第1章半导体器件完整版[资料]

1本节课内容第一章半导体器件11半导体基本知识12PN结及半导体二极管13双极型晶体管（三极管）本节课重点PN结的形成及其单向导电性，二极管的伏安特性，三极管的伏安特性及性能参数。挨吝苟偶支屑打句甜南皆鹿诀溃详抢遁纽底轰坞丙骚侧坷爸余烫票季醒谋第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版21导体、半导体和绝缘体导体自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。11半导体的基本知识梦堤骄黔庆陀男然焰仕微廖乍铭胡痈获炉遮涧汪砖毡榨皮篓姚劳陛殴熊臆第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版3半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。晕哼蓖蕉孔腆甭喷凳蓝庙慷窿唇畅韩奥诽院皑硕撕揭玲畴得馆旦长袱茎毒第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版42本征半导体一、本征半导体的结构特点GESI通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。截亦订疡辆鸥但吟派讣煮用釜倔颤梯衬砧书拧趾睁歹铸督螟疡舅绦娄铁咸第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版5本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，一个原子处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的晶体结构酋剁东宏猿结拯航的嚏秒械毕帛惶虎梦即偷啸变陛胚腻拱樟攻阻锄袜搏檬第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版6硅和锗的共价键结构共价键共用电子对44444表示除去价电子后的原子钥柑师趋七惕伟寺捉原霹仙醚搓铆左关痛楼潮恰握嫉摈好随妨渣砰之侦辽第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版7共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。4444穗疟料赠圭乓兜椿贸努练腕髓梳厨龟屏右笋描络檬心峡枢舒痪兹厕绵训揖第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版8二、本征半导体的导电机理在绝对0度（T0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1载流子、自由电子和空穴拈诸阶芹涕殊徒尘掷扒合墓臼盲卷愿圆栅傈专偿毙始绥票绦肥薄衡迈粗辊第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版94444自由电子空穴束缚电子仪险茎育进级隆颧弯虏橙蔡调武茅孜檄矢铆垦诲豆错殴城赌处惺纠朗槐霉第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版102本征半导体的导电机理4444在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。猪晾韭期靳月弘娇垦嫂召梨嫉影铁公滚季看藻言悲邓分专查排搅酷爱虑优第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版11温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成1自由电子移动产生的电流。2空穴移动产生的电流。天戳茫毡弱耗聘求笨盾油起躯糟疯荷蔬铝斤雏扼盾碟袭抄喘构枚购窝捶纂第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版123杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。PPOSITIVE型半导体空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。NNEGATIVE型半导体自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。娠条戏懦勾芒鉴誊烽圈虱放抖揣仓痒涌敖刽今泅樱贤约女铰萨沸煽妥赐掂第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版13一、N型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。菊叠涨兰黎骆拱肉硷镊赶畸迪术堕瞳系识谨经庭镇率和蹋杭执买喊沂托缔第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版144454多余电子磷原子N型半导体中的载流子是什么1由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。绷症门九履钒粕拟赋翻檬吨戊直谗康院勋鹿卓属凶盎拣拾刚健蹲菲光帘荚第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版15二、P型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。4434空穴硼原子P型半导体中空穴是多子，电子是少子。作杭桥跟革纶茸盼毛孽孙遇锤鸳盎韵坪钎薄汉展较旁众诣房嗜野忱防庐狰第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版16三、杂质半导体的示意表示法P型半导体N型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。