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文档简介

20152016第二学期微电子制造工艺技术考查卷班级_姓名_学号_成绩_一、名词解释（共25分）1请阐述摩尔定律的内容。4分）2请对如下英文缩写给出简要解释（每空3分）ICSSIMSILSIVLSIULSIGSI二、简答题（每题5分，共25分）1、半导体工业由那几部分构成2、物质的状态分为几种分别是什么3、晶体缺陷主要有几种4、请描述热处理的工艺过程5、光刻的目的是什么三、简述题（每题15分，共30分）1、请描述光刻的工艺流程。2、防止人员污染的措施有哪些四、计算题（20分）假设晶元生产良品率90，晶圆电测良品率70，晶圆封装测试良品率92，请计算晶圆整体良品率。20152016第二学期微电子制造工艺技术考查卷答案一、名词解释（共25分）3答摩尔定律芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。4分）4请对如下英文缩写给出简要解释（每空3分）IC集成电路SSI小规模集成电路MSI中规模集成电路LSI大规模集成电路VLSI超大规模集成电路ULSI特大规模集成电路GSI巨大规模集成电路二、简答题（每题5分，共25分）1、半导体工业包括材料供应商、电路设计、芯片制造和半导体工业设备及化学品供应商。2、物质有4种状态固态、液态、气态和等离子态。3、晶体缺陷主要有点缺陷、位错、层错、微缺陷。4、热处理是简单地讲晶圆加热或冷却来达到特定结果的工艺过程。5、光刻的目的在半导体基片表面，用图形复印和腐蚀的办法制备出呵护要求的薄膜图形，以实现选择扩散或注入、金属膜不限或表面钝化等目的。三、简述题（每题15分，共30分）1、请描述光刻的工艺流程。基片前处理涂光刻胶前烘曝光显影后烘刻蚀去胶2、防止人员污染的措施有哪些1）把工作人员完全包裹起来选择无脱落材料全封闭的洁净
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