2016电气工程师复习真题 小抄

电气工程师复习题一、判断题1直流电的电压的方向不变定，但是电压幅值可以是时间的函数。（）2交流电的幅值是时间的函数。（）3电阻对通过它的电流有阻碍作用，是一种耗能元件。（）4电阻是表示对通过它的电流阻碍能力大小的度量。（）5电阻的大小与电阻体的材料、横截面积和电阻体的长度有关。（）6电阻器的阻值与使用环境温度无关。（）7金属材料具有正的电阻温度系数。（）8电容器的耐电压值与所用绝缘材料的性质有关。（）9使用中的电容器有串联、并联和混联等连接方式。（）10恒压源的内阻越小越好，恒流源的内阻越大越好。（）（题目不好。恒压源的内阻为零；恒流源的内阻为无限大。）11通过电容器的交流电流相位超前电压相位90。（）12电容器允许直流电流通过，而不允许交流电流通过。（）13在电路中，电容器对于直流有充电、放电效应。（）14电容器对通过它的交流电有阻碍作用，是一种耗能元件。（）15电容器具有储存电能的功能。（）16电容器对通过它的交流电的阻碍能力常用容抗表示。（）17与电气元件并联的电容器有交流旁路作用。（）18与电气元件串联的电容器有隔直作用。（）19电感器具有储存电能的功能。（）20电感器有储存电能的作用，楞次定律不适用于电感器。（）21电感器上的电流和电压可以突变。（）22电感器和电容器在电路中有储存电能的作用。（）23电感器对通过它的交流电有阻碍作用，属于耗能元件。（）24电感器具有储存电能的功能，这种磁能存储能力和电感器的电感量大小有关。（）25通过电感器的交流电流相位超前交流电压相位90。（）26电感器和电容器都是储能元器件。（）27电感器或电容器的等效串联电阻是它们耗能的主要原因。（）28阻抗是个复数，由电阻和电抗两部分组成。（）29复数阻抗含有实部和虚部，实部表示电阻，虚部表示电抗。（）30复数阻抗含有幅值、幅角（相位角）两个要素。（）31交流电不可以利用变压器改变电压、阻抗和电流。（）32直流电桥可以用交流电供电。（）33利用RC元件可以构成正弦振荡电路。（）34有功功率P表征元件消耗能量的特性；无功功率Q表征元件储存能量的特性。（）35软磁性材料、硬磁性材料在使用过程中在磁路中加空气间隙是为了提高磁性材料在使用过程中的抗磁饱和能力。（）（题目不结合实际。）36软磁性材料的剩磁很强，而硬磁性材料的剩磁很弱。（）37永久磁铁用软磁性材料制成。（）38磁路磁阻与磁路长度、磁性材料、磁路横截面积有关。（）39半导体PN结不具有单相导电性。（）40半导体中载流子是电子。（）41MOSFET场效应晶体管的输入阻抗比双极性晶体管的输入阻抗低。（）42可控硅的通电流能力不高。（）43场效应晶体管（FET）是电流驱动控制元件。（）44半导体二极管的管压降（PN结电压）与温度无关。（）45按照材料，半导体三极管分主要锗三极管和硅三极管。（）46在P型半导体中，空穴的数量大大超过自由电子；在N型半导体中，自由电子的数量大大超过空穴。（）47双极型半导体三极管是一种电流控制器件。（）48共发射极放大电路具有电压放大倍数高、电流放大倍数高和功率增益大的特点。（）49通频带是谐振电路一项很重要的技术指标。（）50场效应晶体管FET是电流驱动控制器件，具有所需驱动功率小的特点。（）51场效应晶体管（FET）为电压控制器件，场效应晶体管（FET）的输入阻抗较普通双极型三极管的输入阻抗要高很多，并且高频工作特性也要好许多。（）52场效应晶体管FET是电压控制器件，具有输入阻抗高的特点。（）53双极型三极管为电压控制器件，而场效应晶体管（FET）为电流控制器件。（）54用作放大元件时，运算放大器应开环工作。（）55运算放大器的闭环放大倍数与运算放大器的开环放大倍数有关，与闭环电路外围元件的参数无关。（）56构成振荡电路无须加正反馈回路。（）57构成振荡电路不需要加正反馈回路。（）58电感器和电容器是组成LC谐振电路的重要元件，构成振荡电路必须加正反馈回路。（）59Q值是LC谐振电路的一项重要技术指标。（）60石英晶体振荡器的Q值比LC谐振电路的Q值高很多。（）70石英晶体振荡器的Q值比比谐振电路的Q值高很多，所以石英晶体振荡器的振荡频率稳定性要比比谐振电路的振荡频率稳定性高很多。（）71Q值是表示储能元器件（例如电感器或电容器）耗能特性的一个技术指标，Q值越高，则表示储能元器件的耗能越小。（）72按进制划分数字信号有2进制、4进制、8进制和16进制等。（）73CRC（循环冗余校验算法）在数据通信领域得到了广泛的应用。