只读存储器(ROM).ppt

3.6只读存储器(只读存储器)、分类、掩模只读存储器、可编程只读存储器(可编程只读存储器)、可擦除可编程只读存储器(可擦除可编程只读存储器)、描述：掩模只读存储器、可编程只读存储器，在生产过程中，在掩模板的控制下写入，内容是固定的，不能改变，内容经用户编辑后可以写入，一旦写入就不能改变。紫外擦除(约20分钟)，EPROM，存储的数据可以更改，但重写很麻烦，工作时只读，电可擦可编程只读存储器或电可编程只读存储器，电擦除(数十毫秒)，1，固定只读存储器(屏蔽只读存储器):用户专用只读存储器，用户将程序代码交给集成电路制造商，制造商在芯片制造期间将用户程序代码固化在集成电路的只读存储器中，用户在使用期间只能读不能写。2、可编程只读存储器(PROM)，PROM存储的数据，由用户自己根据要求编写。但是，它只能写一次，不允许第二次重写。适合小批量试生产，有安全位，可加密。价格更高。适合大规模生产，性价比高。3、可擦除可编程只读存储器(EPROM)(在程序调试期间使用)，EPROM:可以用紫外光擦除只读存储器中的所有信息。擦除几分钟，然后用一个特殊的程序员来编程和写。EEPROM:用电擦除只读存储器，并直接用编程器上的电压信号擦除。重写和擦除同时进行。擦除时间为20毫秒，EAPROM:在系统中直接擦除和重写，可擦除所有内容或仅擦除部分字节。正常使用只能读不能写。只读存储器中的数据可以存储520年而不丢失。只读存储器结构、译码驱动、MXN矩阵字X位、读出放大、选择电路、A1、A2、An、W0、W1、WM-1、B0、B1、BN-1、字线和位线由三部分组成：地址译码器、存储矩阵、读出放大和选择电路。当地址解码器选择一条字线时，同时读出该字线的几个位。212=4096字XN位，(N=8，16，32)，地址码输入，12位地址，读写控制，1。静态随机存取存储器，静态随机存取存储器的静态存储单元。整体结构为2。动态存储单元，1。掩模只读存储器，以及使用金属氧化物半导体工艺制造通用大规模集成电路只读存储器。工艺简单，集成度高，批量生产，所以成本低，销售价格低。2.可编程只读存储器，3.6.1只读存储器的结构和工作原理，1。基本结构，1。只读存储器结构示意图，地址输入，数据输出，-N位地址，-B位数据，最高位，最低位，2。内部结构示意图，存储单元，数据输出，字线，位线，地址解码器，只读存储器存储容量=字线的数字线数量=2NB(位)，地址输入，3。逻辑结构示意图，(1)大中型集成电路中逻辑图简化图的一致性是连接和硬连接的。它不能通过编程来改变。编程连接可以断开、断开，与门、或门、缓冲器、同相输出、反相输出、互补输出，以及(2)逻辑结构示意图，2n个与门构成N位二进制解码器，输出2n个最小项。1、只读存储器的基本工作原理。电路组成，二极管或门，二极管和门，位线，字线，输出缓冲器，2。工作原理、输出信号的逻辑表达式、字线、位线、地址解码器、存储单元、地址解码器(字线)和存储矩阵(位线)。0，1，0，1，1，0，1，0，0，1，1，1，1，1，1，1，1，0，1，1，1，1，字线W和位线D的每个交叉点都是存储单元。当结与二极管连接时，它相当于存储1，当没有二极管连接时，它相当于存储0。交点的数量是存储单元的数量。存储容量=字数位数，=4X4，结还可以连接三极管、MOS管等。只有W0为1，其余为字线0、0，1，1，0，输出信号真值表，0101，a1A0，d3d2d1d1d0，1010，0111，1110，3。功能描述，(1)存储器，(2)函数发生器，地址，存储数据，输入变量，输出函数，(3)解码代码，字线，代码，0101，1010，0111，1110，A1A 00，00，01，10，11，输入变量，输出函数，3.6.2只读存储器应用示例和容量扩展，1，只读存储器应用示例，使用只读存储器实现以下逻辑功能，示例3.6.2，Y1=M (2，3，4，5，8，9，1)存储容量，存储数据的存储容量，包括存储单元在内的存储器总位数。存储容量=字数，字-字，bit-bit,1k1:1024字，1位存储容量1k每字，1k 4:124字，4位存储容量4k每字，25683360256字，8位存储容量2k每字，64k 16:64k字，16位存储容量1024(1M)每字。2.存储容量和地址位之间的关系，存储容量2564，8位地址，256=28，4位数据输出，存储容量8K8，8K=8210=213，13位地址，8位数据输出，3。通用EPROM，2764:27128:A0A12，8K8 (64K)，13位地址输入：8位数据输出：O0O7，输出使能端子，1输出为高阻抗，0使能，芯片选择端子，ROM有效，而(任意)ROM无效。输出为高阻抗，16K8 (128K)，16K=16210=214，27256:32K8 (256 K)，32K=32210=215，2764，0，1，其他常用EPROM，4。ROM容量扩展，地址总线，8位数据总线，16位数据总线，D(70)，D(158)，8位16位，地址线合并(共享)，输出使能端和芯片选择端合并(共享)，数据输出端分为高8位和低8位，方法，(1)字长扩展(位扩展):(2)字线扩展(地址码扩展-字扩展)，两个4484:四个32k8432k8:15位地址输入，2位地址添加，4 同时扩展的内存位和字，示例：使用只读存储器生成一组多输出逻辑函数如下，解决方案：只读存储器位图是以最小项的和的形式获得的，PROM应用示例：只读存储器用于(1)列状态转换真值表：(2)从真值表中写入最小项的和表达式。W=m(815)，X=m(411)，Y=m(25，1013)，Z=m(12，56，910，1314)，根据最小项绘制与或位图，先绘制地址译码器，四个变量，八个输入，十六个最小项，8X16数组。然后绘制或排列，只有四个输出，每个输出按照最小项加表示。总共4X16阵列。、0，1，2，3，4，5，6，7，8，9，10，11，12，13，14，15、W=m(815)，X=m(411)，Z=m(12，56，910，1314)，和数组：不可编程，必须绘制所有最小项目。或阵列：可编程，根据需要选择。选择可编程只读存储器，可编程只读存储器实现：制造：可编程只读存储器地址码A3A0=ABCD，然后PROMQ 3 Q0=WXYZ，Y= m (2 5，1013)，2。使用只读存储器实现组合逻辑功能，例如：使用只读存储器实现全加器，全加器真值表：0，1，1，0，0，1，0，0，0，0，0，0，0，0，1，1，1，1，1，最小项的和表达式，S=m(1，2，4，7)，C0=m(3，5，6，7)，绘制位图：，0，1，2，3在控制面板的作用下，依次分析输出8421BCD码的WXYZ端子的状态，并说明电路的功能。WXYZ顺序输出3141592653589793的8421BCD码。该电路是一个能够产生16位的函数发生器。模块16计数器，3。字符发生器由只读存储器实现。常用的点阵字符规格有9X7、7X7和7X5。例如，7X5点阵用于说明如何显示字符r，列真值表：地址码输出，写最小项的和表达式，D4= m (1 7)，D3= m (1，4)，D2= m (1，4，5)，D1= m (1，4，6)，d0= m (1 4，7)，r字符占用存储单元：7X5=35。如何实现多字符显示？输出是7