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一类环金属铂(II)的配合物及其高性能

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一类 金属 ii 配合 及其 性能 机能
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一类环金属铂(II)的配合物及其高性能,一类,金属,ii,配合,及其,性能,机能
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一类环金属铂( 配合物及其高性能 绿色有机发光器件 期刊: ,2011,47,33833385 作者: hu 录: 13010, 7011 编号 : 光 环金属铂( 配合物已经被证明显示绿色的电致多层,使用双发光层的有机电致发光器件( 高电流和外部量子效率分别为 38.9 有机电致发光磷光器件( 展备受关注,因为在过去二十年中,由于其在平板显示器和固态照明的在这两个方面的应用潜力。一般认为,该重金属原子进入有机电致发光器件( 发光层( 增加自旋 耦合轨道,从而有利于从单线的间窜越到三重态激发态。因此,无论是单线态和三线态激子都可以被接收后的电激发所产生发射的电子 - 空穴再结 合,理论上导致内部量子效率达到 100。自从由 一次对红色电致发光铂 (基础的报告,着重于自己的发光过渡金属络合物 制造中使用的设计和合成进行,已经有显著的研究。 除了铱( 体系外,铂( 合物也被广泛地研究,构建 金属铂( CN苯基 2,2二吡啶和 1,3二吡啶基的苯 NC示强烈的磷光和光电致发光。除了 6苯基 2,2二吡啶和1,3二吡啶基的苯作为环金属化配体,另外还有一个有趣的类 环金属 N C2,6双( 0基)苯。虽然大多数的研究都主要集中在钯( 铱( 合成和光谱性质。有趣的是一直没有关于铂( 体配合的光物理性质合成报告。而芳环吡啶铂( 合物已被证明具有强 像以绿色发光铂( 主的 道数量有限。更重要的是,到现在为止,以高效铱( )为基础 )为基础的绿色发光 因此,有必要寻找新的绿色发光铂( 料与和优越的器件性能。直到最近,几个例子具有高效率 铂( 色发光的例子已成功发表。在这里,我们对铂 (合物 2,6二( 2 基)苯进行描述,合成,表征及其光物理性质。鉴于已知在 用配合物的掺杂剂制造一个具有的中性不带电的性质的配合物。该 部量子效率( 越性能。尽我们所知,迄今为止研究报道的绿色发光的高外部量子效率最高值之一是 铂( 系统,在此领域以铂( 主的 合物。 根据 合物 1 的分离通过用 冰醋酸中回流条件为黄绿色晶体。 1 两个独立的分子被发现在不对称单位。如图 1 所示。在铂( 属中心显示了一个扭曲的正方形平面的几何形状,由于环金属 NC发现 ,这是略长于那些在铂( 察到的 6苯基 2, 20联吡啶( CNN)基团的配合物。这已被归因于由所述 NCN 配体的阴离子的苯环,这将削弱的 施加的旋转影响。如该图所示。 1合物 1在二氯甲烷中的电子吸收谱表明强的吸收在 约 296被指定为 兀 兀 * ( 共轭环金属 NC图 1所示。 图 1 透 明配合物 1 的两个独立分子之一。省略了氢原子和溶剂分子的清晰度。 ( b) 吸收以( c)发射光谱 1 在二氯甲烷中于 298 K 插图 :1 在紫外光照射下的二氯甲烷溶液的照片。 另外,对在约 402 据对相关铂( 前的研究 合物,这种低能量的吸收带暂定为环金属 NCN 配体的 渡,可能具有金属配体电荷转移的一些混合 (t) - p*(NCN) 过渡。在室温下在 1中加二氯甲烷溶液,在其发光带结构。观察到在纳米 506辨电子振动在 =380 1c)。 350应于环金属 NC反映有环金属配体的激发态的参与。在 移下,长时间内在微秒范围显示有三重关系。在分子振动结构的发射光谱带主要来自三重环金属NCL激发态。更重要的是, 1表现出强烈的绿色发光的二氯甲烷溶液在室温下(图 1 其对应物与 2,6 - 双(苯并咪唑 基) - 吡啶 (高得多。在文献中报道的更好荧光量子的高产率有可能是因为阴离子和提供的环金属配体的苯环在铂( 合会引起比中性较大的 为综合因素的产物,所述的 发态的猝灭基本上被抑制。激发发生在 =410毫微米,配合物 1( 6的聚甲基丙烯酸甲酯)的固态薄膜表现出相似的绿色分子振动结构的发射波段在 505,指定为 兀 - 兀 * 共轭的磷光电致。此外,发现光致发光 量子产率是 这比在溶液中要高得多,从而导致低效率的非辐射失活的更大的刚性。制备了多层 70( 5( 30( 30 ( ( 200用不同的浓度的 1( 2, 4,6,和 8)作为磷光掺杂剂, 将 作空穴和电子传输层 ;而 用作载流子约束层和基质材料。图 2a 给出了用不同浓度的 1掺杂到 0 mA 。相一致的 1 在二氯甲烷中的发射光谱中, 谱示出了具有最大值的分子振动结构的发射在 511, 548 和 594 , 宿主有效的放热能量转移到磷光掺杂剂 1 的特征。有了 1 三重态能量和 支持这样可以进一步的研究。