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文档简介

宋晨之20150202 EBL基本结构与工作原理 EBL ElectronBeamLithography 电子束光刻 一 电子束曝光系统结构 column 电子源的分类 直热式W 2700K热发射电子源旁热式LaB6 1800K电子源热场发射ZrO W 1800K场发射电子源冷场发射 四种电子源对比 电子源三个关键参数 有效源尺寸 亮度 电子能量分布热发射源能量分布大 聚焦斑束大 产生严重相差 冷场致发射稳定性差 对真空要求高 故EBL系统选用热场致发射源 旁热式 热场致电子源结构示意图 阳 地 超高电场 阴 阴 阳 EBL中电子源结构示意图 几个牌子的EBL性能参数 二次电子探测器 Detector Illustrationswithdifferentsignalsources ImagingbymeansofSE2detector 5mmWDImagingbymeansofInlensdetector 10mmWD dependingonhighvoltagesetting ImagingbymeansofBSEdetector 8 10mm OptimumoftheBSelectrondetection InfluenceofAccelerationVoltage InfluenceofBeamCurrent InfluenceofWorkingDistance 二 坐标系的对准 建立坐标系 写场对准 三 曝光 扫描模式 Exposureparameter Areadose Linedose Dotdoes Areamode Linemode Circlemode ExposurestrategiesUsedbyRaith 四 临近效应 VisualizationofEnergyDepositionGrid EDG 高能电子打断PMMA内高分子链示意图 前散射和背散射随PMMA厚度的变化关系 MonteCarloSimulations Energydeposition Proximityfunction trajectories energydeposition energydistribution doubleGaussian Proximityfunction proximityfunctionhasthesameshapeasenergydistributionwithrespecttolateraldistancesbut nodirectrelationbetweenenergyandPE it sjust
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