DZD450型真空包装机设计（全套含CAD图纸）
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STRESA,ITALY,2527APRIL20070LEVELVACUUMPACKAGINGRTPROCESSFORMEMSRESONATORSNICOLASABEL1,3,DANIELGROGG1,CYRILLEHIBERT2,FABRICECASSET4,PASCALANCEY3,ADRIANMIONESCU11LEG,ECOLEPOLYTECHNIQUEFDRALEDELAUSANNEEPFL,SWITZERLAND,2CMIEPFL,3STMICROELECTRONICS,FRANCE,4CEALETIMINATEC,FRANCEABSTRACTANEWROOMTEMPERATURERT0LEVELVACUUMPACKAGEISDEMONSTRATEDINTHISWORK,USINGAMORPHOUSSILICONASIASSACRIFICIALLAYERANDSIO2ASSTRUCTURALLAYERTHEPROCESSISCOMPATIBLEWITHMOSTOFMEMSRESONATORSANDRESONANTSUSPENDEDGATEMOSFET1FABRICATIONPROCESSESTHISPAPERPRESENTSASTUDYONTHEINFLUENCEOFRELEASINGHOLEDIMENSIONSONTHERELEASINGTIMEANDHOLECLOGGINGITDISCUSSESMASSPRODUCTIONCOMPATIBILITYINTERMSOFPACKAGINGSTRESSDURINGBACKENDPLASTICINJECTIONPROCESSTHEPACKAGINGISDONEATROOMTEMPERATUREMAKINGITFULLYCOMPATIBLEWITHICPROCESSEDWAFERSANDAVOIDINGANYSUBSEQUENTDEGRADATIONOFTHEACTIVEDEVICES1INTRODUCTIONMEMSRESONATORSPERFORMANCESHAVEBEENDEMONSTRATEDTOSATISFYREQUIREMENTSFORCMOSCOINTEGRATEDREFERENCEOSCILLATORAPPLICATIONS23DIFFERENTPACKAGINGPOSSIBILITIESWEREPROPOSEDINPREVIOUSYEARSUSINGEITHERA0LEVELAPPROACHES4,5ORWAFERBONDINGAPPROACHES6ACCORDINGTOINDUSTRYREQUIREMENTS,0LEVELTHINFILMPACKAGINGUSINGSTANDARDFRONTENDMANUFACTURINGPROCESSESISHOWEVERLIKELYTOBETHEMOSTCOSTEFFICIENTTECHNIQUETOACHIEVEVACUUMENCAPSULATIONOFMEMSCOMPONENTSFORVOLUMEPRODUCTION2DEVICEDESCRIPTIONANDPACKAGINGDESIGNTHEPACKAGINGPROCESSHASBEENDONEONAMEMSRESONATORHAVINGMOSFETDETECTION1THEDEVICEISBASEDONASUSPENDEDGATERESONATINGOVERAMOSFETCHANNELWHICHMODULATESTHEDRAINCURRENTTHEADVANTAGEOFTHISTECHNIQUEISTHEMUCHLARGERTHEOUTPUTDETECTIONCURRENTTHANFORTHEUSUALCAPACITIVEDETECTIONTYPE,DUETOTHEINTRINSICGAINOFTHETRANSISTORTHERSGMOSFETDEVICEFABRICATIONPROCESSANDPERFORMANCESWEREPREVIOUSLYDESCRIBEDIN7THEPROCESSSTEPSAREPRESENTEDINFIG1,WHEREA5MTHICKAMORPHOUSSILICONASILAYERISSPUTTEREDONTHEALREADYRELEASEDMEMSRESONATORFOLLOWEDBYA2MRFSPUTTEREDSIO2FILMDEPOSITIONAQUASIZEROSTRESSASIFILMDEPOSITIONPROCESSHASBEENDEVELOPEDTHEQUASIVERTICALDEPOSITIONAVOIDSDEPOSITINGMATERIALUNDERTHEBEAMLOWERINGTHERELEASINGTIMERELEASINGHOLESOF15MWEREETCHEDTHROUGHTHESIO2LAYERANDTHERELEASINGSTEPISDONEBYDRYSF6PLASMADUETOPURECHEMICALETCHING,HIGHSELECTIVITYOFLESSTHAN1NM/MINONSIO2WASOBTAINEDTHEHOLESWERECLOGGEDBYANONCONFORMALSPUTTERSSIO2DEPOSITIONATROOMTEMPERATUREFIG1SCHEMATICOFTHE0LEVELVACUUMPACKAGEFABRICATIONPROCESSOFARSGMOSFETPACKAGINGPROCESSHASBEENPERFORMEDONTHEMETALGATESGMOSFETANDFIG2ASHOWSANSEMPICTUREOFARELEASEDALSIBASEDRSGMOSFETWITHA500NMAIRGAP,ABEAMLENGTHANDWIDTHOFRESPECTIVELY125MAND6MWITHA40NMGATEOXIDEAVACUUMPACKAGEDRSGMOSFETISSHOWNINFIG2BHIGHLIGHTINGTHESTRONGBONDSOFTHEREFILLEDRELEASINGHOLEAFTERCLOGGINGCROSSSECTIONOFARELEASINGHOLEINFIG2CSHOWSMORETHAN1MBONDINGSURFACETOENSURECAVITYSEALINGAFIBCROSSSECTIONINFIG2DSHOWSTHESUSPENDEDSIO2EDAPUBLISHING/DTIP2007ISBN9782355000003NICOLASABEL,DANIELGROGG,CYRILLEHIBERT,FABRICECASSET,PASCALANCEY,ADRIANMIONESCU0LEVELVACUUMPACKAGINGRTPROCESSFORMEMSRESONATORSMEMBRANEABOVETHESUSPENDEDGATETHEVACUUMATMOSPHEREINSIDETHECAVITYISOBTAINEDBYDEPOSITINGTHETOPSIO2LAYERUNDER5X107MBARGIVENBYTHEEQUIPMENTSUSPENDEDGATEDRAINSOURCEBULKCONTACTA10MDRAINSOURCESUSPENDEDGATE6M1MBSIO2C1MHOLEDIAMETER15MVACUUMEDCAVITY1UMSIO2DDRAINSUSPENDEDGATE50MFIG2SEMPICTURESOFAALSIBASEDRSGMOSFET,BTOPVIEWOFASIO2CAPCOVERINGTHERSGMOSFET,CCROSSSECTIONOFRELEASINGHOLESFILLEDWITHSPUTTEREDSIO2,DFIBCROSSSECTIONOFTHEPACKAGEDRSGMOSFET,MATERIALREDEPOSITEDDURINGTHEFIBCUTISSURROUNDINGTHESUSPENDEDGATEANDTHESIO2MEMBRANETHESLIGHTLYCOMPRESSIVESIO2MEMBRANESSHOWVERYGOODBEHAVIORFORTHETHINFILMPACKAGING,ASSEENINFIG3WHERECAVITIESWEREFORMEDONLARGEOPENINGSIZEDURINGTHECLOGGINGPROCESS,DUETOTHEHIGHLYNONCONFORMALDEPOSITION,THEAMOUNTOFMATERIALENTERINGINTHECAVITYHASBEENMEASUREDTOBEONLY80NMCOMPAREDTOTHE25MOXIDEDEPOSITEDRESIDUESINSIDETHECAVITYARECONFINEDINAN8TO10MDIAMETERCIRCLE,BUTSTRONGLYDEPENDONTHETOPOLOGYINSIDETHECAVITYTHEOXIDETHICKNESSNEEDEDTOCLOGTHEHOLESSTRONGLYDEPENDSONTHEHOLEWIDTHOVERHEIGHTRATIO,WHICHTHEREFOREDETERMINESTHEAMOUNTOFRESIDUESINTHECAVITY40MSUSPENDEDSIO2MEMBRANESA2M11MASI05MWETOXIDE45MSPUTTEREDSIO2BFIG3ABCROSSSECTIONOFA2UMSIO2SUSPENDEDMEMBRANEHAVINGARELEASINGHOLECLOGGEDBYA25MSIO2SPUTTERINGDEPOSITION3EFFECTOFOPENINGSIZEONRELEASINGRATEANDCLOGGINGEFFECTETCHINGRATEVARIATIONONASIRELATEDTOTHEHOLEOPENINGSIZEANDTHEASITHICKNESSISSHOWNINFIG4SMALLHOLESOPENINGSDECREASETHEETCHINGRATEADUALUNDERETCHINGBEHAVIORDUETOASITHICKNESSVARIATIONANDHOLESDIAMETERSISOBSERVEDAFTERA2MINRELEASESTEPFORASMALLHOLEAPERTURE2MDIAMETER,EXPOSEDSURFACEFACTORISDOMINANTANDETCHINGRATEIS3TIMESGREATERFORTHETHINASIHOWEVERFORLARGEOPENINGS9MDIAMETERFORWHICHUNDERETCHDISTANCEISMOREIMPORTANT,PATHFACTORREPRESENTINGTHELATERALOPENINGHEIGHTFORSPECIESEDAPUBLISHING/DTIP2007ISBN9782355000003NICOLASABEL,DANIELGROGG,CYRILLEHIBERT,FABRICECASSET,PASCALANCEY,ADRIANMIONESCU0LEVELVACUUMPACKAGINGRTPROCESSFORMEMSRESONATORSTOREACHASIBECOMESIMPORTANTANDTHENETCHINGRATIODECREASESTO13012345612345678910HOLEDIAMETERUMUNDERETCHRATEUM/MIN11UMASI33UMASIFIG4UNDERETCHRATEFORVARIOUSRELEASINGHOLESDIAMETERSWITHAMORPHOUSSILICONSACRIFICIALLAYERSOF11MAND33M,AFTER2MINRELEASINGAFTERRELEASE,ENCAPSULATIONISPERFORMEDBYSPUTTEREDDEPOSITIONOFSIO2UNDERHIGHVACUUMOF5X107MBARUSINGTHEINTRINSIC,NONCONFORMALDEPOSITIONTOCLOGHOLES,ASSHOWNINFIG5CLOGGINGEFFECTISSTRONGLYMATERIALDEPENDENTANDISRELATEDTOTHESTICKINGCOEFFICIENTTHATDEFINESPROBABILITYFORAMOLECULETOSTICKTOTHESURFACETHECOEFFICIENTISBELOW001FORLPCVDPOLYSIBUT026FORSIO2,THEREFOREBEINGMORESUITABLEFORCLOGGINGPURPOSESIO2MEMBRANE2MCLOGGINGHOLEAPERTURESIO2REDEPOSITIONREMAININGAPERTUREFIG5SCHEMATICOFACROSSSECTIONOFTHESIO2MEMBRANECLOGGEDBYSIO2SPUTTERINGDEPOSITIONHOLECLOGGINGHASASTRONGDEPENDENCEONTHEOPENINGASPECTRATIOASPRESENTEDINFIG6HOLESWITHDIAMETEROVERHEIGHTASPECTRATIOBELOW1ARECLOGGEDFORSIO2THICKNESSOF2MHOLEWITHOPENINGRATIOOF15COULDONLYBECLOGGEDFORA3MTHICKSIO2DEPOSITIONTHEHOLECLOGGINGRATEISMEASUREDTOBE330NMPERDEPOSITEDMICRONOFSIO2010002000300040000123OPENINGASPECTRATIOREMAININGAPERTURENM2MSIO2INITIALSIO2MEMBRANETHICKNESS2M3MSIO2REMAININGAPERTURENMFIG6HOLECLOGGINGEFFECTDEPENDINGONTHEDIAMETEROVERHEIGHTRATIOINTHE2MSIO2MEMBRANERIGHTREMAININGAPERTUREDIAMETERINNMFOR2MAND3MSIO2DEPOSITIONFORHOLECLOGGINGTHEEFFECTOFHOLEGEOMETRYONUNDERETCHRATEANDCLOGGINGHASBEENSTUDIEDONSQUAREANDRECTANGULARHOLESINFIG7RECTANGULAROPENINGHASAQUASIIDENTICALUNDERETCHINGTHANSQUARESHAPEOFTHESAMEOPENINGAREA,WHILECLOGGINGIS10TIMESMOREIMPORTANT0510152025303505101520RELASINGTIMEMINUNDERETCHUM2UM2UMXETCHINGDIRECTIONYETCHINGDIRECTIONXYXXFIG7UNDERETCHLENGTHAFTER16MINRELEASEFOR291M2SQUAREANDRECTANGLERELEASEHOLESREDDOTTEDRECTANGLESTHEINITIALSIO2THICKNESSISA2MANDTHETHICKNESSOFASIIS11MREMAININGHOLESIZEAFTER25MSIO2DEPOSITIONIS14MFORTHESQUAREAND140NMFORTHERECTANGLE4PACKAGINGISSUESFORPRODUCTIONENVIRONMENTFORINDUSTRIALPRODUCTIONOFINTEGRATEDMEMS,0LEVELPACKAGEHASTOSUSTAINPLASTICMOLDING,WHICHCORRESPONDSTOANISOSTATICPRESSUREOFAROUND100BARENCAPSULATIONFILMTHICKNESSHASBEENDESIGNEDTOLOWERTHEIMPACTOFTHEPRESSUREDURINGMOLDINGFEMSIMULATIONSDONEWITHCOVENTORINFIG8SHOWTHATTHEEDAPUBLISHING/DTIP2007ISBN9782355000003NICOLASABEL,DANIELGROGG,CYRILLEHIBERT,FABRICECASSET,PASCALANCEY,ADRIANMIONESCU0LEVELVACUUMPACKAGINGRTPROCESSFORMEMSRESONATORSMOLDINGINDUCEDPACKAGEDEFLECTIONISREDUCEDTO25NM,HAVINGA45MTHICKSIO2FILM,WHICHMAKESITCOMPATIBLEWITHSTANDARDINDUSTRIALBACKENDPROCESSES015131925NMDISPLACEMENTACOVENTOR004081216MPASTRESSBCOVENTORFIG8FEMMODELLINGOFTHEPACKAGEDRESONATORUNDERAPPLIEDISOSTATICPRESSUREMIMICKINGPLASTICINJECTIONPROCESSSTEPEFFECTOFLTOANDPECVDNITRIDEMATERIALSONCAPPINGDEFLECTIONUNDERMOLDINGSTRESSAREPRESENTEDINTABLEIMEMBRANETHICKNESSCANTHENBEOPTIMIZEDTOLOWERTHEMOLDINGINDUCEDDEFLECTIONBYCONSIDERINGYOUNGSMODULUSANDMAXIMUMSTRESSBEFOREFAILUREOFTHETWOMATERIALSSTRUCTURALLAYERMATERIALLTONITRIDEPECVDFILMTHICKNESS45M25MMAXSTRESSBEFOREFAILURE2GPA9GPASTRESSDUETOMOLDING16MPA4MPAMOLDINGINDUCEDDEFLECTION25NM36NMTABLEIFEMSIMULATIONSOFTHESTRUCTURALLAYERTHICKNESSNEEDEDTOSUSTAINPLASTICMOLDINGOVER0LEVELPACKAGINGCOMPOSEDOFA30MX30MMEMBRANECOMPARISONWITHPECVDNITRIDETHICKNESSNEEDEDTOINDUCETHESAMEDEFLECTIONONTHEDEVELOPEDPROCESSFLOW,FURTHERINVESTIGATIONSONVACUUMLEVELANDLONGTERMSTABILITYSTILLTOBESTUDIEDINORDERTOFULLYCHARACTERIZETHEPACKAGINGTHISCHARACTERIZATIONCANEITHERBEDONEDIRECTLYBYUSINGHELIUMLEAKAGETEST9,ORINDIRECTLYBYACTUATINGTHEPACKAGEDRESONATORFORWHICHQUALITYFACTORISDIRECTLYRELATEDTOTHEVACUUMLEVEL5CONCLUSIONANOVEL0LEVELPACKAGINGPROCESSWASPRESENTEDUSINGASIASSACRIFICIALLAYERANDSIO2ASENCAPSULATINGLAYERRSGMOSFETRESONATORSHAVEBEENSUCCESSFULLYENCAPSULATEDUNDERHIGHVACUUMIMPACTOFBACKENDOFLINEINDUSTRIALPROCESSOVERTHEENCAPSULATIONHASBEENINVESTIGATED,RESULTINGINOPTIMALCOVERTHICKNESSNEEDEDTOSUSTAINPLASTICMOLDINGINFLUENCEOFHOLEDIMENSIONSONRELEASINGTIMEANDCLOGGINGEFFECTFORENCAPSULATIONWEREINVESTIGATED,ANDOPTIMIZEDPACKAGINGPARAMETERSAREIDENTIFIEDFORTHISPROCESS11REFERENCES1NABELETAL,“ULTRALOWVOLTAGEMEMSRESONATORBASEDONRSGMOSFET“,MEMS06,PP882885,20062VKAAJAKARIETAL,“LOWNOISESILICONMICROMECHANICALBULKACOUSTICWAVEOSCILLATOR“,IEEEINTERNATIONALULTRASONICSSYMPOSIUM,PP12991302,20053YWLINETAL,“LOWPHASENOISEARRAYCOMPOSITEMICROMECHANICALWINEGLASSDISKOSCILLATOR,”IEDM05,PP287290,20054NSILLONETAL,WAFERLEVELHERMETICPACKAGINGFORABOVEICRFMEMSPROCESSANDCHARACTERIZATION,IMAPS20045BKIMETAL,“FREQUENCYSTABILITYOFWAFERSCALEENCAPSULATEDMEMSRESONATORS,“TRANSDUCERS05,VOL2,PP19651968,20056VKAAJAKARIETAL,“STABILITYOFWAFERLEVELVACUUMENCAPSULATEDSINGLECRYSTALSILICONRESONATORS“,SENSORSANDACTUATORSAPHYSICAL,VOL130131,PP4247,20067NABELETAL,“SUSPENDEDGATEMOSFETBRINGINGNEWMEMSFUNCTIONALITYINTOSOLIDSTATEMOSTRANSISTOR“,IEDM05,LATENEWS,PP479481,20058SFRDRICOETAL,”SILICONSACRIFICIALLAYERDRYETCHINGSSLDEFORFREESTANDINGRFMEMSARCHITECTURES”,MEMS03,PP570573,20039IDWOLFATAL,“THEINFLUENCEOFTHEPACKAGEENVIRONMENTONTHEFUNCTIONINGANDRELIABILITYOFCAPACITIVERFMEMSSWITCHES,“MICROWAVEJOURNAL,VOL48,PP102116,2005EDAPUBLISHING/DTIP2007ISBN9782355000003斯特雷萨，意大利，2007年4月25日至27日0级真空包装RT进程MEMS谐振器NICOLASABEL,DANIELGROGG,CYRILLEHIBERT,FABRICECASSET,31124PASCALANCEY,ADRIANMIONESCU3专家组，高等联邦理工学院洛桑，瑞士，监察委员会（洛桑），ST微电子，123法国，MINATEC的CEALETI，法国4摘要一个新的房间温度（RT）0级真空包装证明在这项工作中，使用非晶硅（ASI）作为牺牲层和结构层二氧化硅。这个过程是与大多数MEMS谐振器和谐振悬栅MOSFET1制造工艺兼容。本文提出了一种释放释放的时间和孔堵塞孔尺寸的影响的研究。讨论在包装胁迫期间后端注塑过程中批量生产的兼容性。在室温下进行包装，使其完全兼容IC加工晶圆，并避免任何有源器件的后续退化。1、引言MEMS谐振器的表现已经证明，以满足集成CMOS共同参考振荡器应用的要求23。使用一个0级的方法，提出了在往年不同的包装的可能性4，5或晶圆键合方法6。0级的薄膜包装，使用标准的前端制造工艺是根据行业的要求，但可能是最具成本效益的技术，实现批量生产真空封装MEMS元件。2、设备描述和包装设计图1、0级真空包一个RSG中的MOSFET的制造过程示意图包装过程中已经做了一个MEMS谐振器具有MOSFET的检测1。该设备的基础上调节漏电流的MOSFET通道的悬浮门的共鸣。这种技术的优点是大得多的电流比平常的电容检测型，由于晶体管的固有增益输出检测。7在前面所述的RSG的MOSFET器件制造工艺和表演。图的过程步骤。1，15微米厚的非晶硅（ASI）层溅射已经公布的MEMS谐振器遵循由2M的溅射SIO2薄膜沉积的射频。准零应力ASI薄膜沉积过程中已开发准垂直沉积，避免下降低释放时间的束沉积材料。通过二氧化硅层蚀刻15M的释放孔和干SF6电浆释放步骤。由于纯化学腐蚀，高选择性比1NM/MIN在SIO2获得。非形溅射二氧化硅沉积在室温下的孔被堵塞。包装过程中已执行的金属门SGMOSFET和图2A显示了一个发布基于铝硅RSG的一个500NM的气隙，与40NM的栅氧化层梁的长度和宽度分别为125M和6M的MOSFET的SEM照片。真空包装RSGMOSFET的显示图。2B突出堵塞后重新充满释放孔牢固。在图释放孔的截面。2C显示1M以上的粘接面，以确保腔密封。一个纤维蛋白原的横截面图。2D显示暂停悬浮门以上的SIO2膜。腔内的真空气氛得到存放顶端二氧化矽下5X107MBAR层设备给予。稍压二氧化硅膜显示在图腔形成大开口尺寸，薄膜包装的很好的行为。图2A）铝硅基于RSG的MOSFET的SEM照片，B）RSG的MOSFET覆盖了二氧化硅帽的顶视图，C）发布充满了孔的截面溅射二氧化硅，D）的FIB截面打包RSGMOSFET，重新存入的FIB切割过程中的材料被周围的悬浮门和SIO2膜在堵塞过程中，由于高度非形沉积，在进入型腔的材料金额已测只有80NM工艺相比25CM氧化物沉积。腔内部的残留物被限制在810CM直径的圆，但在很大程度上取决于内部腔体的拓扑结构。氧化层厚度，需要堵塞漏洞，在很大程度上取决于孔宽度超过高度的比例，因此决定在腔内残留物的金额。图3AB）的横截面12UM二氧化硅悬浮膜由258米SIO2溅射沉积的堵塞有释放孔3、开放释放速率的大小和堵塞效果的影响孔开口尺寸和ASI厚度的蚀刻ASI率变化如图。4。小孔开口的蚀刻速率降低。下双蚀刻行为由于ASI厚度变化和孔直径，2分钟后观察。释放步孔径（直径为2M）一个小洞，露出水面的因素是占主导地位和蚀刻速率的3倍薄ASI更大。然而，对于大开口（直径9M）钻蚀的距离更重要的是，路径系数代表物种的侧向开口高度达到ASI就变得很重要，然后蚀刻的比例下降到13。