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第六章EBSD技术入门简介,2010.11.10,1.EBSD的原理及应用,2.EBSD数据处理演示,2/40,EBSD术语,荧光屏,样品,电子束,背散射电子,A,花样中心(PC),L(探测距离-DD),工作距离(WDZ),70degrees,L=N/tan20,Nisthedistanceinpixelsonscreenbetween114and001zoneaxisina001siliconpattern,3/40,什么是背散射电子,背散射电子是入射电子与样品相互作用作用后而又逃离样品表面的那部分电子通常是弹性散射的结果背散射通常用背散射效率描述：nBSE/nB=iBSE/iB(1)nBSE:背散射电子数，nB：入射电子数,iBSE:背散射电流,iB:入射电流,背散射电子的效率,4/40,1.背散射电子（BSE）入射电子在样品中经过弹性和非弹性散射后，再逸出试样表面的部分高能电子。能量：50eVE0；溢出深度：几百nm2.二次电子（SE）入射电子使样品原子较外层电子（价带或导带电子）电离产生的电子子。能量：crit则画出晶界(3)将所有大于设定值的界线连接起来形成晶界。,直接反映了微观组织结构晶体取向差的变化情况,41/40,花样质量重构的取向图,反映了晶体的完整程度，衬度高表明晶体完整性好，反之，组织结构扭曲严重，其局部发生了塑性变形，以此间接反映微观组织结构。,42/40,数据演示FC
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