三极管ppt课件

1、2、3、4、塑封小功率管、金封小功率管、片状三极管、塑封大功率管、金封大功率管、5、学习内容：三极管、1、三极管结构、分类及符号2、三极管工作电压及基本连接方式3、三极管电流分配及放大功能4、三极管输入输出特性5、三极管主要参数6、三极管简单测试、6、2.1三极管、三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制装置。特点：管内有两种载体参与传导。特点：有三个电极，称为三极管。2.1.1三极管的结构、分类和符号，首先，三极管的基本结构，1。三极管形状，7，2。三极管结构，图2.1.2三极管结构图，工艺要求：发射极掺杂浓度较大；掺杂最少的基极区域非常薄。集电极区的体积比发射极区大，掺杂比发射极区少。特征：有三个区域发射极区域、基极区域和集电极区域；两个PN结发射结(BE结)、集电极结(BC结)；三个电极，发射极e(E)，基极b(B)和集电极C(C(C)；两种类型的PNP和NPN管。8，箭头：指示发射极结添加直流电压时的电流方向。文本符号：v，图2.1.3三极管符号，ii，三极管符号，9，2。国产三极管的命名：见010301249附录二。三、晶体管的分类，1。晶体管有多种分类方法。根据内部结构，可提供NPN型和PNP型管。根据工作频率，有低频管和高频管。根据功率分布；有小功率管和大功率管；根据用途，有普通管和开关管。根据半导体材料，有锗管、硅管等。例如，3DG代表一个高频率和低功率的硅三极管。3CG代表高频低功率PNP型硅三极管；3AK指PNP型开关锗三极管等。10、三极管的封装形式和引脚识别，常用的三极管封装形式有金属封装和塑料封装，引脚排列有一定的规律，如图所示为低功耗金属封装三极管，根据图中的底视图位置，使三个引脚形成等腰三角形顶点，ebc从左到右依次；对于中小功率塑料三极管，如图所示，使其平面朝向自身，并将三个引脚向下放置，ebc将从左到右跟随。电子制造中常用的三极管有90个系列，包括低频低功率硅管9013(NPN)、9012(PNP)、低噪声管9014(NPN)、高频低功率管9018(NPN)等。他们的型号一般都标在塑料盒上，但它们的外观都一样，都是按照TO-92标准包装的。在老式的电子产品中，也可以找到3DG6(低频低功率硅管)和3AX31(低频低功率锗管)，它们的型号也印在金属外壳上。11，12，13。三极管工作在放大状态的外部条件是：发射极结加直流电压，集电极结加反向电压。2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式，首先是晶体三极管的工作电压，三极管的基本功能是放大电信号。14，图2.1.4三极管的电源连接，15，有三种基本的连接方法：共发射极、共基极和共集电极连接。最常用的是共发射极连接。电路中晶体管的基本连接模式如图2.1.5.16所示。测量电路如图2.1.3所示。晶体管中电流的分布和放大。首先是电流分布关系，视频1，视频2，17，表2.1.1。调节电位器，测得的发射极电流、基极电流和集电极电流的相应数据如表2.1.1所示。由于IB很小，(2.1.2)，(2.1.1)，从表2.1.1可以看出三极管的电流分布关系如下：18。18、ICEO越小，三极管的温度稳定性越好。硅管比锗管具有更好的温度稳定性。描述：1。称为集电极基极反向饱和电流，见图2.1.7(a)。通常非常小，与温度有关。下午2: 00，称为集电极发射极反向电流，也称为穿透电流，见图2.1.7(b)。从表中，我们可以看到视频1、视频2和结论：1。晶体管的电流ampl，2。交流电流放大系数代表三极管放大交流电流的能力(2.1.3)，3。DC电流放大系数代表三极管放大DC电流的能力(2.1.4)，4。一般来说，它可以表示为(2.1.5)。