（）74数字取样信号频率的高低和取样生成的数据量大小有关。（）75数字逻辑电路有正逻辑、负逻辑两种表示方法。正逻辑0态表示低电平状态，1态表示高电平状态。（）76补码是表示数的正、负的专用码符，位于二进制数最高位的前面。“0”表示正数，“1”表示负数。与十进制37对应的码为00100101。（）77奇偶校验是一种简单的检验数据在传输过程中有无数据位出错的方法，但是纠错检错能力有限。（）78CRC校验（循环冗余差错校验）是检验数据在传输过程中有无数据位出错的常用方法，实用中得到了广泛的应用。（）79组合逻辑电路的输出状态仅与现输入状态有关，无记忆功能。（）80组合逻辑电路无记忆功能，输出状态仅与现输入状态有关。（）44时序逻辑电路中不含存储电路。（）81表示触发器逻辑功能的主要方法有触发器的特性表、触发器的电路原理图、触发器的逻辑状态转换图、触发器的输出波形图、触发器的逻辑方程式筹。（）82触发器是脉冲数字电路的基本电路。（）83利用触发器可以组成组合逻辑电路和时序逻辑电路。（）84利用基本RS触发器，同步RS触发器，JK触发器，D触发器和T触发器等可以使组成各种功能的逻辑电路。（）85D触发器可以使其输出逻辑电平随输入逻辑电平的变化而变化。（）86触发器的逻辑状态转换图是表示触发器逻辑功能的一种方法。（）87施密特电路和单稳态电路有波形整形的功能。（）52变压器具有变电压、变电流的作用，不具有变阻抗的作用。（）88变压器具有变电压、变电流和变阻抗的作用。（）89变压器和光电耦合器具有信号隔离功能。（）90变压器是利用电磁感应原理传输电能或信号的器件，具有变电压、变电流、变阻抗和隔离的作用，可以用于直流电的变换。（）91电动机是一种电能机械能的转换装置，而发电机是将其它形式的能量转化为电能的转换装置。（）92利用电动机的调速控制可以实现节能，电动机常用的调速方法有1变领法，2变压法，3变频变压法VVVF。（）（VVVFVARIABLEVOLTAGEANDVARIABLEFREQUENCY的缩写）93直流电动机不可以调速运行。（）94交流电桥既可以测直流电阻，也可以侧电感器和电容器的参数，故称为万用电桥，而直流电桥只能测电阻。（）95压敏电阻在电路中可以用作过电压保护器件。（）96霍尔传感器可以把电信号变成磁信号输出。（）（题目不好。原理可以，但没有这样用的）97霍尔传感器是一种将磁信号转换为电信号的半导体器件，其物理基础是磁电效应。（）98A/D变换的精度和A/D变换的位数有关。（）99继电器控制逻辑电路的控制功能有限，而PLC控制逻辑电路的控制功能比继电器控制逻辑电路的控制功能要更强和使用更方便。（）100可编程逻辑控制器PLC在工业控制领域得到了广泛的应用。（）101PLC在自动控制技术中得到了广泛的应用。（）102PLC控制器的控制功能比继电器控制逻辑的控制功能强，实现也更为简便。（）103目前单片机、PLC和嵌入式技术在自动控制中得到了很好的应用。（）104电路的合理接地对提高电路的工作性能，降低干扰具有很重要的作用。（）105电路的接地可有可无。（）106取样信号频率的高低和取样生成的数据量太小有关，取样信号频率越高则取样生成的数据量越小。在有噪声的环境下，取样信号的频率还应更低。（）107数字取样信号频率的高低和取样生成的数据量大小有关。（）108MP3是一种常用的数字音频信号压缩算法。（）109采用双绞线或者屏蔽线可以有效地抑制干扰进入传输线。（）110我国专利法中规定专利有发明专利、实用新型专利和外观设计专利。（）111中华人民共和国专利法第四十二条规定，发明专利权的期限为二十年，实用新型专利权和外观设计专利权的期限为十年，均自申请之日起计算。（）二、单选题1电阻器是一种线性电子元器件。（说明这是有问题的题。既然说到功率，应该交代是保持电压不变还是保持电流不变。否则，是无法判断的。）A电阻器串联后会使电阻器的总电阻值变大B电阻器串联后会使电阻器的总功率值变小（如果电流不变呢）C电阻器串联后的总功率值和每个串联电阻器的功率值无关D电阻值越串联越大，但会使电阻器的总功率值变小（如果电流不变呢）2电阻器是一种线性电子元器件，电阻器的电阻满足线性叠加定律。（说明同上。）A电阻器并联后会使电阻器的总电阻值变小，总功率值加大。B电阻器并联后会使电阻器的总电阻值和总功率值变小。C电阻器并联后的总阻值和总功率和每个并联电阻器的电阻值和功率值无关。D电阻值越并联越大，但电阻器并联会使电阻器的总功率值变小。3通过如图所示电路中的电流I为（）。