第二章第4讲材料科学与工程基础(顾宜ppt课件VIP

.,2-6固体中的原子无序,ImperfectionsinSolidsDefectsinCrystalsPoint,vacancyandself-interstitialFrenkelandSchottkydefect,StoichiometryLinear,edgeandscrewdislocation,BurgersVectorInterfacial,BulkSolidSolution(alloys)substitutionalandinterstitialNoncrystallineDiffusion,Chapter5,.,2-6固体中的原子无序(ImperfectionsinSolids)2-6-1固溶体(SolidSolution)：杂质原子（或离子、分子）均匀分布（溶）于基质晶格中的固体通常特征：杂质和基质原子共同占据原基质的晶格点阵；有一定的成分范围-固溶度1.根据相图划分：1)端部固溶体(初级固溶体):包括纯组分的固溶体相图端部2)中部固溶体(二次固溶体):0任一组元100相图中部（无任一组元的结构，以化合物为基）,.,返回上页,.,2.根据溶质在点阵中的位置划分：1)置换型固溶体(Substitutionalsolidsolution)：晶体原(离)子被其它原(离)子部分代换后形成,置换量不同可：完全互溶；,不形成固溶体,部分互溶；,Figure5.5,.,影响置换因素：下列诸因素相同（近）易置换；否则难成固溶体A.离子大小:同晶型时半径差15，完全互溶2040%，部分互溶难置换,.,2）间隙型固溶体(Interstitialsolidsolution)：较小的原子进入晶格间隙形成的固溶体,影响因素：A晶格结构的空隙大小B间隙离子进入后需空位或其它高价反电荷离子以置换方式平衡电中性。,Figure5.5,.,固溶体的判断,.,3）非化学计量化合物(Nonstoichiometric)：组分比偏差于化学式的化合物（含变价离子）,实质是由金属的高氧化态和低氧化态形成的固溶体其电中性(electroneutrality)由空孔或间隙离子平衡,Figure5.4,.,3.根据固溶度划分：1)有限固溶体：固溶度100%2)无限固溶体(连续固溶体)：固溶度0100%,2)有序固溶体：各组元原子分别占据各自的分点阵，分点阵穿插成复杂的超点阵,.,2-6-2晶体结构缺陷(DefectsinCrystals)晶体中原子排列的周期性受到破坏的区域，分：1.点缺陷(PointDefect)：任何方向尺寸都远小于晶体线度的缺陷区,空位(vacancy)：(a)无原子的阵点位置,间隙原子(Self-interstitial)：(d)挤入点阵间隙的原子,肖特基缺陷(SchottkyDefect)：(c)离子对空位,弗兰克尔缺陷(FrenkelDefect)：(e)等量的正离子空位和正离子间隙,(b)双空位,.,EXAMPLEPROBLEM5.1Calculatetheequilibriumnumberofvacanciespercubicmeterforcopperat1000.Theenergyforvacancyformationis0.9eV/atom;theatomicweightanddensity(at1000)forcopperare63.5g/moland8.40g/cm3,respectively.SOLUTIONThisproblemmaybesolvedbyusingEquation5.1;itisfirstnecessary,however,todeterminethevalueofN,thenumberofatomicsitespercubicmeterforcopper,fromitsatomicweightACu,itsdensity,andAvogadrosnumberNA,accordingto,.,.,Figure5.3,.,2.