静电场与稳恒磁场的比较

静电场和恒磁场的比较摘要关键词静电场介质场强电通量高斯定理电场力的功率电位导体电容电流电动势磁场磁感应强度安培环路定理磁介质移动电荷周围不仅存在电场，还存在磁场。恒电流产生的磁场不会随时间变化，这称为恒磁场。恒定磁场和静态电场是两个性质不同的场，但研究方法有很多相似之处。下面比较一下。静电场是观测者在静态带电体周围存在的电场。电场是一种特殊形式的物质，其物质性在该带电体的作用力和带电体在电场内运动时作用于带电体。另一方面，电场有能量。物质的基本属性，如动量和电磁质量。场强和电动势是描述电场特性的两种物理量。高斯定理和场强循环定理是反应静电场和恒电场特性的基本定律。电场作用下导体和电介质的电荷分布发生变化，这样变化的电荷分布再次反过来影响电场分布，最终达到平衡。恒定磁场是稳定电流周围的磁场。保持恒定电流的磁场真空中的磁场主要分为两部分： 1，是由电流激发的磁场；二是磁场对电流的作用。恒定电流刺激静态磁场，磁场是电场的相对论效应，当空间超过一个移动电荷时，空间某一点的总磁感应强度等于每个场源电荷单独在该点产生的磁感应强度的矢量之和。移动的电荷产生磁场。特性静电场的高斯定理表明，静电场的电场线始于负电荷或无限，终止于负电荷或无限，因此静电场是活跃场。在安培环路定理中，这是一个没有旋转的场。根据环形定理，静电场的中值等于0，这表明静电场沿着任意闭合路径移动电荷，随着电场力的作用，它们都等于0，因此静电场是保守的场。根据库仑定律，两点电荷之间的作用力与距离的平方成反比，作用力的方向是它们的连接上f=kq1q2/r。其中Q1，Q2是两个电荷的电荷，k是大约9.0e 09牛顿米2/库2，r是两个电荷中心点连接的距离。请注意，点电荷的距离比其大小大得多时，电荷的形状和大小可以忽略不计的电荷。静电感应如果电场中存在导体，则在电场力的作用下出现静电感应现象，使其恢复原状静电场中性正电荷分离出现在导体表面。这种电荷叫做感应电荷。总电场是感应电荷和自由电荷共同作用的结果。达到平衡后，导体内部的电场为零。静电感应现象有一些应用，但也可能导致危险。静电场的介质电场的绝缘介质也称为电介质。因为电场的力作用在原子尺度上静电场出现了等效的束缚电荷。这种现象称为介电极化。电场强度超过一定值时，束缚电荷被迫流动，破坏介质，失去绝缘特性的绝缘材料。因此静电场的大小对电气装置的设计和材料选择非常重要。介质存在时的静电场由束缚电荷和自由电荷共同生成，为了表示这两个电荷共同作用的电场，可以引入另一场矢量电通量密度d(也称为电位差)。定义如下中间p是介电体的极化强度，可以得到高斯通量定理公式中间q只是s面的所有自由电荷，不包括电介质的束缚电荷。高斯通量定理的微分形式是电位差的发散等于点的自由电荷(体)密度，Id=介电极化强度p与场强e相关，电通量密度与p和e相关，因此可以表示介电构型方程D= e电位静电场没有旋转场，可以使用标量电位来表征静电场(见电势)。电势和电场强度的关系中间qpoint是无限的可选电位差参考点。p点是观测点。常识的微分形式是电场强度对电位负斜率E=-在为常数的区域中，公式中心拥塞在笛卡尔坐标中记录为2公式公式一阶和二阶微分算子。这样，潜在就可以满足了。静电场微分方程叫做泊松方程。观察点处自由电荷密度为零拥塞2 =0叫做拉普拉斯方程。泊松方程和拉普拉斯方程说明静电场空间分布的规律性。泊松方程或拉普拉斯方程在，边界条件已知的情况下唯一的解是解电位，并在场各处求e。静电场和正常电场的区别相对于观察者的静止电荷的静止电荷激发的电场静电场除了电荷分布不随时间变化外，还要求电荷不流动。因此，在静电场里，导体的内部场强总是为零，导体的电势总是相同的，在导体的表面外部附近，电场垂直于导体的表面。此外，静电场没有电流，电流产生的磁场也不存在。换言之，静电场与磁场没有必然的联系。恒定电场只会使电荷分布不随时间变化，导体上存在不随时间变化