假设分子振动结构,在 506兀 - 兀 * 的过渡, 1在 由于 有 三重态的高效放热能量传输到 1 的三重态会出现给定的理想的 致 1优异的三重态激子限制在发光层内。然而,值得注意的是,观察到 1在 80不完全电子跃迁为 2,由此证明: 置,它主要来自于电子传输层的 荧光。在将 光的观察可以通过,仅有 界面的最高占据分子轨道( 平差异可以容易。如图 2 所示( 示出了 过文献分别知道 低未占据分子轨道( 有机材料的水平和三重态能量,而对 的 估计从循环伏安法和紫外线光发光能谱( 在二氯甲烷溶液, 1显示阴极在 时标 准甘汞电极(相当于 而 图 2所示,不存在空穴注入由 此,如果有不完整的电子跃迁由 1 中的发光层(特别是在非常低的掺杂浓度的情况下),将有很多跃迁到电子传输层的 致 480的不希望的蓝色发光。值得注意的是,它也观察到 1( 高得多。 为了提高器件性能和颜色纯度,将 1 掺杂到两个带隙宽的基质材料, - ( 4 - 联苯基) 苯基 ( 4 - 叔丁基 - 苯基) - 三唑( 以形成双边的 别是,保持为 1的浓度掺杂到 6),具有 70( 5 1的结构装置: 30: 10纳米) / 30( ( 200 1的不同浓度( 2,4, 6,和 8)掺杂到 有研究表明,引入双边 效地提高设备的性能及颜色纯度。 图 2 标准单边 0 mA 谱 如该图 2所示 9 2119 不像其它大多数铂( 体系,其中,所述 发现在掺杂剂证聚合,从而显示出明显光谱的移位,驱动电压的从 5 V,在跃迁分子发光的 立的电压下,由于配合物 1通过铂形成聚集体 t/ 时,随着双边 设备已被发现以达到优异的性能 。对于优化的单一 备,已获得最大电流效率 D 们分别对应于电流密度 图 3 所示。随着引入双重 这些单边 件,无论电流效率和外量子效率都增强近两倍,特别是, 1的 最大电流效率 D 应的事是 电源效率 : 3b)尽我们所知,在研究来报道的 系的是有史以来最高效率值之一。这清楚地表明,配合物 1 是作为绿色发光的 光掺杂剂具有一定优越性。 图 3 ( a)单边 b)双边 ( 2, 4, 6和 8)下作为 总而言之,一类新的荧光环金属炔基铂( 合物在室温下已被合成并显示出强烈的绿色磷光。此外,多层有机发光器件( 经成功地制作,中高电流效率和外量子效率分别为 D 在条件合理下,器件在 参考文献 1 (a) M. A. D. F. OY. A. . M. E. on 1998, 395,151; (b) M. A. S. M. E. R. 1999,75, 4; (c) M. A. . E. T . R. 2000, 403, 750;(d) . K. L o , M. J. . . 2004,85, 3911. 2 (a) C. R. C. P. V. . A. M. E. . R. 2001,79, 2082; (b) S. P. I. F. . D. L. . E. J. 2002,92, 1570. 3 (a) K. M. C. X. L. L. N. V. W. W. . S. 2005, 2906; (b) V. K. M. . M. C. D. P. K. M. Y. N. W. W. J. 2010, 132, 14273. 4 (a) B. P. I. S. B. E. 2006, 16, 2438;(b) B. W. DJ. V. M. E. Th 2002, 14, 1032; (c) M. . A. N. D. 2009, 10, 863; (d) G. Zh . C. L. . Y. . Ma . 200 9, 3574;(e) U. S. E. J. S. W. H. H. . J. B. E. A. B. . A. 2009, 95,233304. 5 S. C. F. I. H. T. C. C. C. C. W. B. . C. M. . F. J., 2006, 13, 417. 6 (a) M. D. V. D. L. . 2007, 17, 285; (b) M. . L. J. A. G. . 2010, 11, 388; (c) M. V. G. . 2009,94,073309. 7 (a) C. M. A. M. E. . R. J. 2001, 90, 5048; (b) Y. . . J. 2004, 43, 7729;(c) S. P. D. F. . E. C. P. E. S. R. E. J. 2001, 123, 4304. 8 Y. L. P. C. C. S. Y. J. K. Y. H. . T. S. M. . H. Y. A. J. C. F. . I. 2004, 23, 3745. 9 R. F. A. F. . J. 1997, 548, 45. 10 T. S. S. K. N. T. . K. 2005, 44, 4737. 11 A. Y. Y. W. H. K. M. C. N. . W. J., 2008, 14, 4562. 12 K. R. J. J. H. . . 2004, 95, 7798. 13 I. Y. . J. 2006, 99,073501. 