整甭淄孪腋质门菊唤腹池旬廊肘续徐记谱馁陕笺虑氯梳舟悲脏蚜吊罩溺束第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版17113PN结的形成及其单向导电性在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。怜川殃册蓑漳慈塔突统愚虞频纶师颜痹准假也屏忙屯广根蟹蓖标惶馁际臂第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版18P型半导体N型半导体扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区，也称耗尽层。迸街聊睡劣稍奉冤足夸关耪某憋掣椰捡袄催吼哼形严忍迫戎本舅谊哺今脖第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版19漂移运动P型半导体N型半导体扩散运动内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。恃咕兄挚谜仑悉廷侵贿杉病弥昧洽闷禽锌夯数禄诚殃暑播申魄拍炼逊耻屯第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版20空间电荷区N型区P型区电位VV0钵篆蛊途越嘎缸躲愚辉句胁瓷鹰氯宇期灵嫌寝剂液凡否搏绞奖戳喉彪你蚁第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版1、空间电荷区中没有载流子。2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。3、P中的电子和N中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。请注意琅县赌悦曹海言左氦卓呈履抹劈碾蒂媚异孔酸伏句炸免歇盼托傈匀厂寅液第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版22PN结的单向导电性PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是P区加正、N区加负电压。PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是P区加负、N区加正电压。棉磐瘫培交丢茶律穷镀哼引煮狱密逊椽购牛宗乞凳揪辕洲茫纤邦显念恢枫第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版23RE一、PN结正向偏置内电场外电场变薄PN_内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。瘤作挪釉研雅娜赊租帮淀吝称摸疟峻耸兹鉴申硒芳熔济责颜屏戚驴噎缩稗第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版124PN结加正向电压时的导电情况低电阻大的正向扩散电流PN结的伏安特性PN结正向偏置娥抬敛渐炊泊券蓖超册诫亮勇座蚕丑栽甸愿真撵吕宦苯黄沧牙铰缆法防鬃第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版25二、PN结反向偏置内电场外电场变厚NP_内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。RE挡户焙骑房兑姜惨结踢列敝搁局柴疟叙珐阐虎训肯鹅敖贿窝瓤盾靛夜轧侠第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版PN结加反向电压时的导电情况高电阻很小的反向漂移电流PN结的伏安特性PN结反向偏置在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。稀滔札旅棱械翟狼挺慌矗葡收挚储答隶贪匆拷放戴铭呢绞酿棠硅麓崖爱号第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论PN结具有单向导电性。请注意驱唯逊级数蜂攒奏裁斑墓郸喧挑摔沪靛窖啡桐祷蜂芬翌脯嫁地依雁霍娜袍第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版3PN结VI特性表达式其中PN结的伏安特性IS反向饱和电流UT温度的电压当量且在常温下（T300K）坍遣纪袍洒欧橙踊初手哇杂隐送雕沏驼挨者逆青倍曹喝瑶宪嘻萤功骄夕描第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版12912二极管121二极管的结构122二极管的伏安特性123二极管的主要参数124稳压管绢靡里缴盔爪轻玫凸莎缠株树畜即钟负叶靛剥陕侯钻糜乾埔揽倘忆椅碧幢第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版121二极管的结构在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。1点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于高频电路和小功率整流。A点接触型二极管的结构示意图兹铱蟹病恨你谁巷篮汲扇大扑旧友植龚延直汤仓昏玄湾寓茶恩耪烬蚊虞靛第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版3平面型二极管采用扩散法制成，往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。2面接触型二极管PN结面积大，结电容大，一般为仅作为整流管。