4MASK 工艺介绍(zhougang).pptVIP

4问工艺介绍，周刚，2，内容，开发4问技术目的，4问技术的发展，天马4问技术开发历程，HTMTeachingMask试验过程，附：SR测量方法简介，3，减少一次光刻工艺，缩短薄膜晶体管制程时间提升产能降低成本增强公司技术实力，增加市场竞争力，开发4问技术的目的，4，4问技术的发展，常规t塔雷工艺，5，4兆字节工艺，6，周G:FromLGM，4问工艺制程方案gtmdatalaineandchannelcdetc、半色调图层工艺选择，11，50乇，扫描速度：110毫米/秒发展时间：70秒，150乇，条件1，条件2，实验条件，12，afterACTDEandPRashing，afterMoDEandn a-siDE，ChannelafterBCE，PR，条件1，13，通道长度约4um，DataESD，GateESD，ESDchannellength约3.7微米，Datalinephoto后6.7-6.8微米，刻蚀后4.4微米，C6:透射率40%，设计沟道长度：6微米，半厚度约3500埃，实际channellength约4um，14，同一面板内像素，不同发射像素比较，channellength约4.5微米，C7:透射率40%，设计通道长度：7微米；一半厚度约4000埃，实际channellength约4.5um，15，活动，维护，活动残留带产生可能原因：由于SDWET和ACTDECDloss不同，因此活跃的刻蚀后阿-斯宽度大于卫生干事宽度，后续工艺PRASHING和演示可能对多余的活跃的带表面污染，导致引导刻蚀过程中活跃的带表层起到钝化作用，刻蚀后残留. AfterSDWETandACTDE、AfterPRashing、ACTIVE残留带公共关系，存在的问题：频道边缘存在活跃的残留，活动，16，改进方向：1.减小SDWET和ACTDECDloss差，缩减残留带宽度(1)SDWET后增加祈祷，减少SDWET后PRCD(有改善)(2)增加ACTDE中化学刻蚀比例（无明显改善)2 .ChannelMo采用湿法蚀刻进行工艺对比（有改善)3 .分析残留带表层物质成分，干刻过程中增加相应秘诀去除（未进行)，条件2，活动残留带去除17岁，条件1，通道，数据线路，活动残留带去除效果对比验证，18岁，台阶基本消失，条件2，通道，数据线，更好19岁，目标值：根据工艺条件设定html文件的后缀层热塑性塑料、半热塑性塑料、蚀刻塑料实验：1 .2 .2米胶厚调整与均匀性控制2.HalfPR工艺调整实验，条件2，20，处理条件照片21岁，处理条件检测，105毫米/s110毫米/s115毫米/秒，快照1快照2快照3快照4、C6区透射率40%，设计通道长度：6微米，单位：纳米，105毫米/110毫米/115毫米/秒，扫描1扫描2扫描3扫描4，单位：纳米，C7区透射率40%，设计通道长度：7微米，105毫米/110毫米/115毫米/秒，扫描1扫描2扫描3扫描4，单位：纳米D6区透射率45%，设计通道长度：6微米，25岁，根据工艺要求：选取溴化六烃季胺区为主要参考条件C6 -，确定光处理条件3360扫描速度：110毫米/秒发展时间：70秒，照片按以上工艺条件提供基板给后段做进一步调试，传输：40，ignchannelLength:6um，测试结论，26，后摄，后摄下看色差较明显，实际扫瞄式电子显微镜检查均匀性尚可，信道化图像，27，Afterphoto:dataCD6.94um，AfterBCE:dataCD4.55um，DatalineCDLOSSabout2.4um，Maskdesign6um，150兆字节出现底切，工艺中调整为50兆字节，数据线损耗28岁，条件2工艺参数，DatalineCDLOSSabout2.4um，29，在操作电脑上打开软件ShortcuttoTANMA_CIM，附：SR测量方法简介30岁，步骤1:选择手动模式，步骤2:PxLOADREQ，步骤3:玻璃信息，步骤4:机器人信息，步骤5:启用，步骤6:玻璃负载、端、负载1玻璃、回收1玻璃，步骤6:恢复玻璃，31，点击：端口1/2视图，弹出对