第三章 内部存储器【自测题】ppt课件

自检问题，第三章内部内存，2、选择、1。单词存储单位是()。a .一字节的存储设备b .存储一个机器单词的存储设备c .存储一个二进制信息位的存储位2。存储单词的长度为()。a .存储在一个存储单元中的二进制代码组合b .存储在一个存储单元中的二进制代码数c .存储单元数d .存储单元集合，3，3。与外部存储相比，内存具有以下特征():a .容量小，速度快，成本高b .容量小，速度快，成本低c .容量大，速度快，成本高d .容量大，速度快，成本低4 .计算机的存储采用分层存储体系结构(多层次结构)的主要目的是()。a .便于读取/写入数据b .减少机箱卷c .便于系统升级d .解决存储容量、价格和访问速度之间的矛盾。4，5。地址和数据线数量分别为64K16位的SRAM芯片。A.64、16B.16、64C.64、8D.16、166和16K32位存储，其地址线和数据线的总和为()。A.48B.46C.36D.527. 5128位容量的SRAM芯片具有最小数目的芯片引线()，电源和接地端子除外。A.17B.18C.19D.20，5，8。计算机的字符长度为16位，存储容量为64KB，寻址范围为()。A.64k 0至(64k-1) b.32kb 0至32kb c.32k 0至(32k-1) d.64kb 0至64kb 9存储容量为1MB的32位长度。按词指定地址时，寻址范围为()。A.0至(1m-1) b.0至(512k-1) bc.0至(256k-1) d.0至256kb，6，10。计算机的字符长度为32位，存储容量为4MB。指定半形地址时，寻址范围为()。A.0到4mb.0到2 mbc.0到(2m-1) d.0到(1mb-1) 11，关联存储是按()寻址存储。a .寻址方法b .堆栈访问方法c .内容寻址方法d .寻址和堆栈访问方法组合。7，12。交叉存储基本上是()独立读/写操作的()存储。a .模块化、并行、多个b .模块化、串行、多个c .一体式、并行式、一个d .一体式、串行、多个、8，13。在以下四种类型的半导体存储器中传输相同的多个单词作为比较条件，读取数据传输速度最高的是()。A.DRAMB.SRAMC.FLASHD.EPROM14 .以下组件中访问速度最快的是():A. cacheeb .寄存器c .内存d .外部内存，9，15。双端口存储()发生读/写冲突。a .左侧端口与右侧端口的地址代码不同。b .左侧端口与右侧端口的地址代码相同。c .左侧端口与右侧端口的数据代码相同。d .左侧端口与右侧端口的数据代码不同。16.通常，可以采用计算机的内部存储()。A.RAM和ROMB。ROMC.RAM，10，17。在程序运行期间，Cache与主内存的地址映射由()执行。a .由操作系统管理的b .程序员安排的c .硬件自动完成的d .操作系统支持该硬件完成的18.64KB内存容量为()。A.64000字节B.32768字节C.65536字节D.32000字节。11，19。当缓存地址映射可以将主资料库中的所有片段映射到缓存中任意行的位置时，此方法称为()。a .完全连接映射b .直接映射c .组连接映射d .混合映射20。DRAM地址输入两次(行选择RAS和列选择CAS)的目的是()。a .减少读/写时间b .减少芯片退出端的数量c .更新，12，21。以下哪项是正确的():a .半导体RAM信息是可写的，停电后也可以保留内存。b .半导体DRAM是非易失性元素，但SRAM不是C.SRAM。没有电源时保存的信息不会轻易丢失。 13，22。以下有关高速缓存缓冲区高速缓存(Cache)的说明是正确的：A. CacheC既可以在CPU外部设置，也可以在B.CPU内部和外部设置。只有CPU内部具有d .缓存时，CPU不需要访问主存储。14，1 .DRAM芯片内部有1288个存储元素。这个芯片需要以2毫秒的间隔至少刷新一次。刷新在128行存储元素上按顺序执行。将存储周期设置为500ns。查找刷新信号周期和刷新的开销(刷新操作时间的百分比)。，计算，15，【解决方案】刷新信号周期2毫秒/128=0.0156565毫秒刷新操作时间500ns128=64000ns刷新开销64000 ns/2000 ns=3.2%，16，2。计算机系统的内部存储包括缓存和主存储，缓存的存储周期为50ns，默认存储周期为250ns。CPU在指定时间段内访问了整个存储系统4500次，已知其中500次访问。问：(1)缓存的命中率是多少？(2)CPU访问内存的平均时间是多少？(3)缓存-底层存储系统的效率如何？17，解决方案：(1)缓存命中率h=(4500-500)/4500-0.89(2)CPU访问内存的平均时间ta=HTC (1-h) TM使用、18、16K16位SRAM芯片配置64K32位存储。询问：(1)计算所需的SRAM芯片总数。(2)绘制内存的配置逻辑框图。(3)图中表示地址线、数据线数。合并、19，a:完整地址行16位(A0-A15)，数据线32位，因为总存储容量为64K32位=21632。需要的芯片总数为(64K32)(16K16)=42(片)，每个SRAM芯片的容量为