半导体行业专业知识-wafer知识

PIE0 L9 M# L3 M！v1.什么是对等？皮尔的主要工作是什么？% c% S* f1 * 2 Z# I4 V4至5 I a:主要任务是合并各部门的资源，不断改进流程，以确保产品的良好稳定。a；C o8 1 A: P0 J * E5 H2.200mm、300mm Wafer是什么意思？% C2 a5 R，M5 q(G6 Q2 P a: 8英寸圆片直径200毫米，直径300毫米硅片，即12英寸)。* Y6 C % g；W0 T(n4 H8 D- H4 3。目前在中核心国际现有的3家工厂中使用了多少晶片(mm)流程？未来的北京Fab4 (4工厂)将使用多少mm wafer流程？7 U5 N V)s % 3 d0 O1 答：目前1-3工厂是200毫米(8英寸)的垫圈，流程水平达到了0.13um工序。未来的北京工厂工程华珀将使用300毫米(12英寸)。7 R(L9 u- 2 $？(p11b为什么需要300mm？: N4 k0 X C6 e，% N. P a:随着wafer size的增大，单个wafer上的芯片数量(chip)将增加，单位成本将降低8 w# P8 S2 b/P6 w7 I2 A c% | 200300面积增加2.25倍，芯片数量增加约2.5倍！H t！E* j9 k: O7 D# H93 9y # I p(x3k o(t/b . q )w j/S5 w b $ |5.所谓0.13 um的制程能力是什么意思？8 U V% g/w2 ，y a:表示工厂的制程能力可达到0.13 um的灌嘴线厚度。创建浇口的线宽越大，整个设备就越小，操作速度也越快。$ M9至 u3 1 h$ _。6 .0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um的技术变更意味着什么？1 d) 3 k# p？# T: S1 H答：浇口线的宽度(此大小的量表示半导体工艺级别的高低)越大，工艺的难度就越高。0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um表示每个步骤的流程能力提高。，S2 h - s) N. H(N7 .什么是普通圆片基板(substrate):N、P两种类型(type)、N和P类型圆片？2 O7 h0 x！Z3 1 % S# |) 答：N-type wafer是掺有negative元素(5价电荷元素，如P，As)的硅片，P-type的wafer是positive元素(3价电荷元素，如b，In1 L4 y(|4 m/t.w) d8t。# w)a2 u8m(y( * ；H8 .工厂中晶片的制造过程可以分成多少个流程？2 i/Z# Q7 3 K6 K. p7 d U，e答：有四个主要部分：扩散(DIFF)、胶片(TF)、照片光刻技术(PHOTO)和蚀刻(ETCH)。其中包括FURNACE(管子)、WET(湿片)、DIFF(离子注入)和RTP(快速热处理)。TF包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和化学机械研磨(CMP)。硅片根据客户要求在不同的工艺(模块)之间重复生产，最后利用电气测试确认产品是否良好。W% l$ A. I！R: R. x G. v9.普通硅片的制造经常以几p几m和遮罩层数(mask layer)表示硅片工艺的持续时间。多少p m和mask layer是什么意思？# R6 V9 w3 S I-N9 z-f O；a:几p m表示硅片制造中的多层多晶硅(poly silice)和多层金属(metal wire)。一般的0.15um逻辑产品是1P6M(第一层的Poly和第六层的金属)。和；S3360 h t * j h“遮罩层数”(mask layer)表示制作硅片所需的几次照片光刻技术(PHOTO)。1 d% 2 W% S8 S) J% n0 L10。Wafer行的第一步是形成start oxide和zero layer吗？start oxide的目的是什么？% 2 x% _1 y- x- g(O答：希望有机成分的光刻胶不要直接接触Si表面。Q7 I(？%/？)E8 U 也可以避免激光压印过程中产生的灰尘污染。2 U ？-y) # h#11.为什么需要零层？g/j 3360s * _ a/u $ L答：芯片过程由多个不同级别的堆栈组成，在每个级别之间使用zero layer作为排序标准。5 |(r T M/w) M U12.Laser mark的用途是什么？warper id是什么意思？3N；3 E1 E4 i9 t$ T/f答：Laser mark用于雕刻晶片id，晶片id与硅片id一样，单个id表示晶片ID。X1 V# f1 o8 R) X6 D13。普通硅片制造过程包括哪些主要部分？N* _* V0 B答：前端-部件制造流程。 i5 |) B2 X3 y0 K* 。b: M后盖-金属接线和保护层(passivation)O5g% q7o、m p、x (v14)。上一段的过程大体上可以分为这些部分吗？ f : _ : ；L5？答：STI的形成(定义AA区域和设备之间的隔离)8 A* P1 _！Z* V) _* L9 |井离子注入以调整电气性浇口的形成；浇口的形成。