电子技术基础

电子技术基础一、选择题(每题1分)1、当加在硅二极管两端的正向电压从O开始逐渐增加时，硅二极管( )。A立即导通B到O.3 V才开始导通C超过死区电压时才开始导通D不导通2、把电动势为1.5 V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管( )。A基本正常B将被击穿C将被烧坏D电流为零3、用万用表R100挡来测试二极管，如果二极管( )说明管子是好的。A正、反向电阻都为零B正、反向电阻都为无穷大C正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧4、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时，应选用( ) 挡。AR10和R100BR1和R1 kCR1 k和R100DR10 k和R1 k5、在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会( )。A变大B变小C不变化D不能确定6、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是( )。ANPN管的集电极BPNP管的集电极CNPN管的发射极DPNP管的基极7、晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将( )。A随基极电流的增加而增加B随基极电流的增加而减小C与基极电流变化无关，只取决于Ucc和Rc8、三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于( )。AICMBICBOCICEOD09、当硅二极管加上0.4 V正向电压时，该二极管相当于( )。A很小的电阻B很大的电阻C短路D电阻10、某二极管反向击穿电压为150 V，则其最高反向工作电压( )。A约等于150 VB略大于150 VC等于300 V D等于75V11、当环境温度升高时，二极管的反向电流将( )。A增大B减小C不变D先变大后变小12、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆挡拨到( )。AR10和R1 kBR1 k和R100CR1和R1 kDR10 k和R1 k13、交通信号灯采用的是( )管。A发光二极管B. 光电二极管C变容二极管D整流二极管14、用万用表的电阻挡判断发光二极管管脚极性时，应选用( ) 挡。AR100BR1 kCR1 DR10 k15、三极管放大的实质是( )。A将小能量换成大能量B将低电压放大成高电压C将小电流放大成大电流D用较小的电流控制较大的电流16、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是UB=4.7V，U=4.3V，UE=4V，则该晶体三极管的工作状态是( )。A截止状态B饱和状态C放大状态D击穿状态17、三极管各极对地电位如图2-1所示，工作于饱和状态的三极管是( )。18、满足IC=IB的关系时，三极管工作在( )。A饱和区B放大区C截止区D击穿区19、三极管是一种( )的半导体器件。A电压控制B电流控制C既是电压又是电流控制D功率控制20、三极管的( )作用是三极管最基本和最重要的特性。A电流放大B电压放大C功率放大D电压放大和电流放大21、NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是( )。A UCUEUBB UCUBUE C UCUBUE D UCUEUB 22、有三只晶体三极管，除和ICEO不同外，其他参数一样，用作放大器件时，应选用( )。A=50,ICEO=0.5 mAB=140,ICEO=2.5 mAC=10，ICEO=O.5 mA23、某晶体三极管的PCM=100 mW，ICM=20 mA，UBR(CEO)=30 V，如果将它接在IC=15 mA，UCE=20 V的电路中，则该管( )。A被击穿B工作正常C功耗太大过热甚至烧坏D截止24、低频放大电路放大的对象是电压、电流的( )。A稳定值B变化量C. 平均值D直流量25、在单管共发射极放大电路中，其输出电压u0与输入电压ui ( )。A频率相同、波形相似和相位相同B波形相似、相位相反和幅度相同C幅度相同、频率不同和相位相反D相位相反、频率相同和波形相似26、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图2-6中的( )。27、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是( )。A增大电阻RBB减小电阻RBC. 电阻RB不变28、在放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管( )。A集电极电压UCE上升B 集电极电压UCE下降C基极电流不变D基极电流也随着增大29、共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为( )。A截止失真B饱和失真C非线性失真D频率失真30、共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的负半周出现平顶失真，则这种失真为( )。A截止失真B饱和失真C非线性失真D频率失真31、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图2-7所示，则引起波形失真的原因是( )。A静态工作点太高B. 静态工作点太低C静态工作合适，但输入信号太大32、影响放大器工作点稳定的主要因素是( )。A值B穿透电流C温度D频率33、一个三级放大器，工作时测得Au1= 100，Au2=-50，Au3=1，则总的电压放大倍数是( )。A51B100C-5000 D134、放大器与负载要做到阻抗匹配，应采用( )。A直接耦合B阻容耦合C变压器耦合D光电耦合35、要提高放大器的输入电阻，并且使输出电压稳定，可以采用( )。A电压串联负反馈B电压并联负反馈C电流串联负反馈D电流并联负反馈36、在图2-14所示电路中引入了( )。A交流负反馈B直流负反馈C交直流负反馈D直流正反馈 二、判断题(每题1分)1、( )二极管是线性元件。2、( )一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。3、( )二极管加正向电压时一定导通。4、( )二极管加反向电压时一定截止。5、( )有两个电极的元件都叫二极管。6、( )三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。7、( )三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管。8、( )晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料(N型或P型)构成的，所以，集电极和发射极可以互换使用。