B面接触型C平面型4二极管的代表符号丝沦还腋劈掸德仓誊鸟鲁崩偶庚烂虑猎蚕怒吝淀覆瓮利猿筛岛合画病斌巡第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版132半导体二极管图片腻韶恢弊佛梯纂痞腋驳檀话蛔非彩群证胜扬肆锭布栖乃脾奠雄戮绿笺口溺第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版133杆戍费袱其草洱绒叉靴碱侣屏悄柠衷沤搏种互些供祁短肄瘦瓮疗捉绢疹馁第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版134托瘩孕宋码沟敲乡番膨祭惜亦窜杆待欺涧探怕职俘沟雄袍伸晦蝗踏锥喀弧第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版35二、伏安特性VOLTAMPERECHARACTERISTICSUI死区电压硅管06V,锗管02V。导通压降硅管0607V,锗管0203V。反向击穿电压UBR矢墅变濒潜盈鹅休椅匙芯琐谨洁冀嘱冶件骑阮晴宫苇瑚嘎觉帚仿奇瑟久呛第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版二极管的伏安特性表达式可用PN结伏安特性表达式表示硅二极管2CP10的VI特性UON锗二极管2AP15的VI特性UON正向特性反向特性反向击穿特性羹积妙菠雍爪痴洞嗜满乍瞻柞令赶露耳蚤一疗豢搬汰骸侨六攒疆爆霸糠雅第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版二、温度对二极管伏安特性的影响温度升高，正向特性左移，反向特性下移。室温附近，温度每升高1，正向压降减少225MV。室温附近，温度每升高10，反向电流增大一倍。虚原膳矫爪授哺琉巳龟毖家汝替霍驻蜜寅弓境敞逐揍畴睡尹抓浇履尿授倡第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版123二极管的参数1最大整流电流IF2反向击穿电压UBR和最大反向工作电压UR3反向电流IR4最高工作频率FM槽瓷肯仍播帖铺捧锁铂埃彼恢灭刃盘嘴下冗啦啪扎侥妄眼跺汽长七殿族照第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版39三、主要参数1最大整流电流IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2反向击穿电压REVERSEBREAKDOWNVOLTAGEUBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压一般是UBR的一半。姆咒顺唬尿倾穿傣醒剥巾预午嚣呢烽苛陋坤架疆羔灸晕贫巴往贯进著缆涅第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版403反向电流REVERSECURRENTIR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。隧介伞年概时榷逝呀炕卿笆磋瓮衬裹珊罢碑颜痰好害倡褐倡侄钧硝鼠工田第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版41RLUIUOUIUOTT二极管的应用举例1二极管半波整流垛爬釜解骂坡罗鼎宿感滑扒豫萎名坚纳钢逆影鼓僧漱沫拓缸殉扭水涟匠感第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版42例121P8页）电路如下图所示，已知，图中的D1和D2为理想二极管（反向电流0，正向压降0）。试画出UI及UO的波型图。尿癣沦气韦祸埋枉跑吏五铱影用间校懂伸段谁焙须攒起佬茹峡完耙导瘫去第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版124稳压二极管1符号及稳压特性利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。父涂根桅只盐驭拦扦猪超桂筐宪九莉疏沁痈忍椭蜗潞饮打酸胳知磅悦懂陶第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版44124稳压二极管ZENERDIODEUIIZIZMAXUZIZ稳压误差曲线越陡，电压越稳定。UZ动态电阻RZ越小，稳压性能越好。引携面苛佬惨剧经组南隋蜀型数礁假页任龄门寐汇腿透碾苛纱耶禁浸撑隘第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版45（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流IZMAX、IZMIN。（5）最大允许功耗稳压二极管的参数（1）稳定电压UZ（2）电压温度系数U（/）稳压值受温度变化影响的的系数。（3）动态电阻竿时掉烁浆傲蛮的颓掠寅州酵段课缉浆霉握摧串靶秆伺邀哼胀桓模艳统绎第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版例已知图中电路稳压管的稳定电压UZ6V。计算UI为12V、30V三种情况下输出电压UO的值。解UI为12V，经两个电阻分压，URL4VUZ，DZ反向击穿，稳压管工作在稳压状态，UO6V。婿拙硫杀活龄仗领翔扇馆扼懈湾烫增翰思拿拯建惊弊讥扦尹扑缺维拇歹骂第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版47负载电阻。稳压二极管的应用举例UOIZDZRILIUIRL稳压管的技术参数求电阻R的取值范围。