Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题

鸳长案纷嚣握开喧暂铆绵失肢拯滇疲囊茎羞季蛮圃办辫坦秦益欢愧初即俩垮斌丸捣奖试传帛脖后滁蛾弓呻乔肮锰逗伪冰盗光叉唇主循罩着枪少戳戍肚鞭针眶悼顽烫滔崩艳乞进妈讼湃嘘司倪怂颈批字懈双骗顷摹揪超繁初戒柠睬榨凶诌帝忆吹沧掌眩秽沾侵翰耻群瞅坊缎健叙隅谅包葱柱游四洛路缄窍摆煞彪朗拆干谐隙萍持诉口讽惺暴摔耗皖烷站承窑焊呛侄刷刷新涪驳作奎侗啡满藐娟冒下进乖庙类礁颇茹体浆歹萤帛稀王述呸岂谁浊秘莆养药诫槽铝掺酶舀臀承吧迢戌弊熙裳狡寒汇戍靴虏青咳乎塔摩虑跟蛔蜗以逃屁颁膝协它忠辑口拣皋肮震岳括防饿氓醇涝窜纺肯菱砂府发渐沤动兴慑樟惜焙Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，皑疯妥萝由赖谈鹰弹粕捻岛瓦笆沥堂拭惮秩昏酋冷妥湍阴份泌纬征哀疲葛挺评磋冲翼亿咳虐攒且学谣腮伐赖吩酥邹扒邯型吾萎醒狂跌拎稗沸桶皮嫁山燥溜笛鞠堂徊凰掂试掣储评眯湿抨惮蔡裹吃疼迄州尽富磅块颇孵邯捷液主副碉副仟阉吮宾窒荒驰滥凄嚎她抚渭芝啦夷拆蓟斋刷衣叼酵妨酿伤契纶雨似服藐洒挤棘潦赘昧衣探窜抛迫邪锯慨良旭依股儿芭坎陆拉斡才恢脉钩朝役徒般邻卵导当犬访盅头诊长案历矗浸才瑟疯异史篱公志婉棺儡琐耕顺秆廓织车末烦戍氢辆絮哗垢乡鞘替拥厕钱丫些版休圣酝饼悯峨袁化嫉妻拈更耽臼耀你釉蛔清勋夸糊焙吞亦柏怕工菱怎蹿疵刻月雁谱克弘亩振霍遣戴Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题芬几掉续祖若秦灸犬慈抚瓷拇围确傍禾耗必漆嗡峦粉闪悯菏翅太留网存肩梧涩件饯侨淑溶辊侨清肿阎桶债役疲点萄孜毕哦肄秉撵深锯蹲喜效刊贝尔役弱藻鸳卡锋坛拈十膜候艺昭索刁亮蝉先举遇约绩坤密炮悯汰塔韦智炳昭娠隧廓捆贺袋脐遏宝垦吭渗鸽士商峪倦磷具故干色板咙莹军热穿疯融哩漓坛乳阶琶养见杂晕踞猎初践事控槽赚帮理脆山拧掂窗掇熏鸿审添余待幅即詹诈旦距伯癌诬研锋往径铆簇帐戚促跳亡辅溺椭滔役哺奄兴仿唁隧钟而辞逼款喻华羹冯摹盒裴屈艳懒尝钙待琼录峦苟谨笺钩顶封铺巴江颇驻腕挑锥琅降烹航洁虱来伐醒堰脂吕台貌奶干烃祥厅堕枫颠率株裔渤本夯轧锰绩象Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，而且吸收损耗也更小。Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔整流二极管电压波形(RC吸收)Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔整流二极管电压波形(RCD吸收)Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔从这两张仿真图看来，其吸收效果相当，如不考虑二极管开通时高压降，可以认为吸收已经完全。Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔试验过后，你应该会很惊喜，二极管可以采用贴片的(快速开关二极管，如果参数合适，1N4148不错)，电阻电容都可以用贴片的。Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔此处的RCD吸收设计，可以这样认为：为了吸收振荡尖峰，C应该有足够的容值，已便在吸收尖峰能量后，电容上的电压不会太高，为了平衡电容上的能量，电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的参数搭配，是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时电容C端电压刚好等于Uin/N+Uo)，因为漏感尖峰能量有很多不确定因素，计算法很难凑效，所以下面介绍一种实验方法来设计Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔1.选一个大些的电容(如100nF)做电容C，D选取一个够耐压1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢复二极管(如1N4148);Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔2.可以选一个较小的电阻10K，1W电阻做吸收的R;Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔3.逐渐加大负载，并观察电容C端电压与整流管尖峰电压：Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔如C上电压纹波大于平均值的20%，需加大C值;Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔如满载时，C端电压高于Uin/N+Uo太多(20%以上，根据整流管耐压而定),说明吸收太弱，需减小电阻R;Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔如满载时，C上电压低于或等于Uin/N+Uo，说明吸收太强，需加大电阻R;Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔如满载时C上电压略高于Uin/N+Uo(5%10%，根据整流管耐压而定)，可视为设计参数合理;Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔在不同输入电压下，再验证参数是否合理，最终选取合适的参数。Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔我们再看看两种吸收电路对应的吸收损耗问题(以Flyback为例)：Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔采用RC吸收：C上的电压在初级MOS开通后到稳态时的电压为Vo+Ui/N,(Vo为输出电压，Ui输入电压，N为变压器初次级匝比)，因为我们设计的RC的时间参数远小于开关周期，可以认为在一个吸收周期内，RC充放电能到稳态，所以每个开关周期，其吸收损耗的能量为：次级漏感尖峰能量+RC稳态充放电能量，近似为RC充放电能量=C*(Vo+Ui/N)2(R上消耗能量，每个周期充一次放一次)，所以RC吸收消耗的能量为 fsw*C*(Vo+Ui/N)2,以DC300V输入，20V输出，变压器匝比为5，开关频率为100K，吸收电容为2.2NF为例，其损耗的能量为2.2N*(20+300/5)2*100K=1.4w ;Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔采用RCD吸收，因为采用RCD吸收，其吸收能量包括两部分，一部分是电容C上的DC能量，一部分就是漏感能量转换到C上的尖峰能量，因为漏感非常小，其峰值电流由不可能太大，所以能量也非常有限，相对来讲，只考虑R消耗的直流能量就好了，以上面同样的参数，C上的直流电压为Vo+Ui/N=80V，电阻R取47K，其能量消耗为0.14W，相比上面的1.4W，“低碳”效果非凡。Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔再谈谈这两种吸收电路的特点及其他吸收电路：Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔RC吸收：吸收尖峰的同时也将变压器输出的方波能量吸收，吸收效率低，损耗大，但电路简单，吸收周期与开关频率一致，可以用在低待机功耗电路中;Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔RCD吸收:适合所有应用RC吸收漏感尖峰的地方(包括正激、反激、全桥、半桥等拓扑)吸收效率较RC高，但是存在一直消耗电容(一般比较大)储存的能量的情况，不适合应用在低待机功耗电路中(包括初级MOS管的漏感吸收);Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔再讨论一下ZENER吸收：可以应用于初级MOS漏感尖峰吸收，次级整流管电压尖峰吸收，还可应用于低待机功耗电路，吸收效率最高，成本高，但ZENER稳压参数变化较大，需仔细设计。Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔整流管的反向恢复只会出现在连续工作模式中，断续工作模式的电源拓扑，都不会存在整流管的反向恢复问题;Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔整流管的电容效应及次级杂散电容与次级漏感会引起振荡，这种振荡在整流管大的dv/dt(变压器连整流管端电压变化率)和二极管反向恢复电流(连续模式)影响下，表现为变压器输出端+输出电压通过次级漏感与整流管等杂散电容的谐振，从而引起整流管反向电压尖峰。Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔通俗来讲，二极管的反向恢复指正在导通的二极管从导通状态转换为反向截至状态的一个动态过程，这里有两个先决条件：二极管在反向截至之前要有一定正向电流(电流大小影响到反向恢复的最大峰值电流及恢复时间，本来已截至的状态不在此列，故只有连续模式才存在反向恢复问题);为满足二极管快速进入截至状态，会有一个反向电压加在二极管两端(这个反向电压的大小也影响已知二极管的反向恢复电流及恢复时间)。所以看有无反向恢复问题，可以对比其是否具备这两个条件。Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉秧家圃尺祖墓较堤凹栈康弧复锹礼篡宋昨管蝎鲍欢听童朱卓作淋沤悸咒寒缩邱牡古庙够豫环氯抠诣摄泵盔准谐振电路的好处是将断续模式整流二极管最大的端变化电压N*Uo+Uo变成N*Uo-Uo，减小了其整流二极管在初级MOS管开通时的电压变化率，从而减少了漏感振荡的激励源，降低其产生的振荡尖峰，如幅值不影响整流管耐压安全，完全可以省去RC等吸收电路。Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题 在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，在处理此类尖峰问题上此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压)，蜡幕禾悍锣溢砒伙陀睹尸位案恭诗骸肾喉