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文档简介

VLSI设计基础,第5章单元库设计技术(2012),(2),单元库设计技术是当今VLSI设计的主要技术之一,借助这个设计技术可以获得性能优越的VLSIC。单元库是“专家系统”,是由经过精心设计和优化的电路单元模块所组成,单元库提供了性能优越的“高级”设计平台,使我们的设计建立在高水平的设计基础之上。,(3),本章概要:,单元库概念标准单元设计技术积木块设计技术,(4),单元库技术所面对的直接是逻辑部件,即具有一定逻辑操作和运算功能的部件,它可能是一个逻辑门或是一个功能块,甚至是一个功能相对完整的子系统。,单元库设计技术的目标:全局和局部都被优化。全局优化是由设计系统对逻辑单元进行布局和布线优化迭代完成,生成符合某些目标函数要求的设计结果。局部优化则是通过对基本逻辑单元精心设计完成,两者的结合才能得到满意的设计结果。,5.1单元库概念,.1,(5),.1,5.1单元库概念为什么要采用单元库技术?,(6),示例:,.2,(7),5.2标准单元设计技术标准单元描述,标准单元设计技术,是指采用经过精心设计的逻辑单元版图,按芯片的功能要求排列而成集成电路的设计技术。标准单元具有下列特征:具有相同的高度,可以具有不同的宽度;单元的电源线和地线通单元的上下端,从单元的左右两侧同时出线,电源、地线在两侧的位置相同,线的宽度一致;单元的输入/输出端安排在单元的上下两边,要求至少有一个信号端可以在单元的上边和下边两个方向同时引出,各引出线的位置及间隔以某个数值单位进行量化。,.2,(8),.2,5.2标准单元设计技术标准单元描述,(9),.2,5.2标准单元设计技术一些示例:,(10),.2,5.2标准单元设计技术一些示例:,(11),AND-OR=AND-NOR-NOTAND-NOR,.2,5.2标准单元设计技术一些示例:,(12),由于标准单元的整体结构与门阵列相近,都采用“行式结构”,因此其总体结构的设计准则与门阵列的设计准则也相近。因为单元拼接以后,单元行的电源和地线实际上已经自动连在一起,因此,整体结构的电源、地线布线仅仅是对单元行外部进行。根据具体的逻辑,将相应的标准单元从单元库中调出,排列成行,根据相邻两行的需要,决定布线通道的宽度,进行布线和I/O单元的连接,即可完成具体集成电路的设计。,.2,5.2标准单元设计技术,(13),.2,5.2标准单元设计技术,(14),.2,单元行:,(15),对于每一个标准单元,在单元库中有相应的三个部分描述:单元逻辑符号,单元拓扑,单元版图。逻辑符号描述是一个图形符号,它代表一个逻辑。单元拓扑是对单元的外部尺寸和出线位置的描述。单元版图由人工设计,标准单元的版图和工艺选择、工艺水平关系很大。一套标准单元库只能对应一条工艺线。,.2,5.2标准单元设计技术标准单元库设计,(16),首先,对输入逻辑进行标准单元结构的布局,这时采用的是标准单元库中单元拓扑图。其次,根据输入逻辑的网络进行布线,得到连接关系图。最后,将单元版图填入单元拓扑,并将线网连接关系转换为具体的布线即线网的几何图形。而单元的逻辑符号仅仅是用于原理图编辑和模拟。,用标准单元技术实现集成电路或集成系统的过程,通常分为三步。,5.2标准单元设计技术标准单元库设计,(17),标准单元设计技术的特点:,1.标准单元是一个具有规则外部形状的单元,其内容是优化设计的逻辑单元版图,各单元的规模应相近,并遵循一致的引线规则。2.一个标准单元库内的所有单元遵循同一的工艺设计规则,一个单元库对应一条或一组完全相同的工艺线。也就是说,当工艺发生变化时,单元库必须修改或重建。3.不论是局部逻辑或是完整的集成电路或系统,用标准单元实现的版图采用“行式结构”,即各标准单元排列成行。,.2,5.2标准单元设计技术标准单元库设计,(18),任何一种设计技术、版图结构都需要输入/输出单元。大部分I/OPAD都是以标准单元的结构形式出现。这些I/OPAD单元通常具有等高不等宽的外部形状。,现代设计理论提倡将IC的内部结构和外部信号接口分开设计。所以,承担输入、输出信号接口的I/O单元就不再仅仅是压焊块,而是具有一定功能的功能块。这些功能块担负着对外的驱动,内外的隔离、输入保护或其他接口功能,这就要求将电源和地线通达这些I/OPAD。这些单元的一个共同之处是都有压焊块,用于连接芯片与封装管座,这些压焊块通常是边长几十微米的矩形。,.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(19),1.输入单元,输入单元主要承担对内部电路的保护,一般认为外部信号的驱动能力足够大,输入单元不必具备再驱动功能。因此,输入单元的结构主要是输入保护电路。输入保护分为单二极管、电阻结构和双二极管、电阻结构,还可利用PN结的击穿特性。主要目的是ESD(ElectrostaticDischarge)保护。,.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(20),.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(21),P阱,(22),有源区,(23),多晶硅,(24),P+区,(25),N+区,(26),引线孔,(27),金属,(28),复合图,(29),2.输出单元,输出单元的主要任务是提供一定的驱动能力,防止内部逻辑过负荷而损坏。另一方面,输出单元还承担了一定的逻辑功能,单元具有一定的可操作性。与输入电路相比,输出单元的电路形式比较多。主要的输出单元包括:倒相输出、同相输出、三态输出,以及金属掩膜编程的输入输出单元。,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),.2,(30),倒相输出I/OPAD,.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(31),.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),倒相器链驱动结构,(32),倒相器链驱动结构,为什么倒相器链驱动?,总时间:,由于每一级的驱动能力放大倍,N级倒相器的驱动能力就放大了倍,所以。,?,每级比前级放大f倍,.2,(33),f的取值,.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(34),同相输出I/OPAD,同相输出实际上就是“倒相+倒相”,或采用类似于图5.7所示的偶数级的倒相器链。,三态输出I/OPAD,.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(35),.2,(36),.2,(37),.2,(38),.2,(39),.2,(40),.2,(41),.2,(42),开漏输出单元,.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(43),掩膜编程的输入输出单元,.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(44),.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(45),.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(46),.2,5.2标准单元设计技术输入、输出单元(I/OPAD),(47),5.3积木块设计技术,.3,(48),5.3积木块设计技术,.3,(49)

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