图4各种释放孔直径为11M和33M的无定形硅牺牲层的钻蚀率，释放后2分钟释放后，溅射沉积SIO2的封装在高真空使用5X107MBAR的内在的，非形沉积堵塞孔，如图所示。5。堵塞的效果，是强烈依赖材料和相关的概率定义为一个分子坚持表面的粘着系数。系数是001以下的低压化学气相沉积聚硅，但026为SIO2，因此更适合堵塞的目的。图5二氧化硅溅射沉积堵塞的SIO2膜的跨节的示意图孔堵塞开幕宽高比为图上有很强的依赖性。图6为SIO2的厚度为2M直径高度长宽比低于1孔堵塞。孔开放的比例为15只可为3微米厚的二氧化硅沉积堵塞。孔堵塞率测量330NM每沉积二氧化硅微米。图6孔堵塞效果取决于堵塞孔的2M的剩余2M和3M的二氧化硅沉积SIO2膜孔径（纳米）（右）的直径超过身高比在图7的正方形和长方形孔钻蚀率和堵塞的孔几何效应已研究。下比相同开口面积的方形蚀刻矩形开口准相同，而堵塞是10倍，更重要的。图7后16分钟发布，为291M2正方形和长方形的释放孔（红色虚线矩形）的钻蚀长度。初始SIO2的厚度是2M和ASI厚度为11M。25M二氧化硅沉积后的剩余孔大小为14微米的正方形和矩形140NM。4、生产环境的包装问题0级封装集成的MEMS工业生产，维持塑料成型，相当于100BAR左右的等静压。封装薄膜厚度已设计，以降低在成型压力的影响。有限元模拟与COVENTOR完成图。8表明，诱导成型包挠度减少到25纳米，145M厚的SIO2薄膜，这使得它与工业标准的后端进程兼容。图8有限元建模应用等静压压力模仿注塑工艺步骤的谐振器的包装下LTO和封顶成型压力下的挠度的PECVD氮化硅材料的影响表一膜厚度，然后可以考虑前两种材料失效的杨氏模量和最大应力优化，以降低成型引起的偏转。表1，有限元模拟需要维持0级组成一个30MX30M膜包装的塑料成型的结构层厚度。PECVD氮化硅厚度比较需要引起相同的偏转。在开发流程，真空度和长期稳定的进一步调查仍然进行研究，以充分体现包装。这种特性可以直接进行使用氦气泄漏测试9，或间接通过伺服谐振器品质因数的真空度直接关系到包装。5、结论提出了一种新的0级包装过程中使用ASI作为牺牲层和封装层二氧化硅。RSG中的MOSFET谐振器已成功封装在高真空下。封装后端行工业过程的影响已展开调查，在最佳覆盖厚度需要维持塑料成型。释放时间和堵塞的封装效果孔尺寸的影响进行了调查，并确定这个过程优化包装参数。参考文献1银白杨等人，“超低电压的MEMS谐振器基于RSG中的MOSFET，MEMS的06，页882885，20062等五KAAJAKARI，“低噪音的硅微机械批量声波振荡器”，第1299IEEE国际超声研讨会1302年，2005年3YW林等人，“低相位噪声阵列复合材料细观力学酒杯磁盘振荡器”IEDM上，05，页287290，20054SILLON北路等，晶圆级以上IC射频MEMS密封包装工艺及表征，IMAPS2004年5KIM等。，“晶圆级封装MEMS谐振器的频率稳定度，”05传感器，第一卷。2，19651968年，2005年6五KAAJAKARI等，“稳定的晶圆级真空封装单晶硅谐振”，传感器和制动器物理卷。130131，第4247页，20067银白杨等，“悬浮栅MOSFET固态MOS晶体管将带来新的MEMS功能”，IEDM上05，晚新闻，页479481，20058。弗雷德里科等，“硅牺牲层干蚀刻（SSLDE）为独立的射频MEMS架构”，MEMS的03570573，20039编号狼，“电容式RFMEMS开关的运作和可靠性上的软件包环境的影响，”微波学报，第一卷。48，102116页，2005年。1毕业设计论文外文资料翻译院系机械工程学院专业机械设计制造及其自动化（数控技术）学生姓名班级学号外文出处DYIPOFMENSMOEMS2007附件1外文资料翻译译文（约3000汉字）；2外文资料原文与课题相关的1万印刷符号左右。指导教师评语指导教师签名年月日1下载后包含有CAD图纸和说明书,咨询Q197216396本科生毕业设计论文题目DZD450型真空包装机设计机械工程学院机械设计制造及其自动化数控技术专业学生姓名指导教师指导教师工作单位起讫日期下载后包含有CAD图纸和说明书,咨询Q197216396摘要真空包装机是一种被广泛使用的包装机械真空包装技术可以提高商品的使用价值,防腐防潮防锈蚀,减少损耗,节约贮运费用,有利于健康真空包装技术广泛用于食品药品电子仪器精密仪表化工产品等行业随着真空包装技术的发展,真空包装机械技术正逐渐提高和完善低成本智能化高品质是真空包装机械的发展趋势本文分析了目前真空包装设备的不足,参考相关的资料,对现有的单盖双工位真空包装机进行了改进设计主要的改进如下重新选用了热封变压器,提高了封口质量对上工作室的密封槽密封条进行了重新设计,改善了真空室的密封性对四连杆机构进行重新设计,改善了上真空室运动的平稳性和灵活性关键词真空包装四连杆机构热合器下载后包含有CAD图纸和说明书,咨询Q197216396ABSTRACTVACUUMPACKMACHINEISONEOFTHEPACKMECHANISMSBEINGWIDELYUSEDVACUUMIZEDTECHNOLOGYHAVETHEMANYIMPORTANTFUNTIONSASANTISEPSIS,PROTECTIONAGAINSTTHEDAMP,PROTECTIONAGAINSTTHERUST,ANDADVANCETHEPRODUCTSPERFORMANCE,REDUCETHEWASTAGE,CONOMIZETHEFAREOFSTORAGEANDTRANSPORTATION,ANDHAVESOMECONTRIBUTIONSTOPEOPLESHEALTHVACUUMIZEDTECHNOLOGYHASBEENUSEDINTHEINDUSTRYOFFOODSTUFF,PHSIC,ELECTRONINSTRUMENT,PRECISIONMETER,CHEMICALINDUSTRYMANUFACTUREETCWITHTHEDEVELOPMENTVACUUMPACKTECHNIQUES,THEPACKMECHANISMSAREIMPROVINGANDPERFECTINGGRADUALLYTHEDEVELOPMENTDIRECTIONSVACUUMPACKMECHANISMARELOWCOST,INTELLIGENTIZINGANDHIGHQUALITYTHISTHESISANALYSEDTHEDEFICIENCYOFCURRENTPACKEQUIPMENTS,CONSULTEDRELATEDMATERIALS,IMPROVEDDESIGNOFTHEEXISTINGVACUUMPACKMACHINEWHICHISSINGLECOVERBOARDANDDOUBLEPOSITIONTHEMOSTLYIMPROVEMENTSCANBELISTASFOLLOWSRECHOOSETHEHEATTRANSFORMERANDADVANCETHEQUALITYOFTHESEALREDESIGNTHEATERTIGHTGROOVEANDBARANDMELIORATIONTHESEALCHARACTEROFTHEVACCUMROOMREDESIGNTHEFOURLINKMECHANISMANDPERFECTTHESTABILITYANDFLEXIBILITYOFTHEVACCUMROOMMOVEMENTKEYWORDSVACUUMIZEFOURLINKMECHANISMFUSIONIMPLEMENT下载后包含有CAD图纸和说明书,咨询Q197216396下载后包含有CAD图纸和说明书,咨询Q197216396下载后包含有CAD图纸和说明书,咨询Q197216396下载后包含有CAD图纸和说明书,咨询Q197216396下载后包含有CAD图纸和说明书,咨询Q197216396目录第一章引言L第二章总体方案设计221单盖双室真空包装机的热封原理222单盖双室真空包装机的工艺流程223总体方案的确定2231热合部件2232真空室的下工作室形状3下载后包含有CAD图纸和说明书,咨询Q197216396233平衡机构324主要零件的定型4241四连杆机构及真空室的设计5242四连杆机构的工艺说明8243单盖双工位真空包装机的气路设计9244热合条的参数确定10245热合部件结构的确定11第三章设计说明1231润滑和密封1232使用维护和保养12321使用前注意12322车间环境12323工艺参数的选择与调整12324其余操作注意事项12325维护13结束语14致谢15参考文献16三江学院2012届本科生毕业设计（论文）1第1章引言真空包装机是将包装袋内抽成低真空后,当即自动封口由于袋内的真空度高,残留的空气少,可抑制细菌等微生物的繁殖,能够延长储存期,防止食品腐败对某些松软的食物,经过真空包装后可缩小体积从而可使包装物品达到“四防两省一保质”的特点即防潮防霉防污染防氧化省容积省运费延长储存期食品包装中肉类是最适合真空包装的采用高度防透氧的薄膜聚偏乙烯聚酞胺聚醋涂以丙烯晴作为真空包装材料,可使鲜肉在包装内处于无菌状态,使其货架寿命延长1倍各种塑料复合薄膜袋或铝箔复合薄膜袋等复合材料也适用于真空包装当世界各国都规定肉制品不能使用硝酸盐和亚硝酸盐作为防腐剂后,真空包装得到迅速的推广应用使用产品范围很广,如火腿香肠鱼糕咸菜调味鱼块鲜肉冷冻牛排可蒸煮袋熟肉制品烘烤食品果品土特产品药材等后来推广到医疗器械药品的无菌包装化学品精密仪器服装五金产品电子元件军工产品等各种固体粉末装物体液体固液混合体包装人们膳食结构的调整和饮食习惯的改变,我国经济持续发展,促使了食品加工的快速发展,增加了高品质的包装机械和食品加工机械的需求真空包装己经广泛的推广使用低成本智能化高品质是食品包装机械的发展趋势一台双室机可相当于两台单室机,但较两台单室机小,重量轻,可轮番作业,使准备工作与包装时间重合,因此较单室的工作效率较高,虽工作周期不变,但是排放包装件的时间与自动循环时间重合,效率可提高,成为真空包装机的又一主导产品目前国内现有的设备存在严重的缺陷,例如封口性能不好真空室密封不好包装袋的真空度不高四连杆带动上箱室的运动不平稳部件间连接不好机构不可靠等缺陷,达不到理想的生产状态鉴于这种情况,参考了一些相关的科技资料,在现有的设备的基础上,本次毕业设计对一种现有单盖双工位真空包装机进行了改进设计单盖双工位真空包装机的关键设备是热合部件和四连杆机构,它们决定了包装袋的封口性能因此这里所作的改进也是主要针对这两部分进行的由于实践经验的欠缺和知识的局限性,该设备的实际工作情况及可用性还有待于实践的检验三江学院2012届本科生毕业设计（论文）2第2章总体方案设计21单盖双室真空包装机的热封原理单盖双室真空包装机的热封原理如图11单盖双室真空包装机由上下室组成一个可以密封的真空工作室,包装袋袋口置于上下热合装置之间,先将真空室抽真空由于包装袋外围均被抽成真空,包装袋内的空气迫使袋口分离,从而使包装袋内向外抽气的通道扩大,包装袋内同时抽真空,保证包装袋内获得高的真空度然后热合部件的气囊充气膨胀迫使热合条下行,包装袋口被夹紧并热封冷却12秒,空气重新进入真空室,上室打开后取出包装袋22单盖双室真空包装机的工艺流程一般来说,真空包装的工艺流程图如下23总体方案的确定根据现有的材料,单盖双工位真空包装机的热合部件真空室底部形状平衡机构各部件有多种方案,现针对各个部件不同的方案做如下比较231热合部件单盖双工位真空包装机的热合部件在真空室的安装位置有两种一种是热合部件安装在真空室的上工作室中因真空室的抽气口在两个真空室之间,应用二位三通阀,则可通过切换来改变所充气的去向,此时阀数和单工位包装机相同节省器图21图22三江学院2012届本科生毕业设计（论文）3件,充分利用空间,又能大大提高了生产效率同时气路电路安装在上工作室,避免了与包装物的接触,在使用中安全不易损坏,减少了维修消耗另一种情况是小气室安装在真空室下工作室,这时不能共用小气室阀,两个真空室都必须有小气室,相应要增加一个小气室器件数量增加,气路电路也将复杂,包装溢出物会影响电路安全,电路器件易损坏,成本也相应增加因此本设备采用热合部件安装在真空室的上工作室中的结构232真空室的下工作室形状单盖双工位真空包装机的真空室底部的形状分为有腔室和无腔室由于真空室上工作室安装有热合部件,其形状为箱室,有足够的空间来容纳要热封的物品,下工作室的形状为无腔室更为适合热合部件支撑安装在无腔室的真空室底部上,能更好的与上盖的热合部件配合,同时无腔室的底部,方便清洁打扫卫生,便于取出真空包装好的包装物品有腔室的真空室底部,需要安装较高的热合部件的支撑,对于从包装袋中溢出物的清洁带来很大的不便,而且真空室下箱加工制造比较复杂,同时取出加工好的包装物品的时间有所增加因此本设备采用真空室的下工作室的形状为无腔室的结构233平衡机构单盖双工位真空包装机采用四连杆机构来开闭真空室盖,平衡机构一般装在四连杆机构下部的轴上平衡机构有单拉簧机构和双拉簧机构单拉簧机构如图13,拉簧7的上端通过横臂6,摇臂5与连杆轴4相连,拉簧的下端与机身相连,连杆3在拉簧7的作用下,始终被拉向垂直位置,此时真空室盖处于最高部位拉簧对连杆轴产生的力矩与盖子的重力矩大体平衡四连杆机构的双边尺寸长短一致弹簧拉力适当真空室上平面与盖子下平面的平直度较好双拉簧机构如图14,有两个在同一中心线上的拉簧3,一端通过摆板4与连杆轴5相连,另一端与真空室下方的支架2相连当无外力作用时,两拉簧中心先重合,连杆6处于垂直位置,真空室盖处于最高部位当盖子向左时,轴5逆时针旋转,弹簧产生一个力矩,其方向与盖子重量产生的力矩相反,大小基本平衡向