AU1U2/4BU2U1/4C4U2U1D4U1U24如图所示电路中的电阻RAB为（）。A6B12C24D365电容器串联会使总电容量变小。A电容器串联会使电容器的总电容量加大B电容器串联会使电容器的总耐电压值加大C电容器串联会使电容器的总电容量加大，并且电容器的总耐电压值也会加大D电容器串联的总耐电压值取决于串联电容器耐电压值中最小那只电容器的耐电压值6电容器串联会使总电容量变小。A电容器串联会使电容器的总电容量加大，但是电容器的总耐电压值会减小。B电容器串联会使电容器的总电容量减小，但是电容器的总耐电压值会加大。C电容器串联会使电容器的总电容量加大，而且电容器的总耐电压值也会加大。D电容器串联会位电容器的总电容量加大，但是电容器的总耐电压值取决于串联电容器的耐电压值中最小的那只电容器的耐电压值。7电容器并联会使总电容量变大。A电容器并联使用会使电容器的总耐电压值加大B电容器并联使用会使电容器的总电容量加大，但是电容器的总耐电压值会减小C电容器并联会位电容器的总电容量加大，但是电容器的总耐电压值取决于并联电容器的耐电压值中最小的那只电容器的耐电压值。D电容器并联会使电容器的总电容量加大，而且电容器的总耐电压值也会加大8电感器越并联总电感量减小。A电感器越并联总电感量越小，同时允许通过的总电流也越大B电感器并联总电感量会加大C电感器越并联总电感量加大，同时允许通过的总电流越大D电感器并联允许通过的总电感器的电流的大和每个参与并联的电感器无关9电感器的并联会使电感器的总电感量减小。A电感器并联会使电感器的总电感量变大，但是允许通过总电感器的电流大小要视每个电感器的具体情况而定。B电感器越并电感量越大，同时允许通过的总电流也越大。C电感器越并电感量越小，同时允许通过的总电流越大。D电感器并联电感量会加大，但是允许通过的最大电流取决于所并电感器中允许通过电流最小的那只电感器的电流。10电感器的并联会使电感器的总电感量减小。A电感器并联会使通过电感器的总电流减小B电感器并联电感量越大C电感器并联个数越多电感量越小，同时允许通过的总电流越大D电感器并联对总电感量投影响11对于两个电感串联，下列正确的说法是（）。A总电感量必定不变B总电感量必定减小C总电感量必定增大D总电感量与两个电感的极性有关12电感器具有存储电能的能力。A电感器对通过的交流电有一种叫感抗的阻碍能力B电感器的电感量越大存储电能的能力越小C含磁芯电感器的电感量与磁芯材料的磁特性有关，与其匝数无关D含磁芯电感器的电感量与匝数有关，与磁芯材料的磁特性无关13线性电子元器件满足叠加原理。A电阻器是线性电子元器件B电感器不是线性电子元器件（空心电感呢）C半导体二极管是线性电子元器件D半导体三极管是线性电子元器件14已知正弦电流I110SINT30A、I210SINT60A，则I1超前I2的相位角为_。A90B90C30D6015对一个RC交流电路电压UC与电流I的关系为_。A电流I超前电压UC角度90B电流I超前电压UC角度小于90C电流I滞后电压UC角度90D电流I滞后电压UC角度小于9016已知正弦电压UU1U2，且、U15SINT（V）、U25SINT（V），则U的有效值为_。A5VB5VC10V217以下关于LR电路时间常数的正确说法是_。R2L2SDSARLSCLR18LC振荡电路的谐振频率F0可以用下列哪个公式计算A12BCLCLCLC19正弦电流通过电容器元件时，下列关系正确的是_。AJCUUDUBJCJCDUCICDT20某负载取得的有功功率为10KW，视在功率为20KW（注应为KVA），则功率因数为_。A05B2C25D1021正弦电流通过电感元件时，下列关系正确的是（）。DIJLUAULCLIDIDT22以下关于LC电路时间常数的正确说法是（）。（应该是RC电路）R2RBSCSDRLSLL23磁性材料磁路磁阻的大小和磁性材料的磁饱和点位置有关。A磁性材料磁路磁阻和磁性材料的类型、磁路长度无关B磁性材料磁路磁阻和磁性材料无关，和磁路长度有关C磁性材料磁路磁阻和磁路长度无关，但是和磁性材料有关D磁性材料磁路磁阻和磁性材料的类型、磁路长度和磁路的形状有关24软磁性材料的磁特性和它磁滞曲线的矩形系数有关A剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬B剩磁越弱的磁性树料的磁特性越硬C磁性材料的磁特性软、硬与她的矩形系数无关，只与磁性材料的磁特性有关D硬磁性材料适合于用作变压器的铁芯磁芯25硬磁性材料的磁特性和它磁滞曲线的矩形系数有关。