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1，4章fet放大电路，2，半导体晶体管：晶体管，也称为双极晶体管，构成各种电子电路的核心装置。结构，类型：NPN型，PNP型放大机制：内部结构，外部条件特性曲线：输入特性，输出特性单级放大电路：工作原理三个组成静态分析多级放大电路：频率特性：引言1，3，引言2，由于半导体晶体管操作，在放大状态下发射结正偏差-所以输入端总是存在输入电流，如果输入电流改变，输出电流就会改变，所以晶体管(晶体管)是电流控制装置。因此，晶体管放大器，输入电阻不高。随着电子技术和半导体生产工艺的发展和进步，出现了一种新型的半导体器件场效应晶体管。4，场效应晶体管(FET)是利用电压产生的场效应控制电流的半导体器件。与晶体管相比，它具有以下重要特性：(1)电压控制设备。工作时，管道的输入电流几乎为零，输入电阻很高(大约数百MHz以上)。偏转(2)输出电流仅由多个子动作形成，因此称为单极装置。温度和辐射抵抗力强，工作稳定。(3)制造工艺相对简单，便于大规模集成，噪音小。(4)类型多，提高了电路设计的灵活性。引言3，5，根据结构，fet可以分为联合fet(jfe)和金属氧化物半导体fet (MOSFET)两类。引言第4，6，4章fet放大电路，4.1接头fet 4.2绝缘栅极fet 4.3 fet fet的主要参数4.4 fet特性4.5 fet放大电路，7，4.1接头场效应管，本节主要介绍接头类型fet jfe。结构工作原理电压电流特性，8，N，基极：N型半导体，两侧p区，g(门)，s源，d泄漏，导电通道，结场效应管是具有PN接头的半导体器件，4.1结场效应管，4.1.1结构流，N，9，符号，N通道连接fet结构和符号：结构，10，源极，s或s表示，N型导电通道，泄漏极，d或d表示，N通道连接场效应管道的特定结构：符号，11，P通道连接以、N通道和p通道连接fet符号的差异：N通道、p通道、13、N通道jft为例进行分析，研究JFC的工作原理3354输入电压对输出电流的影响。4.1.2基本工作原理，在n通道fet工作时，浇口和源极之间加上负电压，浇口和通道之间的PN连接是半偏差。在复盖极和源极之间添加一定量的电压，以使n通道中的大多数载波(电子)复盖在源极上并形成iD。ID的大小由VGS控制。在p通道fet工作时，极性相反，通道的多个儿子将成为孔。14，JFC工作原理(动画2-9)，15，VGS对通道的影响，vgs VP，源间电压VDS泄漏到源间电压VDS。泄漏侧耗尽层的逆电压为VGD=VGS-VDS，大于源侧耗尽层的逆电压VGS(例如，VGS=-2V，VDS=3V，VP=-9V，泄漏侧耗尽层的逆电压为-5V，)当VDS添加为VGD=VGS-VDS=VP时，预剪辑断点旁边会出现预剪辑断点，并且随着VDS的增加，这种不均匀性更加明显。随着VDS的不断增加，预剪辑制动器将沿源极方向扩展到预剪辑区域。由于自由剪辑区域电阻很
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