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文档简介

第一章试题(100分钟，120分钟)一、填空： (每空0.5分，共25分)1.n型半导体由掺杂了极少量五价元素的本征半导体组成。这种半导体中的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴，不可移动的杂质离子带正电。p型半导体由掺杂了极少量三价元素的本征半导体组成。这种半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，不可移动的杂质离子带负电荷。2.三极管的内部结构由发射极区、基极区、集电极区、发射极结和集电极结组成。从三极管引出的电极分别是发射极、基极和集电极。3.当PN结正向偏置时，外部电场的方向与内部电场的方向相反，这有利于大多数载流子。扩散运动不利于少数载流子的漂移；当PN结反向偏置时，外部电场的方向与内部电场的方向一致，这有利于少数载流子的漂移运动，不利于多载流子的扩散。这种情况下的电流称为反向饱和电流。4.在PN结形成过程中，P型半导体中的多数载流子从P区扩散到N区，N型半导体中的多数载流子从N区扩散到P区。作为扩散的结果，在它们的结处建立了空间电荷区，并且其方向从N区指向P区。空间电荷区的建立削弱了多数载流子的扩散，增强了少数载流子的漂移。当两个运动达到动态平衡时，形成PN结。7.调压器是由特殊材料制成的表面接触式硅晶体二极管。其正常运行应在特性曲线的反向击穿区域。三、选择题： (每题2分，共20分)2.通过向本征半导体中添加微量元素(A)来形成P型半导体。A.三倍价格；b .四价；c .五种价格；六个价格。3.齐纳二极管的正常工作状态为(摄氏度)。A.导电状态；b .截止状态；c、反向击穿状态；任何州。5.当直流电压加到PN结两端时，其正向电流为(a)。A.多部分扩散；b .少数群体儿童的扩散；c .少数载流子漂移；d .多子女漂移。6.在NPN三极管上测得的每个电极的地电位为VE=2.1V，VB=2.8V，VC=4.4V，表明三极管在(A)中。A.放大面积；b .饱和区；c .截止区；反向击穿区。10.如果三极管有电流放大能力，必须满足的外部条件是(摄氏度)一、发射结为正偏置，集电极结为正偏置；b、传输结反向偏置、集电极结反向偏置；c、传输结正向偏置和集电极结反向偏置；传输结反向偏置，集电极结正向偏置。四、简答题：(每题4分，共28分)2.有人用测量电位的方法测量了晶体管三个管脚的地电位：管脚12V、管脚3V和管脚3.7V，试图判断管子的类型和每个管脚所属的电极。答：引脚和引脚之间的电压差为0.7V。显然，硅管是基极和发射极，而引脚的电位高于引脚和，所以它一定是一个NPN硅管。根据管放大原理，引脚是发射极，引脚是基极，引脚是集电极。图1-293.在图1-29所示的电路中，已知E=5V，v，并且二极管是理想的元件(即，当认为二极管正向导通时，电阻R=0，当二极管反向阻断时，电阻
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