14 (a) S. H. J. . Y. 2007, 90,223505; (b) J. . S. H. Y. J. F. . 2008, 93,123306. 15 No be to of 16 R. J. B. W. DS. R. X. J. Li E. 2003, 83, 3818. 011 2011, 47, 33833385 33832011,47,33833385A I) hu 3010, 7011I) to in 8.9 in in to in It is of of to be to a 1on I)et 1on of a on in r(bd,2,7I) to I) CNN 0CN to 0,3as of CN ,60on of I)910no on of I) of I) of to L, a of on I)up to of I)is of d,7is a to I) of I) b,we of I),6of as an in in To of QE in is of I)e,6b,I) of in of I) by 21in as in 1a in I) a to of CN tto , is in I)0NN) to by of CtCl 1b, in 296360 is as p - p* of CN +852 2857+852 2859, 67389. 2 0126 011 on | 0 2011, 47, 33833385 011In a at 402 nm I)1as L of N of a t) - p*(NCN)In at 506587 nm a .3 ms at l = 380 1c). of 1350 to of Cin of in in of an of pp* of CN 1 at 1c) a PL of ,611L be to in of I) a dd of in of by at l = 410 of (6 a at 505 pp* In to in is to of to of to of (70 4,40,400(51:4,402,20(30 43000 (2, 4,6, %) as a BP as a 2a L a at at a 0 mA in L a 11, 548, 94 of BP to . be by nm as 0 a ET)be BP a 2an BP to it is is by of L 80 nm 1:of be by of of 4 In 1 a to 15to eV PS As BP if in of 16be in 80 (is BP to to 1 -(441,2,4In BP 6%), 0 5 6% 1:30 1:10 1 (a) of of of . (b) c) in 98 K. of V 2 L of a) ML b) at a 0 mA 2 0126 011 on | 0011 2011, 47, 33833385 3385(30 0.8 200 , 4, 6, %) AZ of to As 2b, no in L a at 9 2119 I)in L to to a ad,6b,L of .5 5 V ( L be to of to or pp in by to an ML a 7.8 a to a QE at a mA 3a). of QE a of ML 8.9 QE a 7.2 mA be % 1:3b QE in of I)is a as a a of I) to at In in QE 8.9 be in of a by 8). of a We C. S. s W. Ng a) M. A. D. F. OY. A. . M. E. . R. 1998, 395,151; (b) M. A. S. M. E. R. 1999, 75,4;(c) M. A. . E. . R. 2000, 403, 750;(d) G. M. K. M. J. . . 2004, 85, 3911.2(a) C. R. C. P. V. . A. M. E. . R. 2001, 79, 2082; (b) S. P. I. F. . D. L. . E. J. 2002,92, 1570.3(a) K. M. C. X. L. L. N. V. W. W. . S. 2005, 2906; (b) V. K. M. . M. C. D. P. K. M. Y. N. W. W. J. 2010, 132, 14273.4(a) B. P. I. S. B. E. 2006, 16, 2438;(b) B. W. DJ. V. M. E. . R. 2002, 14, 1032; (c) M. M. A. . D. 2009, 10, 863; (d) G. Q. C. L. . Y. D. Ma . 2009, 3574;(e). J. . E. A. B. . A. 2009, 9
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