右盖时,情况亦同,仅方向改变了而己双拉簧机构使得真空盖的运动更加平稳图23三江学院2012届本科生毕业设计（论文）4经过比较,本设计采用双拉簧机构作为平衡机构24主要零件的定型单盖双工位真空包装机的热合部件平衡机构四连杆机构是整个设备的核心部分,虽然前面已对各方案有了一个初步的选择,但只是一个大致的轮廓,这里将做详细的说明这项设计的主要指导思想是其实用性,要求结构尽量简单,各尺寸尽量小,易于工人操作由在收集资料和调研过程中我们了解到,真空室的绝对压强为1332PA在真空室抽真空的过程中,良好的气密性在生产过程中不能很好的保证,影响真空包装的效果另外,四连杆机构带动上工作室运动不平稳,对真空室的包装效果也影响机器的动力部分运转时不会有大的问题,只要安装调试好就行对于传动不复杂的设备,一般不宜放在远离机器处,而应尽量靠近机器或者就放在机架上这样还可以省去防护罩针对以上的考虑,单盖真空包装机各部件的结构如下图24图25三江学院2012届本科生毕业设计（论文）5241四连杆机构及真空室的设计1包装机特征参数的确定单盖双工位真空包装机四连杆运动示意如图14所示连杆上端铰接在上工作室上,下端铰接在机架上,两个下工作室公用一个上工作室,且上工作室为平面运动当上工作室移到左下工作室时,左下工作室开始工作,移到右下工作室时,右下工作室工作图中各变量的定义如下上工作室内部的长宽高为LWH热条总成长高为L1H1杆长度为R1连杆下铰链点距上工作台的距离为Y上铰接点距上工作室下端面的距离为A上工作室壁厚为当上工作室分别在左右工作位置时,上工作室的左面与右面之间的距离1P11/2,YA为上工作室左外缘P1A运动时的圆心P21/2YA为上工作台内缘P2A运动时的圆心Q1L111/2,H1为左加热条总成的左上角Q2L111/2,H1伪右加热条总成的右上角2上工作室最优位置的确定在单盖双工位真空包装机设计时,应满足上工作室的内缘不碰加热条总成和工作室的外缘不碰另一工作室的加热条总成的条件下,使包装机总长度最小,从而达到节省材料的目的上工作室的内缘与加热条总成不碰到的临界条件是|P2P2A|P2Q2|R1MIN212121/AYHL）下工作室的内缘与加热条总成不碰到的临界条件是|P1P1A|P1Q1|R1MIN222121/L）为了使加热条总成与上工作室内缘与外缘的最小间隙相等,应使|P2P2A|P1P1A|23把1和2式代入3式,得到下式1在其它尺寸不变的条件下,讨论一下3种情况A当1时,则|P2P2A|P1P1A|即要使内不碰加热条总成所需要的连杆长度比外缘不碰加热条总成所需要的连杆长度要长,因为包装机的连杆只有一个,因此在1的情况下逐渐的缩短连杆的长度,工作室的内缘先碰到加热条总成三江学院2012届本科生毕业设计（论文）6B当1时,则|P2P2A|P1P1A|,即要使外缘不碰加热条总成所需的连杆长度比内缘不碰加热条总成所需的连杆长度要长C当1,则|P2P2A|P1P1A|,即内外缘不碰加热条总成所需要的连杆长度是相同的,内缘碰,则外缘也碰,内缘不碰,则外缘也不碰加热条总成在内缘和外缘的轨迹中心通过上述分析,情况A要满足内缘不碰加热条总成则需加长连杆情况B要满足外缘不碰加热条总成,则需要增加上工作室的长度因此A,B都不属于理想情况,使下工作室台面变长C是最优方案,使连杆的长度最短在加热条长度一定的情况下,下工作室台面长度最短1的含义就是当上工作室分别在左右工作位置时,上工作室的左面与右面之间要重叠一部分,重叠量为上工作室的壁厚上工作室的摆动位置确定了,则两加热条总成的位置也就确定了3被包装物的经济高度被包装物截面为矩形是最易被上工作室碰着的,现就以此情况进行讨论图中AD和BC为尺寸不同但周长相同的被包装物的包络线,DEFC为临界高度的被包装物截面被包装物的高度低于CF时,被包装物的包络线BC在上工作室内缘运动轨迹的下方,在此范围内,不碰加热条总成就一定不碰被包装物,只需考虑上工作室内缘不碰加热条总成即可被包装物超过CF值时,被包装物的包络线在上工作室内缘运动轨迹的上方,只需考虑上工作室内缘不碰被包装物即可,解决的方法是通过增大上工作室的长度来实现,使被包装物截面与真空截面之比得到降低,包装机工作的经济性下降了除了特别需要,一般把CF作为包装物的最大高度,上工作室的深度H也不应超过此值因此以后只考虑加热条总成与上工作室之间间隙,而不必考虑被包装物与上工作室的间隙4主要参数的计算公式A连杆长度的计算公式在计算R,以前,应先确定连杆的下铰接点离下工作室台面的距离和上铰接点距上工作室下端面的距离A的值的值越小越好,其中有两个方面的原因,一是Y和A越小,在加热条长度一定的情况下连杆的长度就越短,节省材料另一个更重要的原因是Y和A越小,上工作室内缘的轨道在加热条总成Q2附近的切线与Y轴之间的夹角就越小,碰加热条总成的可能性就越小由于结构和强度的限制,Y和A的值不能太小有1和4式可得到|P2Q2|R1MINA24221AYRR1R1MIN式中加热条总成与上工作室内缘最小间隙三江学院2012届本科生毕业设计（论文）7B上工作室内部长度的计算公式上工作室工作于右端时,连杆构成一直角形,满足以下方程R12YA211/22求解方程得到L2A25221AYC最大包装高度和上工作室深度的计算公式被包装物的尺一寸长宽LPHP被包装物的封口长度为被包装物周长的一半,即LPHP加热条封口长度应大于等于被包装物的封口长度,临界情况为L1LPHP26B的坐标为111/2,0,BC的斜率为2,BC方程为Y2X1L127上工作室在右端工作时,上工作室右内缘坐标为P2BL/2,0上工作室在右内缘运动的轨迹方程为X1/22YYA2R1228联立7式和8式,得到如下方程5Y28YA211YL124YA24R120求解此方程,Y即为最大被包装物的高度CB用HMAX表示,上工作室的深度H1应小于H1MAX5计算所得参数经过计算得本四连杆单盖双工位真空包装机的参数如下四连杆机构中的摇杆长度为300MM上箱室的长度为600MM,宽度为500MM,高度为180MM连杆下铰接点距离上工作台面的距离为755MM连杆上铰接点距离上工作台面下端面的距离为45MM242四连杆机构的工艺说明针对原有机型在生产中,四连杆机构带动上箱运动常出现不平稳的情况,本设计进行了改进设计下真空室分为左右两个工作室,上真空室由四根连杆支撑左右位移,四根连杆固定在两根长轴上,长轴上有拉簧拔叉,两根拉簧下部定位于机架上,上部定位于拉簧拔叉上,起到平衡操作重力的作用,两根长轴的两端端由四组轴承轴承座定位,四根连杆上部也镶有选自CAXA图形库中GB/T2761994深沟球轴承160000型,故左右位移非常轻松,真空启动时稍加压力,回气结束后能自动开启支撑位移上真空室的四根连杆,每根长轴上的前后两根,必须保持平行,左右两组两杆也