 出电压取决于初级次级线圈比。通过感应 其输出一个 300电路通过强制改变它的充放电 周期，使其产生一个0300出电压取决于控制电压（ 如图 14 所示， 1和 19 大于采样后的输出电压（ 闭 馈电容 止抖动。 持关断状态，直到采样输出电压低于控制电压（ 该电路一直应用相机闪光灯充电，电路可以良好的工作，且能够快速的给出300能够快速跟踪控制端电压，是难得的直流升压装置。但该 电路原用途是给照相机闪光灯电容充电，对纹波和输出电压要求不严格。电路缺少滤波部分，输出的电压噪声较大，波纹较为明显。显然该电路不能满足 电电源要求。因此要想运用 小输出电压的波纹，得到更加稳定的直流高压。 图 14 基于 于 0 行偏压补偿，通过温度传感电路将温度信号转换为电信号，再将该 电信号进行放大 输出给放大电路。该过程中信号采集，信号放大过程中存在微小误差是不可避免的，但是经过升压电路之后该误差被大功率的放大，在加上升压电路本身的输出波纹很容易电压不稳定使得 以升压电路的设计必须加上一级精确的滤波电路。通常情况下电压滤波有以下几种方法： 加大电感和输出电容滤波 根据开关电源的公式，电感内电流波动大小和电感值成反比，输出纹波和输出电容值成反比。所以加大电感值和输出电容值可以减小纹波。同样，输出纹波与输出电容的关系： Cof)。 可以看出，加大输出电容值可以减小纹波。 通常的做法，对于输出电容，使用铝电解电容以达到大容量的目的。但是电解电容在抑制高频噪声方面效果不是很好，而且 比较大，所以会在它旁边并联一个陶瓷电容，来弥补铝电解电容的不足。 同时，开关电源工作时，输入端的电压 变，但是电流是随开关变化的。这时输入电源不会很好地提供电流，通常在靠近电流输入端 (以 为例，是近 )，并联电容来提供电流。 二级滤波，就是再加一级 波器 波器对噪纹波的抑制作用比 较明显，根据要除去的纹波频率选择合适的电感电容构成滤波电路，一般能够很好的减小纹波。 采样点选在 波器之前 (输出电压会降低。因为任何电感都有一个直流电阻，当有电流输出时，在电感上会有压降产生，导致电源的输出电压降低。而且这个压降是随输出电流变化的。 采样点选在 波器之后 (这样输出电压就是我们所希望得到的电压。但是这样在电源系统内部引入了一个电感和一个电容，有可能会导致系统不稳定。 开关电源输出之后，接 性稳压） 滤波 这是减少纹波和噪 声最有效的办法，输出电压恒定，不需要改变原有的反馈系统，但也是成本最高，功耗最高的办法。 任何一款 有一项指标：噪音抑制比。 对减小纹波。开关电源的 线也非常关键，这是个很赫手的问题。有专门的开关电源 程师，对于高频噪声，由于频率高幅值较大，后级滤波虽然有一定作用，但效果不明显。这方面有专门的研究，简单的做法是在二极管上并电容 C 或