A. w H0 5 n) G# Q N$ T源/漏的形成 ，T/ : O 32;9 O Z硅化物形成1 L |: I F- F15.STI是什么的缩写？为什么需要STI？I3 y3？Y1w1 w : 0l答：STI:浅通道隔离，STI作为两个组件之间的屏障，防止两个组件之间出现短路。% a% d，w.b2 v f-d # q . _ : _ * h7e/m8d : Q1 Z1 _ 16.AA是哪两个单词的缩写？简要说明AA的用途吗？B% i4 q: p2 m e 1 A* a b a a a a a:形成活动区域、源、泄漏和浇口，这是用于创建晶体管实体的位置。两个AA区域被STI隔离。3；S7 7 C2 U A9 s- u，w: I6 i8 |17。在STI的蚀刻过程中，需要注意哪些流程参数？)M6 $ n% a3 3 J a: STI etch(蚀刻)角度；0 C T2 I- - # GSTI etch的深度；1 A3 x- T u* y% j z M7 F8 ySTI etch后面的CD大小调整。7 q $ K3 M2 S；G8 L1 1 O1 u x是否有(CD控制，CD=critical dimension)？* r9 C% c(l18.在STI的形成阶段，存在线性氧化层(lineoxide)，lineoxide的功能是什么？$ k . a7 G L3 d9 M $ o8 l * I * G * O a:line oxide是由1100C，120 min高温管形成的氧化层，其功能如下：/#？F o(j/ M6 M5 U% Q STI etch导致基板损坏的修复；9 R1 t；H2 i8 E7 X以STI etch对etch锐角进行圆整。z ./h；C8 R9 C) R5 S- dB3 r(1q4 c6q 2)0 8 P0Z % N $ z % o q9 X D2 R q5 Z2 9 c:到0到5 E8 C6T3 R O s l8 3 3 J9 i4 V: m$ r: ！O/a |19。一般井区离子注入调整电性可分为那三个阶段吗？功能是什么？)p p.v 0 J2 7 e，m)% 5 u答：陷阱区域离子注入调整是使用离子注入形成硅片所需组件的电子特性，通常为# E l a1 _* (井场：N、P井区形成；/D8 s m# x2 b y# Channel Implant:防止源/泄漏极之间的漏电；1 F9 F9 d L1 S8 GVt Implant:调整阈值电压(Vt)。1 h6 % N8 T3 k- l5 B4 R6 F) 20。一般离子注入水平工艺制造可以分为那个阶段吗？7 E$ M k# V！p h/T a:通常包括以下步骤：l！4 Z/J) f# (？0 z！I K光刻(Photo)和图形形成；8 B3 N4 C！O. 8 H# 0！P8 o% I离子注入调整；# b M5 z2 m/B) o E离子注入后ash(等离子清洗)$ a :n # b q $ |，m% p (f % 移除相片寄存器(PR strip)8 M4 。H. m* e21。多晶硅大门的形成阶段能大体划分吗？* 1 K2 G F$ I: S(J- r# k a: 栅氧化物)的沉积；C(N7 l C3 r0 /q xPoly film沉积和SiON(在光刻中用作反反射层的物质)；B2 4 # o，u3 O1 l.s% x * H7 z poly形状形成(photo)；！Q3 0 /F F FPoly和SiON Etch；-X$ F V) h) E！5 H3 e* xEtch后ash(plasma)清洗和光刻胶清除(pr strip)；R7 I！m0 U * p；8 2 o # I (o-h/ poly的还原氧化)。8 M7 p- P6 Y- T a5 F* 8 0 * W22.多晶硅浇口的蚀刻(etch)应注意哪些地方？B3 p2 K5 I；E T答：Poly CD(尺寸控制；4 C3 p # x . K)w n 门玉史蚀刻，防止基板受损。 0 W9 r( .U. W23 .什么是栅极氧化层？8r7p #。x j a:用于调整栅极电压，使其成为使用多个设备的开关的设备的介质层T4 I B2 P. N7 tF* l7 R6 k1 L9 * d k2 $ y2 Z h24.源/漏嘴的形成阶段能否分为：(k8 J8 T _:到2 i4 S3 A！答：LDD离子注入(implant)；4 g$ 4 O C(a7 q O% l$ p E逆电流器的形成；6 | 7 C * x . 0K N/P IMP高浓度源/泄漏极(S/D)注入和快速热处理(RTA:快速热通道)。$-T！Z0 M0 O3 x！k25.LDD是什么的缩写？用途是什么？9 $ L- p# v4 S3 a4 X答：LDD: Lightly Doped Drain。LDD是使用低浓度源/泄漏极防止组件产生热负载的次效应的过程。5 u % p . m；u8 c；E5b526.什么是热载流子效应？-k L！Y6 t？4 a$ I: 。答：在线状态为0.5um或更低时，源/泄漏极之间的高浓度可能导致移动时托架速度加快，从而损坏栅极边，并损坏组件。W% 2 z- q8 E(F0 K27)。什么是Spacer？在使用Spacer时需要注意什么？