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先上个图，这是值得研究的波形四个点，绿色的为MOS驱动波形，紫色的为MOS电流波形，蓝色的为VDS波形今天分享第个点波形产生的原因第个点就是传说中的米勒效应平台，再上个MOS管的图三个电容分别为MOS的结电容，这里不多说。在MOS导通的瞬间，会经过米勒效应区（可理解为放大区），输入电容CGSC1C2,此时的C1不再是静态的电容，而是C1CDG1A,A是放大系数。当驱动电流（IGCGSDVDS/DT）给CGS充电时，由于米勒效应等效到输入端的电容会放大N倍，输入电容突然增大，所以导致了充电电压的一个平台，有时甚至会有一个下降尖峰趋势平台（如上图），而这个平台增加了MOS的导通时间，造成了我们通常所说的导通损耗。其实米勒效应描述的就是电子器件中输出和输入之间的电容反馈。上图中，LS为漏感，LM为激磁电感，CS为分布电容，CD和CDS分别为肖特基和MOS的结电容。下面分析点电流尖峰波形产生的原因在开关导通之前，输入电压和电感的感应电动势对结电容CDS和分布电容CS进行了充电，在Q1接通的瞬间，CS和CDS瞬间放电,产生电流（路线和路线）叠加到MOS管。如果是反激的话，次级关断，D1由于结电容产生反向恢复电流，经过线圈反射到初级，如上图的路线。如果是DCM模式，由于二极管中在MOS导通前已经没有电流存在了，所以在DCM中这部分尖峰电流没有。总结一下就是由上面的个通路产生了开通瞬间的那个电流尖峰。如有误区，请大家指出先讲第点吧，因为第点我暂时也说的不清楚，这个看起来图比较明显，为什么在DCM模式下才会有这个振荡我们知道在DCM模式下，有一段初级电流和次级电流都为0的死区时间，在这段时间内，初级激磁电感LM会产生反电动势去阻碍初级电流为0（电感总是阻碍电流的变化），CDS先是放电，等放到VIN时，LM两端电压相等（因为LMLK，忽略LK），为阻碍电感电流为0，LM产生反电动势，同时对CDS进行充电，当充电电压到VINVOR时，CDS又开始放电，如此反复发生阻尼振荡，就产生了我们看到的这个波形，谐振频率F1/2根号下LMLKCOSS。而VDS前面那个尖峰振荡频率高很多，是因为只有LK和CDS发生阻尼振荡，谐振频率F1/2根号下LKCOSS。欢迎大家提出疑问在副边整流二极管开通后，原边漏感储存的能量一部分进入了RCD吸收电路，一部分给MOS管DS电容充电，在MOS管管断后，VDS电压最高充电到输入电压反射电压尖峰电压。当吸收阶段完成后，由于MOS管DS电压高于输入电压反射电压，接下来是不是DS电容与漏感会产生一个谐振MOS管输出电容通过漏感给输入充电，由于漏感很小，反向电流相对较大，而这个电流时通过取样电阻的。同时由于这部分能量很小因此很快就衰减到零。我只能理解到这一点，不知道对不对。我说的是MOS管的DS电容，这个电容是跟MOS管并联在一起的，当MOS管开通的时候，DS电容放电，电流由电容上端经MOS管的D到达MOS管的S，然后回到电容的下端，因此这个
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