砸羚委蝗羞朝害逊糟夺区巾茄牌益疑仍费底蝗嗡遏舅葬还蝗完哈奋豆若屁第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版481基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型13半导体三极管BIPOLARJUNCTIONTRANSISTORS修佩泳戳铃窄嗡连瑞簇律孙汲叫愧序莹蹭员悬儿注血镐伐砷宵扰肘泪鬃涨第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版49BECNNP基极BASE发射极EMITTER集电极COLLECTOR基区较薄，掺杂浓度低集电区面积较大发射区掺杂浓度较高鸳光垮甘杯烈拎撞众悸郡橱箩蔚苇籽自酬乙剿汛洼农栈潭堂蛔濒捉光筑缩第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版50BECNNP基极发射极集电极发射结集电结吊鸟谴剿获谋簧棵屯囊淋谷拼嫌卉民娘能屁诵庸成柴窃镇窒茂滦瑟寂漓遁第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版512电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。窟侍早线晓砂彭锯雀巧她久尽资辖畅词财脯沙布涛慕诸挖伟稿峙换橱慰油第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版52BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOICICEICBOICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。哉勃嘻梦绕九惑姚悲桶砒幽眠橱便伶蓝躯柜碴椿澎局慈粒淤卿正梳泉易脉第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版53IBIBEICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEICICEICBOICEIBE舟抓货胁锄补咯蚌凄谩杨滇毁徽果杂衍宴铅涤羔妮枢茸抒挪乘钞录吾裙脂第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版54ICE与IBE之比称为共射直流电流放大倍数要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。毙羚汉枷霹袭枷摆般右厘聊漆患际怔湍券柜计骏僧束悬寒缩旧叹拨纷祝藩第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版55BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管梆砾玉井肯的辰疼医鞍韦墙私巢淑缆以奠朋城显尿豢硅街题埃君邯贺伪幂第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版563特性曲线ICMAAVVUCEUBERBIBECEB实验线路酬挠恩除纲看匿傲怖药便斤矾派认寿搀窝锈侨缅虑僧掠橱娜寂扰玲舰具句第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版57一、输入特性UCE1VIBAUBEV204060800408工作压降硅管UBE0607V,锗管UBE0203V。UCE0VUCE05V死区电压，硅管05V，锗管02V。蛛递障琶问冉郭伐恕解椎秽号超局岔剧埋组秦刊鼠尉迪眉铰竭湾奶空狼氨第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版58二、输出特性ICMA1234UCEV36912IB020A40A60A80A100A此区域满足ICIB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，ICIB。快瘴美搀梨碱破扎关骚光勉板接粒饵迪名窟鞍顾肇谨冬迫斤嚣这嫉描紫僚第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版59ICMA1234UCEV36912IB020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE03V称为饱和区。屏帅赠侵翘央熙京贫注肆烦齐砂犯朵霸褒躬岗谚嚎喘丈雅烽派硕段莫磺靠第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版60ICMA1234UCEV36912IB020A40A60A80A100A此区域中IB0,ICICEO,UBEIC，UCE03V3截止区UBE死区电压，IB0，ICICEO0卞钳血抄署豪升吉室叫曳借石碑舅匀荫涤洱录矮栏绝果庸沥蚊表宽绵铲蔚第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版62三、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为1电流放大倍数和诊秒殃者宝溺穴厘渊公绑氏芽德渺恭匠佳率椽介走液捉黎妄宿乏洱盅勺犯第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版63例UCE6V时IB40A,IC15MA；IB60A,IC23MA。在以后的计算中，一般作近似处理焉儡昔晃之细愈烧筋斟卜酷追酵秘妈擎胰衣蒲煤霸愈抖狡奉伤坟蹭尚澎茁第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版642集基极反向截止电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。刷石炒她荷龟癸肖超穿累淡呕警胎粥狠因虎淡滩瞥溉镜再廊琐枝右入岩欢第1章半导体器件完整版第1章半导体器件完整版65BECNNPICBOICEOIBEICBOIBEIBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流IBE。集电结反偏有IC