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文档简介

陶瓷烧结过程中，陶瓷成形体(坯料)是陶瓷粉体聚合而成的多孔体，气孔率一般为35-60%。 在高温条件下(熔点0.5-0.7 )，由于物质移动，基体体积收缩，气孔被排除，形成致密的多晶陶瓷体的烧结烧结，气孔形状的变化、气孔率的降低、密度的提高(致密陶瓷相对密度98% )、晶粒生长、烧结的驱动力， 粉体表面能和界面能的差传递过程扩散传达物质溶解析出蒸发凝聚传达物质粘性流动、烧结过程粉体粒子间的粘结、致密化结晶粒生长晶界相影响烧结的因素温度、气氛、压力粉体活性烧结助剂、烧结方法、常压烧结热压烧结热等静压烧结电弧放电烧结微波烧结自扩散烧结，常用于制造氧化物陶瓷烧成制度：各阶段的温度点、升温速度、保温时间、降温速度裸烧、钵、窑炉类型、分批式：箱形电炉贝尔窑、梭式窑连续式：推板窑、辊窑隧道窑、电炉发热体、马弗炉：金属合金线(1100C ) 硅钼棒，MoSi2(1700C )氧化锆，(2000C ) .钟形窑，梭式窑，辊窑，推窑，隧道窑，促进烧结的方法，高密度、高均匀性的成型体烧结助剂形成低温液相形成固定界面，抑制晶粒生长，真空气氛烧结真空电阻炉：钨线或石墨发热体(2000、2300C，高真空，能通过惰性气体的N2，Ar )管式气氛炉：电热线、硅碳、硅钼非氧化物陶瓷烧结、氮化硅陶瓷的无压烧结、氮能够形成液相的氧化物烧结助剂(Y2O3-Al2O3、MgO-Al2O3-SiO2)以氮化硅为原料，1420C相成为相，有利地烧结，并且该相为柱状晶，力学性能好。 埋粉(si3n4: bn:MgO=533533534533601 )为了抑制氮化硅的分解，氮化硅的气压烧结(GasPressureSinteringGPS )为了抑制氮化物的分解，在N2气压1-10MPa的高压下燃烧氮化硅的常压烧结温度低于1800C，与此相对，气压烧结温度上升到2100-2390C。热压烧结(HotPressing，HP )，在加热的同时施加机械压力，增加烧结驱动力，促进烧结粘性流动塑性变形的晶界滑动粒子的变位一般采用石墨模具，表面涂层氮化硼，防止反应，热等静压(hotisosos 以高压气体为压力介质，在高温环境下对陶瓷材料(封入的粉体和基体或烧结体)施加等静压，实现高致密化的一般用玻璃封装HIP的特征：降低烧成温度，缩短烧成时间，或者不使用烧结助剂，制造提高陶瓷性能和可靠性的复杂形状的产品利用微波烧结、微波与材料的相互作用，介电损耗使陶瓷素体本身发热，烧结加热快，整体均匀加热，无热惯性的烧成周期短，就能实现局部加热修复等能效高的热源污染，材料与微波的相互作用，微波透过材料(无吸收):石英加聚四氟乙烯微波反射材料：金属微波吸收材料(损失介质):低温吸收比某温度急剧增加： Al2O3、MgO、ZrO2、Si3N4等在室温下高吸收： CaCO3、Fe2O3、Cr2O3、SiC等材料与微波的相互.放电等离子烧结(sparkplasiintering，SPS )，直接向模具和样品施加大的脉
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