线缺陷(位错Dislocation)：仅一维尺寸可与晶体线度比拟的缺陷一或数列原子发生有规则的错排,EFBB,1）棱位错(刃位错EdgeDislocation)位错线与滑移方向(柏格斯矢量)垂直,压力、拉力,.,Figure5.7,.,2）螺旋位错(ScrewDislocation)：位错线与滑移方向(柏格斯矢量)平行与位错线垂直的平面在螺旋斜面受剪切力作用易发生,ADBB,.,FIGURE5.8(,.,位错有两个特征：一个是位错线的方向，它表明给定点上位错线的方向，如EF，AD，用单位矢量表示，另一个是为了表明位错存在时，晶体一侧的质点相对另一侧质点的位移，用一个柏格斯矢量b表示。它是指该位错的单位滑移距离，其方向和滑移方向平行,b=0相互垂直，纯棱位错b=-b相互逆向平行，纯螺旋位错,.,柏格斯矢量(BurgersVector),柏格斯回路,.,右手规则：拇指-位错线方向四指转向-柏格斯回路转向,.,.,混合位错,FIGURE5.9,.,位错密度：nl/Al=n/A,FIGURE5.9,.,滑移外力推动,.,3.面缺陷(InterfacialDefects)：仅一平面方向上尺寸可与晶体线度比拟的缺陷如由一系列刃位错排列成一个平面形成的缺陷,.,2-6-3非晶体(Noncrystalline)1非晶材料：结构在体积范围内缺乏重复性的材料（非晶型、无定形amorphous）无平移对称，无长程有序，原子位置排布完全无周期性，具有统计规律。（密乱堆垛，无规网络等）,.,2分布函数：径向分布函数：J(r)=4r2(r)双体分布函数：以某原子为原点，距离r处找到另一原子的几率g(r)=(r)/0(r)为r处原子的数目密度；0为整个样品的平均原子数密度,可求两个参数：配位数：第一峰面积原子间距：峰位置,.,.,3、非晶态结构模型,微晶（不连续）,无规拓朴（连续）,.,除四面体外，有八、十二、十四面体：6%，4%，4%密度上限：0.637（真密堆：0.74）,A.硬球无序密堆,致密度,.,B.无规网络(二氧化硅玻璃),桥氧键角变化较大,.,2-6-4扩散(Diffusion)1扩散现象：原子（或分子）通过热运动改变位置而移动,Chapter6,.,1)自扩散(self-diffusion)：纯固体中，同种元素的原子从一个点阵位置移动到另一个点阵位置,2)互扩散(interdiffusion)：不同种元素接触后原子相互移动换位,.,3)扩散的原因原子不是静止的；原子围绕其平衡位置进行小振幅的振动；部分原子具有足够振幅，位置移动。温度影响扩散；晶体中的缺陷类型和数量影响扩散。,间隙扩散(InterstitialDiffusion)：间隙式固溶体H,C,N,O,直接交换机制：极难，很少发生下页,.,Figure6.3,.,扩散通道：沿位错、晶界、外表面,扩散的激活能(ActivationEnergy)Q：扩散系数(DiffusionCoefficient),D=DoeQ/RT,金属,Section6.5,.,金属的扩散激活能(kcal/mol),TmQ,.,离子材料的扩散激活能,空位机制,.,掺杂:中温时少量杂质能加速扩散,NaCl中加CdCl2后钠离子扩散系数的变化,.,2）非晶体无序结构，有空穴，通过自由体积进行（缺陷）。在长链聚合物中（高分子）扩散有：自扩散：包括分子链段的运动，并且与材料的粘滞流动相关。外来分子的扩散：关系到聚合物呈现的渗透性和吸收性能。渗透性：高分子膜的分离，耐腐蚀性，分子间隙吸收性：引起溶胀，化学反应。,.,4扩散的数学模型稳态(Steady-state)：单位时间内通过垂直于给定方向的单位面积的净原子数（通量），不随时间变化Fick第一定律：Jx=-Dc/xJx：扩散通量(DiffusionFlux)D：扩散系数，cm2/s(DiffusionCoefficient)c/x：浓度梯度(ConcentrationGradient),Section6.3,.,Aplateofironisexposedtoacarburizing(carbon-rich)atmosphereononesideandadecarburizing(carbon-deficient)atmosphereontheothersideat700.Ifaconditionofsteadystateisachieved,calculatethediffusionfluxofcarbonthroughtheplateiftheconcentrationso