西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题.doc

西南科技大学 模拟电子技术试卷十1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题分，共分)（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B )A.正向导通状态B.反向电击穿状态C.反向截止状态D.反向热击穿状态(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( )2V8V2.2V图1A.PNP型硅管B.NPN型锗管C.PNP型锗管D.PNP型硅管(4 )温度上升时，半导体三极管的( A )A.和ICEO增大，uBE下降B.和uBE增大,ICEO减小C.减小，ICEO和uBE增大D.、ICEO和uBE均增大(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|1的只可能是( ) A.共集电极放大电路B.共基极放大电路C.共漏极放大电路D.共射极放大电路(6 )在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是( )A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈(7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( )A.Au等于各级电压放大倍数之积B.Ri等于输入级的输入电阻C.Ro等于输出级的输出电阻D.Au等于各级电压放大倍数之和(8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻RE，可以提高电路的( ) A.|Aud| B.|Auc| C.Rid D.KCMR(9 )电路如图2所示，其中U2=20V,C=100mf。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压Uo( )。 + _ + D4 TR D3 Uo D2 U2 + CD1 U1 （图2） _A.24V B.28V C.-28V D.-18V(10 )在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是( )。A.迟滞比较器B.零比较器C.三态比较器D.窗口比较器2.填充题(每格1分，共20分)(11 )当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真为 失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 失真，这两种失真统称为 失真或 失真。(12 )半导体三极管属 控制器件，而场效应管属于控制器件。 (13按结构不同场效应管分为 型和型两大类。(14 )集成运放内部电路实际是一个 、 、 放大电路。(15 )直流稳压电源由 、及 四个部分组成。(16)按幅频特性不同，滤波器可分 滤波器、滤波器、 滤波器、滤波器及 滤波器等五种。3.分析计算题(共60分)(17)电路如图所示。已知RB1=50K,RB2=10K,RC=6K,RE=750,信号源内阻RS=5K，负载电阻RL=10K,电源电压+VCC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大，晶体管的b=99,rbe=1k,UBE=0.7V。试求：Rs + uous C2 RC RE RB2RL RB1 C1 Tui +Vcc + (a)电压放大倍数Au(= )及Aus(= );(b)输入电阻Ri和输出电阻Ro。(18 )电路如图4所示。已知RB1=RB2=RB=1K,RC1=RC2=RC=10K,RE=15K;RW=100,且其滑动端在中点；T1和T2和的性能一致，1=2=100,rbe2=rbe2=rbe=2k;+VCC=+12V,-VBE=-12V。试求：(a)Aud及Rid;(b)电路改成从T2的集电极与“地”之间输出时的Auc及KCMR。 RL +VCC T1 T2 C + uo + _ + _ ui (图) ui +VCC RC1 RC2 T1 T2 RB2 RW RE -VBE uo + _ （图） + R5 R3 R6 R4 A1 A2 R1 A3 a ui2 ui1 b A4 uo uo1 uo2 R2图（6）（19）电路如图5所示。已知：VCC=40V,RL=8， 输入电压ui=20+10sint(V)，电容器C的电容量足够大。试求uo、输出功率Po、电源消耗功率PV及能量转换效率。(20 )电路如图6所示。其中R1=R2=R3=R4=R5=R6，各集成运放的性能均理想。试求o1、uo2及uo的表达式。 R5 R3 R6 R4 A1 A2 R1 A3 a ui2 ui1 b A4 uo uo1 uo2 R2(21 )电路如图7所示。已知：R1=R2=R3=RW=1k，DZ提供的基准电压UR=6V,变压器付边电压有效值( U2 )为25V,C=1000f。试求UI、最大输出电压UOmax及最小输出电压UOmin，并指出UO等于UOm