半导体英文词汇

Acceptor - An element，such as boron，indium，andgalliumusedtocreafreeholeinasemiconductor.theaccepaccetoratiosarerrequiredtohevenerser受体-硼、铟、镓等在半导体中形成空穴的元素。 受主原子必须是比半导体元素少一价的电子对齐处理- displicationsofpatternsthatoccursduringthphotolithographyprocess。套准精度-在光刻过程中转移图案的精度。动画公司- aprocesoftecting各向异性-蚀刻过程中横向凹陷较少或无。area contamination-anyforeferentitionpartionsormatethareforthesurfaceofwafer.thissisviewedsdiscoloredoorssmudged，其结果是污染区域-晶片表面的异物或物质。 污垢，手印，水滴污垢。Azimuth，inellipsometry-theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajoraxis .椭圆方位角-测量入射面与主晶轴之间的角度。背面版本- thebottomsurfaceofasiliconwafer.(节点： thistermisnotpreferred； instead，useback surface)背面-晶片的底面。 (注：不建议使用此术语，建议使用“背部表面”)basesiliconlayer-thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer，whichsupportsthesiliconfilmonthofthewafer。位于下部硅层-绝缘层下部的晶片是上部硅层的基础。bipolar-transtoresthatabletousebouseandelectresaschargecarriers .双极晶体管-可利用空穴和电子传导负荷的晶体管。bondedwafs-twosiliconwars是benedgetogitybisilicondioxide，which acts as an insulating layer绑定晶片-2片晶片通过二氧化硅层接合，成为绝缘层。绑定接口- thearrearrewherenthebondingoftwowaferersoccurs .捆扎面-两个晶片接合的接触区域。buried layer-apathoflowresistanceforacurrentmovingadevice.manyofthedopantsareantimonyandarsenic .在为流动嵌入层电路电流而形成的低电阻路径中，所述掺杂剂是锑和砷。buriedoxidelayer(box)-层氧化埋入层(BOX) -一个晶片之间的绝缘层。电信公司- ververequersourceandconductionectrentersthatarecaringachingasolidsurfaceinasiliconwaer。载体-用于使电流流过晶片的孔或电子。chemical-mechanicalpolishi (CMP )-aprocesoffthalltentingandporisingwaresthaturizizesbothechemicalremovingandmechanicabufing.iting化学-机械抛光(CMP) -平整和抛光晶片的过程采用化学去除和机械抛光两种方法。 此过程将在上一个过程中使用。chuck mark-amackfoundoneithersurfaceofawafer，causedbyeitheraroboticendeffector，a chuck，or a wand。卡盘痕迹-在晶片的任意表面发现的机器人、卡盘或托盘痕迹。cleavage plane-afracureplanethatispreferred。解理面-断裂面crack-amarchamenonawaferthatisgreaterthan0. 25 m minlength。裂纹-长度为0.25以上的晶片表面的微小痕迹。crater-visiverundifusedillumination，asurfareinferectiononawaferthatcanbedistinguishedindividually .微坑-扩散照明中可见的晶片表面可区别的缺陷。电信- amistrationofhoweastilychargecarrierscanflowthroughoutamaterial。传导性(电)载体通过物质难易度的相关测定指标。conductivity type-thetypeofchargecarriersinawafer，such cas n-type 和 p-type 导电型-晶片片中载体的类型，n型和p型。Contaminant，particulate(seelightpointdefect )污染粒子(参照点缺陷)contamination area-anarageathatcontinspatitionspationthecharacteristicofasiliconwafer。污染区域-晶片的部分区域被粒子污染，对特性产生不良影响。contamination particulate-passervicesfonthesurfofasiliconwafer。脏粒子-晶片表面的粒子。crystal defect-pressofthecrystalthatcontainvacancies和dissolicationthatanimpactonacircuitselectricalperformance。晶体缺陷-部分晶体中含有的影响电路性能的空隙或位错。crystal indices (seemiller indices )晶体指数(参照镜像指数)depletion layer-aregiononawaferthatcontainsanelectricfieldthatsweepsoutchargecarriers。耗尽层-晶片上的电场区域，排除载流子。dimple-acchandepreationonthesurfofawaferthatisivetotheeyeunderthecorrectlightningconditions。表面起伏-在适当的光线下肉眼可见的晶片表面凹陷。donor-acontaminationthathasdonatedextra free electrons，thumakingwafern-type 可以提供供体-晶片呈n型的“自由”电子掺杂剂。do pant-anelementtttthatcontrecontheconductionprocess thusalretingtheconductivity.dopantsforsiliconwarsarefoundingroupsiii和vofthere掺杂剂-为传导工艺提供电子或空穴的元素，该元素可以改变传导特性。 晶片芯片掺杂剂可以在元素周期表的III和v族元素中发现。doping-theprocessofthedonationofanelectorhecondentotheconductionprocessbyadopant。掺杂-掺杂剂导入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。边缘芯片和索引- andedgeimperfecturethatisgreaterthan 0.25 mm芯片边缘和缩进-芯片中的不完整边缘部分超过0.25。edgeexclusionarea-thearylocatedetebenthefixedqualityareandtheperipherer.(thisvariationacrdirestingtothedimensionsofthewafer.)边缘排除区域-位于质量保证区域和晶片外周之间的区域。 (因晶片的尺寸而异。 中所述情节，对概念设计中的量体体积进行分析Edge Exclusion，nominal (ee )-thedeperfortingthefixedqualityareandtheperipherryofwafer。标称边缘排除(EE) -质量保证区域与晶片周边的距离。edge配置文件- theedgeoftwobondedwaers边缘轮廓-以化学或机械方式连接的两个晶片边缘。etc-aprocesofchemicalreactionsorphysicalremovaltoridthewaferofexcessmaterials。蚀刻-通过化学反应或物理方法去除晶片的多馀物质。固定精度区域(fda)-区域质量保证区(FQA) -晶片表面中央的大部分。flat-asectionofthepericemetrofawaferthathasbeenmovedforwaferorientationpurposes。平面边缘-晶片圆周上的小平面是晶体取向定位的依据。flat diameter-theminstrationfromthecenterfoftheflatthroughthewafer.(perpendiculartotheflat )平口径-从小平面的中心到通过晶片中心的相反侧边缘的直线距离。four-point probe-testitenterusedtoterstresistiveofwaers .测量四探针-半导体晶片表面电阻的装置。furnaceandthermalprocess-enterverwithatemetraturegaugeusedforprocesswaers.acontentttertermetrationterfortheprocess。炉管和热处理-温度测量的工艺设备，具有一定的处理温度。前侧side-thetopsideofsiliconw