《电工学》试题B

B一、填空题：（30分）1. 如果变压器二次(即副边)电压的有效值为 10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 V， 经过电容滤波后为 V，二极管所承受的最大反向电压为 V。2. 掺杂半导体可分为_型半导体和_型半导体两类，在_型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。3. PN结构的一个重要特征是_。4. 三极管有_型和_型两种组合形式，其正常的电流放大条件是：发电结_偏、集电结_偏。5. 根据三极管的输出特性曲线，可把它分成三个区域：_、_和_。6. 场效应管是一种_控制器件。它可分为_型和_型两大类。7. 功率放大器的三种类型为：_、_和_。8. 多级放大器有三种耦合形式：_、_和_。9. LC振荡器可分为：_、_和_。10. 分析集成运放器时，通常把它看成是一个理想元件，即开环电压放大倍数_，差模输入电阻_，共模抑制比_及开环输出电阻为_。二、判断说明：（25分）1. 判断下列二极管是导通还是截止，为什么？（设二极管为理想二极管）2. 已知某三极管Pcm=100MW，Icm=20MA,U(BR)CEO=15V。试判断下列几种情况下，哪种情况能正常工作？哪种情况不能正常工作？为什么？（1）UCE=3V IC=100MA （2）UCE=2V IC=40MA（3）UCE=10V IC=20MA （4）UCE=15V IC=10MA3. 判断下图中Rf引进的是哪一种反馈类型？三、综合题：（10分）1、为使F= A，则B应为何值（高电平或低电平）？ B= B= B= 2、试写出下列图中各门电路的输出分别是什么状态（高电平、低电平）？（其中（A）（B）为TTL门电路，而（C）为CMOS门电路） （A） （B） （C）Y1= Y2= Y3= 3、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管4、下图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V，则Y= （ ）。 A0.7VB3.7VC10V D1.5V5、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。A输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大四、客观题：（20分）1、已知逻辑函数的真值表（如表题一），试写出其对应的最简与或式。（共计10分） 题一真值表 A B C D Y0 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 11 0 1 01 0 1 11 1 0 01 1 0 11 1 1 01 1 1 1 0 0 010011000111112、化简下列逻辑函数，写出最简与或表达式：（10分）四、计算题：（30分）usRB1C2+RB2RS+VCC+RECERLVC1_+_RC1、放大电路如下图所示，已知：VCC = 12 V，RS = 10kW，RB1 = 120 kW， RB2 = 39 kW，RC = 3.9 kW，RE = 2.1 kW，RL = 3.9 kW，电流放大系数 b = 50，电路中电容容量足够大，要求：(20分) 求静态值IBQ，ICQ 和UCEQ( 设UBEQ 0.6 V )； 画出放大电