碳化硅陶瓷ppt课件

简述了碳化硅陶瓷、1、目录、发展简史主要成分制备方法的特点与用途的结合，2、随着科技的发展，特别是能源、现代国防、空间技术以及汽车工业、海洋工程的快速发展，对材料的要求越来越高。 在这些领域中，不仅工程材料要求良好的机械性能，而且要求良好的物理性能。 碳化硅陶瓷在优异的高温力学性能和优异的耐化学药品性方面得到了越来越广泛的应用，3 )，发展历史，碳化硅(SiC )最初的用途是作为砂轮、研磨材料和耐火材料，用作发热元件硅电阻棒的原料。 20世纪中叶，特别是70年代以后，SiC独特的性能得到了认可。 由于其具有高温、耐磨耗、耐腐蚀及高导热系数等特点，开发的用途越来越多，应用面越来越广泛，作为一种新的微细陶瓷材料备受瞩目。 4、主成分、以碳化硅为主成分的陶瓷、绿色碳化硅、黑色碳化硅、结构5、它们是共有化合物，具有金刚石结构，SiC没有熔点，在大气压下(28002880 )度分解的纯碳化硅是无色透明的，含有游离碳、铁、硅等杂质，因此为浅绿或浅绿具有优异的抗氧化性能，在1550的高温下也具有优异的抗氧化性能，(8001140的氧化膜松弛，没有保护作用。 纯SiC虽然是绝缘体，但是使用杂质的话电阻率会大幅度降低。 热传导率高，可以制造换热器。 SiC，6，超细SiC纳米微粉的合成及意义、合成方法：用自制树脂热分解碳源，用纳米级SiO2微粉制备硅源，用微波炉合成。 配料：反应式使c过剩10%，减少产品中氧含量。 将纳米级的SiO2和树脂热分解，将以无水乙醇为介质的球磨机24h干燥加压成形，在氮气下用微波炉烧结，烧结温度为13001500，时间为1020分钟的意思：陶瓷粉粒越小烧结的陶瓷的强度越高，有可能出现独特的性能7、制备方法、SiC是在陨石中发现的，由于自然界中几乎不存在，工业上使用的SiC粉末都是热工合成的。 碳化硅工业生产的主要方法是在石英砂(二氧化硅)中加入焦炭(c )直接通电还原(电阻炉)，温度通常在1900以上，此时产生的化学反应为：SiO2 3C=SiC 2CO，8，表1:SiC陶瓷的烧结方法和物性， 目前制备高温SiC陶瓷的方法主要有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结、反应烧结等9 .常压烧结被认为是SiC烧结最有前途的烧结方法，常压烧结工艺可以制备大规模复杂形状的SiC陶瓷产品。 热压烧结可以降低烧结温度，得到致密、弯曲强度高的SiC陶瓷，但热压工艺效率低，难以制造复杂形状的SiC部件。 热等静压烧结可以得到形状复杂、力学优良的致密SiC产品，但HIP烧结必须封入坯料，因此工业生产困难。 反应烧结生产技术成熟，产品性能稳定，生产的反应烧结碳化硅密度大于3.02g/cm3，目前该类产品国内需求量大，市场前景良好。 10、特点和用途，碳化硅(SiC )陶瓷具有优异的高温力学性能，抗氧化性强，耐磨性好，热稳定性好，热膨胀系数小，热传导率大，硬度高，耐热冲击和耐化学性好，SiC陶瓷缺点脆性大。 SiC陶瓷广泛应用于石油、化工、微电子、汽车、航天、航空、造纸、激光、矿业和核能等工业领域。 11、表2 :碳化硅陶瓷的应用领域，12、结语、碳化硅陶瓷在许多工业领域都显示出了优异的性能，引起了人们的重视。 碳化硅陶瓷在无机非金属材料领域是一个大家庭，触角几乎遍布所有工业领域。但碳化硅陶瓷的难烧结性及