orcad直流扫描分析(含数据分析)-(2)

电子电路分析与设计实验报告大学计算机械电气儿子信息研究所专业电子信息工程班信11-1名字章*儒家学号11034030139指导老师张涛实验报告分数：_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _直流扫描分析一、实验目的1、掌握直流扫描分析的各种设置和方法。二、实验内容1，使用DC Sweep绘制下图以确定二极管的V-I特性曲线。步骤：(1)，制作直流扫描扫描分析的电路图。将主扫描变量设置为电压源Vi每0.01V扫描-110V到10V。看二极管流动电流曲线I(D1)。(2)，现在调整水平轴和垂直轴坐标以查看门夹电压值。PlotAxis Settings.选择“功能”选项或双击x轴坐标记号以打开“Axis设置”对话框。在X Axis页面的Data Ranges列下，将User Defined值设置为0-2V，在Y Axis页面的Data Rangs列下，将User Defined值设置为0-5A。检查二极管电流I(D1)。(3)，如上所述，如果查看x轴坐标刻度值为-101V到-99V，纵坐标为-5A到1A，二极管电流I(D1)，则表明雪崩电压约为100V。2、绘制以下电路图，使用直流扫描分析(DC Sweep)确定晶体三极管Vce-Ib输出属性曲线。步骤：1)电压源V1和电流源I1的组件属性默认为0。以下扫描类型为线性扫描：2)设置主扫描参数。在“选项”列中，选择“主扫描”选项，然后将主扫描变量设置为电压源Vi(从0V到4V开始)，每个0.01V开始记录一个点。3)在“选项”列中，选择“Secondary Sweep”选项以设置次扫掠参数辅助扫描变量是电流源I1，扫描开始时每0.1毫安为0.5毫安。或者，您也可以在值清单中将它设定为0.1m 0.2m 0.3m 0.4m 0.5m。4)执行模拟分析并审查收集器电流IC(Q1)。5)启动光标以测量坐标值。从曲线上大致可以看出，放大区域中晶体管放大系数为(1.55)。（）元件名称库说明VDCLibrary/Pspice/Sourse.olb直流电压源IDCLibrary/Pspice/Sourse.olb直流电流源Q2N2222Library/Pspice/Bipolar.olb晶体管3、BJT互阻放大器电路。设定NPN型矽管2N3904的放大系数b=100，电路参数RC=500W，R f=10kW，VCC=12V。分析：1)温度在-30C到50C时，如果反馈电阻Rf在每10K的10 kW到50 kW之间变化，晶体管收集器电流IC会发生什么变化步骤：进入仿真环境，绘制显示的回路并设置参数。要特别选取参数“元件”(PARAMETERS)，请设置用户变量rr。(1)，在直流扫描分析中，设置温度扫描，在参数扫描中设置不同的变量RR，以获得模拟后收集器电流IC。您可以在图中看到，当温度在-30C到50C之间时，Rf导入其他值时收集器电流IC如何变化。4、施工极放大器电路，如下图所示。BJT的型号为2N3904(b=50)。请尝试使用PSPICE程序进行以下分析：(1)寻求qpoint(2)为了分析温度特性，观察BJT的集电极电流IC在-30度到70度范围内温度变化时的变化范围。步骤：转到Schematics主窗口以绘制示意图中显示的回路。将Bf值更改为50。(1)设定“直流工作点分析”(Bias Point Detail)以在仿真后从输出文件中获取静态工作点。IB=(33.15) mA，IC=(1.433) mA，VCE=(7.380) v(2)设置DC sweep分析(DC Sweep)，对温度进行-30 70的线性扫描。可以在探测窗口中看到IC随温度变化的曲线。温度在-30c到70c之间变化时，您会看到收集器电流从(1.2724 )mA变为(1.4855) mA。5，电路图如下图所示，晶体管参数为Is=5A，=100 W。要求：(1)，如果其他参数没有更改，是否需要调整？即可从workspace页面中移除物件。(2)，如果其他参数不变，需要调整吗？即可从workspace页面中移除物件。(3)，如果其他参数保持不变，Rb=？(4)，如果其他参数不变，需要调整吗？步骤1，绘制电路图。电源Vb直流扫描，模拟后波形显示，起始标尺，城市，(928.571mV)。2、其他参数保持不变，电阻Rb直流扫描，模拟后波形显示，起始标尺，时电阻Rb=(13.043k)。3、其他参数保持不变，电阻Rb直流扫描，模拟后显示Rb功率波形，起始标尺，如果Rb功率为21uW，则电阻Rb=(3.6440k)。(Rb功率表达式为I(Rb)(V(Rb :1)-V(Rb 33602)。4、其他参数保持不变，电阻Rc直流扫描，模拟后波形显示，起始标尺，时电阻Rc=(4.9418k)。三、实验经验此次DC扫描分析实验主要是pspice的DC扫描分析模拟实