考虑ICEO，当集电极和发射极之间的电压VCE恒定时，三极管(2.1.6)、21、2.1.4的输入和输出特性，以及发射极结电压VBE和基极电流IB之间的关系曲线。1。共发射极输入特性曲线，视频1，视频2，22，5。VBE和IB具有非线性关系。如图所示：1 .当VCE2V时，特征曲线基本一致。当VBE很小时，IB等于零，三极管处于关断状态。3.当VBE大于阈值电压(硅管约为0.5V，锗管约为0.2V)时，IB逐渐增大，三极管开始导通。三极管导通后，VBE基本不变。硅管约为0.7V，锗管约为0.3V，称为三极管的导通电压。图2.1.9，共发射极输入特性曲线，23，2，晶体管输出特性曲线，基极电流IB为常数，集电极电流ic与集电极和发射极间电压VCE的关系曲线。Video1、Video2和Video24，在放大状态下，当IB恒定时，集成电路不随VCE变化，即，处于放大状态的三极管具有恒定电流特性。输出特性曲线可分为三个工作区域：1。截止面积，前提是发射极结反向偏置或两端电压为零。功能：饱和区，条件：发射极结和集电极结都是正偏置的。功能：称为饱和管压降，低功率硅管约为0.3V，锗管约为0.1V.3。放大面积，条件：发射极结的正偏置，集电极结的反偏置：集成电路由集成电路控制，即25，晶体管有放大效应，如果一个小的电信号加到基极，集电极会得到一个放大的电信号，放大电路，如果基极有一个小的电流变化，集电极会得到一个大的电流变化，这就是晶体管的电流放大效应，26，关态，开态，放大态， 晶体管开关特性，晶体管工作状态，问题：如何改变电路，使晶体管处于饱和导通状态，使二极管发光并关闭？ 通过控制晶体管27的基极电流。晶体管的参数是表征管的性能和应用范围的参考数据。2.1.5三极管的主要参数，电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大容易使管道性能不稳定。一般来说，3080是合适的。2。交流放大系数，1。DC放大系数，1。共发射极电流放大系数，28，1。集电极基极反向饱和电流ICBO。反饱和电流随着温度的升高而增大，这是管道工作状态不稳定的主要因素。因此，它经常被用作判断管道性能的重要依据。硅管的反向饱和电流比锗管小得多。硅管应在温度变化大的工作环境中使用。2，极间反向饱和电流，2。集电极发射极反向饱和电流ICEO。(2.1.7)，29，3，极限参数，当管座打开时集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压超过该值时，管道中会发生电压击穿。如果电击穿导致热击穿，管道将被损坏。3。集电极、2发射极间的反向击穿电压。最大允许耗散功率PCM，1个集电极，1个。集电极最大允许电流ICM。当三极管工作时，当集电极电流超过离子传导膜时，电子管的性能会显著降低，电子管可能会烧坏。当管的集电极结上的电压与通过电流的乘积超过该值时，管的性能将会恶化或烧坏。30，图2.1.11区分硅管和锗管的测试电路，2.1.6三极管的简单测试，1。硅管或锗管的鉴别，31，图2.1.12估算的电路，2。，NPN管估算电路的估算和比较，如图2.1.12所示。万用表置于档位，测量并比较开关S断开和接通时的电阻值。之间的差异越大，图2 . 1 . 13 CEO估计，33，将万用表置于或档，用黑色探针连接任何引脚(假设它是b座)，红色探针分别与另外两个引脚连接，如果测得的两个电阻很小，黑色探针与基座连接，并且是NPN型管。如图2.1.14(a)所示。如果上述方法测量的结果都是高电阻值，黑色探针连接到PNP管的底部。如图2.1.14(b)所示。4、NPN管型和PNP管型判断，图2.1.14基极b判断，视频34，首先确定三极管的基极和管型，然后用估计值的方法判断c和e极点。该方法首先假设一个未确定的电极是集电极(另一个是发射极)接入电路，并记录欧姆表