《常用电子器件》PPT课件.ppt

,第一讲常用电子器件,1、电阻的单位：国际单位为欧姆（）。常用单位有：M,K,m,.2、电阻按材料分可分成以下几类：a、碳膜电阻b、金属膜电阻,主要是小功率,1.1电阻,1常用电子半导体器件,c、绕线电阻d、水泥电阻,大功率,B.标准功率：W,W,W,W,1W,2W,5W,50W,100W.C.精度：（1%，5%）绕线电阻有0.1%精度,1.0，1.2，1.5，1.8，2.0，2.2，2.4，2.7，3.0，3.3，3.6，3.9，4.3，4.7，5.0，5.1，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2，9.10。,A.标称阻值。如：1，10K.,1.2电容器1.电容器的符号,2.电容单位3.电容器分类：a、瓷片电容，有高压低压之分，高压瓷片可做成几万伏耐压。b、CBB电容（金属化薄膜电容，高低压均有）,c、独石电容d、钽电容,低压,e、铝电解电容,贴片元器件,贴片钽电容,贴片铝电解电容电容,穿心电容,4、电容元件的主要技术参数a、标称容量,如:电解电容100F/25V,1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2，4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。例：CBB电容2700pF/63V、272J(K)b、耐压：6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。c、精度：5%(J级)10%(K级)，20%(M级)电解电容允许误差。d、损耗角：tge、串联等效电阻：ESR,高频电路或开关电源中这两个参数很重要,f、最大脉动电流：400V/10F/280mAg、寿命：普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85下，工作温度每降低10C，电解电容寿命增加一倍。每增加10C，寿命减少一倍。h、漏电流：I=0.02CV+25A、如：400V/10F电容I=105A,1.3电感1、符号空芯电感有铁芯电感,2、分类：a、色码电感：（空芯电感，容量小，只有H级）b、高频（铁氧体芯）电感：可做H、mH级，非线性元件，电感量随工作频率而改变。c、低频（矽钢片）电感：可做mH级。,3、单位（亨利）4、参数a、标称容量：（mH）b、额定电流：（载流能力）0.5A，1A。c、额定电压：高压应用场合，要考虑耐压问题。d、损耗：铁损：磁损耗，随频率的增加而大幅度增加铜损：漆包线电阻损耗,1.4、三极管1、符号2、分类按材料分：a、硅管（PN结压降：0.7V）b、锗管（PN结压降：0.3V）,3、主要技术指标：a、电流放大系数：注意标志：F标志：50-70G标志：70-90H标志：100-120I标志：120-150*管子耐压越高，额定工作电流（ICM）越大，则越小。例:MJE13005，500V/5A，:15-35之间S8050，45V/1A，:70-200之间,b、反向击穿电压：Ucbo(发射极开路)Uebo（集电极开路）Uceo（基极开路）c、集电极最大允许电流ICMd、集电极最大允许耗散功率PCMPc=IcUce耗散功率与环境温度和散热条件有关（RoJ），手册上一般给出环境温度为20时PCM值。e、截止频率：共射极截止频率fb,定义为降低到0.707倍时的频率称为fb,三个参数中选最小一个为晶体管击穿电压，一般为Uebo,4、封装形式：,1.功率MOSFET的结构,1.5功率场效应晶体管结构特点,图1-19电力MOSFET的结构和电气图形符号,2、MOS管特点a、电压控制元件，输入阻抗高。b、导通电阻Ron大.c、工作频率高（对功率器件而言）d、是一种元细胞集成器件,适合并联e、DS极之间内部寄生二极管3、主要技术指标：a、额定电压Uds,它主要由VMOS管的漏源击穿电压U(BR)DS决定b、最大漏极电流Idmax(标称MOS管电流额定参数)c、阀值电压Ugs(th)(又称门极开启电压)d、导通电阻：Ron,e、最高工作频率fm:Uds作用下，电子从源区（S）通过沟道到漏区所需要的时间f、开通时间和关断时间：开通和关断时间越大,则MOS管开关损耗越大.g、极间电容,输入电容：Ciss=CGS+CGD输出电容：Coss=CDS+CGD,5、常用MOS器件：2N700060V/0.2AIRFD01460V/1.7AIRFD210200V/0.6AIRFD110100V/1.0AIRF530