9、( )发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。10、( )放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升。11、( )二极管一旦反向击穿就一定损坏。12、( )不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为O.3 V左右。13、( )二极管具有单向导电性。14、( )发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。15、( )某晶体三极管的IB=10A时，IC=O.44mA；当IB=20A时，IC= 0.89mA，则它的电流放大系数为45。16、( )放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真。17、( )放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量。18、( )放大电路的电压放大倍数随负载RL而变化，RL越大，电压放大倍数越大。19、( )放大电路静态工作点过高时，在UCC和Rc不变情况下，可增加基极电阻RB。20、( )造成放大器工作点不稳定的主要因素是温度。21、( )放大电路的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。22、( )稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流IC。23、( )分析多级放大电路时，可以把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。24、( )串联反馈就是电流反馈，并联反馈就是电压反馈。25、( )电压反馈送回到放大器输入端的信号是电压。26、( )电流反馈送回到放大器输入端的信号是电流。27、( )负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。28、( )负反馈可以消除放大器非线性失真。三、填空题(每空1分)1、二极管的P区引出端叫_极或_极，N区的引出端叫_极或_极。2、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为_、_和_三类。3、导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是_。4、PN结正偏时，P区接电源的_极，N区接电源的_极；PN结反偏时，P区接电源的_极，N区接电源的_极。5、PN结具有_特性，即加正向电压时PN结_，加反向电压时PN结_。6、硅二极管导通时的正向管压降约_V，锗二极管导通时的管压降约_V。7、使用二极管时，应考虑的主要参数是_和_。8、半导体三极管有_型和_型，前者的图形符号是_，后者的图形符号是_。9、在三极管中，IE与IB、IC的关系为_，由于IB的数值远远小于IC，如忽略IB，则IC_IE。10、三极管基极电流IB的微小变化，将会引起集电极电流Ic的较大变化，这说明三极管具有_作用。11、三极管工作在放大状态时，集电极电流与基极电流的关系是_。12、三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而_，硅三极管的穿透电流比锗三极管的_。13、工作在放大状态的三极管可作为_器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为_器件。14、放大电路设置静态工作点的目的是_。15、在共射极放大电路中，输出电压u0和输入电压ui相位_。16、为防止失真，放大器发射结电压直流分量UBE比输入信号峰值Uim _，并且要大于发射结的_。17、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻_些，以减轻信号源的负担，输出电阻_些，以增大带负载的能力。四、简答题()1、三极管的主要功能是什么? 三极管放大的外部条件是什么?（4分）2、从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别?（6分）3、已知某三极管PCM=100 mW，ICM=20 mA，U(BR)CEO=15 V。试问下列哪种情况能正常工作?哪种情况不能正常工作?为什么?（8分）(1) UCE=3 V，IC=10 mA(2) UCE=2 V，IC=40 mA(3) UCE=10 V，IC=20 mA(4) UCE=15 V，IC=10 mA4、画出如图所示电路的直流通路和交流通路。5、什么是交越失真?如何消除?五、计算()1、共发射极基本放大电路中，若RB=240 k，Rc=3 k，UCC=12 V，=40，若忽略UBEQ，求静态工作点IBQ 、ICQ 、UCEQ和电压放大倍数Au。（8分）2、如图所示，在电路中，UCC=15 V，RB=300 k，Rc=3 k，RL=6 k，晶体管的=50。求：(1)放大电路的输入电阻、输出电阻。(2)分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数。六、分析题()1、问题电路图如图1-5所示，已知输入电压为正弦波，设二极管为理想元件，试画出u。的波形。2、在图1-3所示的两个电路中，设V1、V2均为理想二极管，试根据表1-1所给输入值，判断二极管的工作状态。确定“u。的值，并将结果填入表中。表1-1uA(V)uB(V)V1V2u0(V)00033033试题答案一、选择题(每题1分)1、C2、C3、C4、C5、B6、A7、C8、C9、B10、D11、A12、B13、A14、D15、D16、B17、C18、B19、B20、A21、B22、A23、C24、B25、D26、A27、A28、B29、A30、B31、B32、C33、C34、C35、A36、C 二、判断题(每题1分)1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、 20、21、22、23、24、25、26、27、28、三、填空题(每空1分)1、正 阳 负 阴2、导体 半导体 绝缘体3、半导体4、正 负 负 正5、单向导电 正向导通 反向截止6、0.7V 0.3V7、最大整流电流 最高反向工作电压8、NPN PNP9、IE=IB+IC 则ICIE10、电流放大11、IC=IB12、增大 小13、放大 开关14、避免信号发生非线性失真15、相反16、大 死区电压17、大 小四、简答题()1、三极管的主要功能是电流放大作用；三极管放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。2、硅管死区电压为0.5V左右而锗管死区电压为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。(1) 3、能正常工作(2) 不能正常工作，因为IC=40