必须相对三江学院2012届本科生毕业设计（论文）8保持平行,以确保上真空室在左右任何位置均同下真空室保持平行,否则,造成上下真空室不能保持平行,则操作压力明显加大,严重时会漏气,不能正常建立真空摇杆的加工参见图纸DZD4500107243单盖双工位真空包装机的气路设计真空包装机的核心是真空气路系统,它是由真空泵真空表接头和阀组成,是具有所抽气功能的装置有如下的特点A工作程序抽真空充气热合冷却等程序比较复杂,灵敏迅速协调,以要求完成动作为主,精度则要求不高B工作环境要达到卫生标准,对产品无污染C各指导元件,动作程序是按时间调控的循环控制系统1主要参数计算A抽气时间与真空度规律与真空包装机配套的泵是容积式旋片泵对一定体积的容器进行抽气容积压强随时间变化是按照指数下降设被抽真空室的体积为V,泵的抽速为S根据抽速定义经过DT后抽除气量为PSDT,而容积内的压强变化为DP,抽除气体量为DPV,显然这两个应复量应相等,建立微分方程PSDTPDTVTPKSLN初始条件T0KPO760T代入上式理想状态抽气时间与真空度成几何规律变化TSVLNB真空室放气时间的计算,即时间与气口直径的关系放气现象实质上是一种分子运输现象,放气时间与扩散管道直径成反比,与真空室容积成正比TKV/A2VLDMMTSK常数,通过气态扩散微分方程得K45因而T45V/D2K系数与扩散管道长度和温度有关系,K45是常温20摄室度管道长不大于200MM条件下计算所得2计算所得参数及相关器件的确定根据上工作室的大小结构,本设计所选真空泵的型号为2XZ4B50HZ选自三江学院2012届本科生毕业设计（论文）9WWWSVPWCOMCN该泵抽气的速率快,真空度高,一般适用于生产批量较大,真空度要求较高的产品与真空泵相连的管接头采用GB/T373711983，卡套式直通管接头，内径为8MM，外径16MM，数量为3。与管接头相配合的垫片及螺母采用GB/T91262003平面管法兰用非金属平垫片和GB/T8081988小六角特扁细牙螺母M16X33，数量为3。真空表采用轴向前边的,安装在操作面板正面采用60表,精度为25级3气路系统本设计采用电磁阀系统的气路系统,气路中的真空电磁阀通常采用两只,一只为5二位三通电磁阀,主要作用为控制热压封口装置上下位移工作另一只为15二位二通电磁阀,主要作用为真空热封结束后,打开通路,使大气回到真空室,否则真空室就不能开启气路系统的具体结构及工作原理见图纸DZD45004244热合条的参数确定在真空包装机的设计中,电热带的长度是由机型规格所确定的,是整机的基本参数之一电热带的宽度和厚度以及电热带的材质也是选定的因此热封系统的总电阻R由下式确定SL式中R电热带总电阻L电热带总长度P电热带材料的电阻率S电热带截面SBT式中B电热带宽度T电热带厚度在电阻R确定之后,决定热封功率的参数是电热带上的表面负荷所谓表面负荷是指电热合金元件表面上的单位面积所分担的功率数如果选用较大的表面负荷,电热带表面发出的热量大,温度高,所需加热封口时间短,相应的是使用寿命较短反之,如果选用较小的表面负荷,则电热带的表面温度较低,所需加热封口时间长,电热带的使用寿命也较长为了保证电热带的使用寿命,表面负荷不能太大,否则电热带将会发红,容易氧化,减少使用寿命根据实际使用经验,电热带厚度T一般以01502MM为宜,如小于015MM,则电热带的刚性差,在承受较大的表面负荷时,容易起皱,甚至断裂如果T选用较大,则电热带截面积S增加,使电阻R减小,电流I上升电热带宽度B减小,电流工上升电热带宽度B一般取1012MM为宜,B过大对塑料薄膜封口没有意义三江学院2012届本科生毕业设计（论文）10因此本设计的热合条的长度为规定参数为450MM选定热合条的宽度为10MM厚度为015MM。245热合部件结构的确定整个热合部件的结构确定如下聚四氟乙烯具有优异的化学稳定性,与强酸或氧化剂均不起作用,有很高的耐热性,耐寒性,使用温度180至250摄氏度,摩擦系数很低,是很好的自润滑材料缺点是机械性能较低,弹性刚性差有冷流动性,热导率低,热膨胀大,耐磨性不高主要用于耐化学腐蚀,耐高温的密封元件,如填料,衬垫,涨圈,阀座,阀片,也作用于输送腐蚀性介质的高温管道,耐腐蚀衬里,容器以及轴承导轨无油润滑活塞密封圈等导热层，选自JB/T66272008，聚四氟乙烯布，厚度LMM,有效使用宽度为10MM,有效使用长度为450MM，购买材料长宽自定。隔热层，选自GB/T164002003，硅酸铝棉布,厚度2MM，有效使用宽度为10MM，有效使用长度为450MM，购买材料长宽自定。电热带条，选自GB/T198352005，NI80CR20,厚度2MM，宽度为10MM,长度为450MM，数量2。电热带座，耐高温胶膜木板，高宽为29MM10MM，长度为450MM,数量2。固定用的螺钉，选自国家标准GB/T1585612002，十字槽盘头自钻自攻螺钉,ST2913，数量20。支撑电热带座处的L型钢板，为不锈钢304，厚度长度为2MM400MM。支撑电热带座处的L型钢板处的紧定螺钉螺母，选自GB7012000，内六角圆柱头螺钉,M518,GB/T8021988组合式盖形螺母,M5,数量6保护气囊的钢板,厚度长度2MM500MM支撑整个热合器的钢板,厚度3MM。机械设计手册第一卷3165页表3425气囊为涂胶水带内径32MM,选自浙江临海华丰塑料制品厂主要产品有各种规格型号表宝塔嘴管材料选用不锈钢1CR18NI9TI加工参见图纸DZD4500601，数量为2。所配用垫片选自国家标准GB/T91262003平面管法兰用非金属平垫片DN16PN20，材料是氟橡胶,数量2。紧定螺母选自国家标准,GB412000，六角螺母C级M12，材料是不锈钢304所接的空气橡胶管内径10MM选自机械设计手册第一卷3361页表375硅橡胶条性能为硅橡胶是一种新型的高分子弹性材料,有极好的耐高温三江学院2012届本科生毕业设计（论文）11250300和耐低温4060性能,有良好的生理稳定性,而且能够经受反复多次苛刻消毒条件,具极佳的回弹性和永久变形小,20048小时不大于50击穿电压为2025KV/MM,耐臭氧,耐紫外,耐辐射等特点,特种硅橡胶具有耐油性能主要应用于燃油润滑油液压油系统的泵用密封圈油封供氧系统的密封圈隔膜阀门各种阻燃硅橡胶条件等详情参见图纸DZD45001和DZD45002三江学院2012届本科生毕业设计（论文）12第3章设计说明31润滑和密封由于本设备的结构特点,受力不大,根据机械设计手册第四卷339,选择轴承的润滑,一般选用脂润滑,采用毡圈和橡胶垫片来密封至于各种现成的标准件,采取于之相应的润滑措施32使用维护和
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