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文档简介
.,(4-1),第四章集成运算放大电路,模拟电子技术基础,.,(4-2),第四章集成运算放大器,4.1概述4.2集成运放中的电流源电路4.3集成运放电路简介4.4集成运放的性能指标及低频等效电路4.5集成运放的种类及选择4.6集成运放的使用,.,(4-3),集成电路:将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。,集成电路的优点:,工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小。,集成电路的分类:,模拟集成电路、数字集成电路;,小、中、大、超大规模集成电路;,4.1概述,.,(4-4),集成电路内部结构的特点:,1.电路元件制作在一个芯片上,元件参数偏差方向一致,温度均一性好。,2.电阻元件由硅半导体构成,范围在几十到20千欧,精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。,3.几十pF以下的小电容用PN结的结电容构成、大电容要外接。,4.二极管一般用三极管的发射结构成。,5.集成制造工艺器件性能差异较大,常采用复合形式。,.,(4-5),输入级,中间级,输出级,UEE,+UCC,u+,uo,u,反相输入端,同相输入端,原理框图:,.,(4-6),+UCC,对输入级的要求:尽量减小零点漂移,尽量提高KCMR,输入阻抗ri尽可能大。,与uo反相,与uo同相,.,(4-7),对中间级的要求:足够大的电压放大倍数。,.,(4-8),对输出级的要求:主要提高带负载能力,给出足够的输出电流io。即输出阻抗ro小。,.,(4-9),(1)采用四级以上的多级放大器,输入级和第二级一般采用差动放大器。(2)输入级常采用复合三极管或场效应管,以减小输入电流,增加输入电阻。(3)输出级采用互补对称式射极跟随器,以进行功率放大,提高带负载的能力。,集成运放的结构:,.,(4-10),ri大:几十k几百k,运放的特点:,KCMR很大,ro小:几十几百,Ao很大:104107,运放符号:,.,(4-11),Ao越大,运放的线性范围越小,必须在输出与输入之间加负反馈才能使其工作于线性区。,集成运放的电压传输特性,.,(4-12),4.2电流源电路,集成运放的各级都应具有合适的静态工作点,即要有一定的偏置电流。这些电流是通过晶体管和场效应管构成的电流源电路提供的。,一、镜像电流源,4.2.1基本电流源电路,T0和T1特性完全相同,.,(4-13),则:,IC0和IC1成镜像关系,基准电流IR:,2时:,这是一个相对稳定的值。,.,(4-14),镜像电流源具有一定的温度补偿作用:,优点:电路简单,应用广泛,缺点:IC1较大使得IR增大,R上的功耗也会增大;IC1较小使得IR减小,则需要大的电阻R。,.,(4-15),二、比例电流源,当2时,IC0=IE0=IR,IC1=IE1。则:,基准电流IR:,.,(4-16),三、微电流源,特点:可以采用阻值较小的R,而获得较小的输出电流IC1。,例:P177,可用图解法或累试法求解,.,(4-17),4.2.2改进型电流源电路,一、加射极输出器的电流源,特点:利用T2管的电流放大作用,减小了基极电流IB0和IB1对基准电流IR的分流。,整理得:,.,(4-18),二、威尔逊电流源,特点:IC2高度稳定,则即使在很小时,也可认为IC2近似等于IR。,.,(4-19),4.2.3多路电流源电路,特点:利用一个基准电源可以获得多个不同的输出电流。,即:,P179例4.2.1,.,(4-20),4.2.4以电流源为有源负载的放大电路,一、有源负载共射放大电路,以有源器件替代集电极电阻RC,在交流通路中可以得到很大的等效阻值,进而提高电压放大倍数。,.,(4-21),二、有源负载差分放大电路,静态时:IC1=IC2=I/2若32,则IC3=IC1,IC4=IC3;所以io=IC4-IC2=0,输入差模信号时:iC1=-iC2,而iC3=iC1;由镜像关系:iC3=iC4;,所以:io=iC4-iC2=iC1(-iC1)=2iC1,此时,单端输出的放大倍数接近于双端输出:,.,(4-22),4.3集成运放电路简介,.,(4-23),4.4集成运放的性能指标及低频等效电路,1.开环差模电压放大倍数Aod,无外加反馈回路的差模放大倍数。一般在105107之间。理想运放的Aod为。,2.共模抑制比KCMR,常用分贝作单位,一般100dB以上。,3.差模输入电阻rid,ri1M,有的可达100M以上。,4.4.1主要性能指标,.,(4-24),4.输出电阻ro,ro=几-几十。,5.最大共模输入电压UIcmax,6.最大差模输入电压UIdmax,7.-3dB带宽fH,运放是直流放大器,也可放大低频信号,不适用于高频信号。,还有其他一
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