A磁性材料的矩形系数越大，则磁性材料的磁特性越软，反之，如果磁性材料的矩形系数越小，则磁性材料的磁特性越硬。B磁性材料的磁特性软、硬与它的矩形系数无关，只与磁性材料的磁特性有关。C剩磁越弱的磁性材料的磁特性越硬，反之，剩磁越强的磁性材料的磁特性越软。D剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬，反之，剩磁越弱的磁性材料的磁特性越软。26硬磁性材料的磁特性和它的磁滞曲线的矩形系数有关。A剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬B剩磁越弱的磁性材料的磁特性越硬C磁性材料的磁特性软、硬与它磁滞曲线的矩形系数无关D磁性材料的磁滞曲线矩形系数越大，则磁性材料的磁特性越软27若某元件的UI特性曲线如下图所示，则此元件为（）。A线性、非时变电阻B线性、时变电阻C非线性、非时变电阻D非线性、时变电阻28测得晶体三极管三个电极的静态电流分别为005MA、255MA、25MA则该晶体管的为_。A100B51C50D6029半导体二极管的PN结对通过它的电流会产生正向电压降。A硅半导体材料二极管的正向电压降为03V，锗半导体材料二极管的正向电压降为07V。B硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为07V。硅半导体材料二极管的温度稳定性较锗半导体材料二极管的温度稳定性要好。C硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为03V。锗半导体材料二极管的温度稳定性较硅半导体材料二极管的温度稳定性要好。D硅半导体材料二极管的正向电压降为07V，锗半导体材料二极管的正向电压降为03V。30半导体二极管的PN结对通过它的电流会产生正向电压降。A硅半导体材料二极管的正向电压降为03VB硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为07VC硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为03VD锗半导体材料二极管的正向电压降为03V31半导体二极管的PN结有正、反向工作特性。A半导体二极管PN结的正向导通电阻很大B半导体稳压二极管工作在PN结的正向导通区C半导体二极管PN结正向导通电压的大小与温度有关D半导体二极管PN结的反向电阻很小32锗半导体草料二极管的正向电压降为07V左右。（说明题干错误。）ALED二极管的正向电压降大约为03V左右（LED是发光二极管LIGHTEMITTINGDIODE的缩写）B硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均大约为03V左右C硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均大约为07V左右D半导体二极管的PN结对通过它的电流会产生电压降33半导体三极管有放大工作区、截止工作区和饱和工作区三个工作区。A在半导体三极管的饱和区仍有放大作用B半导体三极管的放大区主要用于开关作用C半导体三极管的放大区用于信号放大作用D半导体三极管的正常工作区是截止区和饱和区（数字电路呢）34半导体三极管的放大工作区、截止工作区和饱和工作区是半导体三极管的三个工作区。A在半导体三极管的饱和区仍有较小的放大作用。B半导体三极管的正常工作区是截止区和饱和区。（数字电路呢）C半导体三极管的放大区用于信号放大作用。D半导体三极管的放大区主要用于开关作用，而饱和区和截止区主要用做信号放大作用。35如下图所示电路有R1K，输出电压为（）。A10VB35VC65VD3V36双极型晶体管（BJT）的放大区用于信号放大作用。（BJT是双极结型晶体管BIPOLARJUNCTIONTRANSISTOR的缩写）A放大工作区、截止工作区和饱和工作区是双极型晶体管的三个工作区B双极型晶体管的正常工作区是截止区和饱和区（数字电路呢）C双极型晶体管的饱和区仍有信号放大作用D双极型晶体管的放大区主要用于开关作用，而饱和区和截止区主要用做信号放大作用37场效应晶体管（FET）的放大工作区、截止工作区和饱和工作区是场效应晶体管的三个工作区。（说明题干不妥。场效应管特性主要的3个区域是可变电阻区、恒流区和截止区。）A在场效应晶体管的饱和区仍有较小的放大作用。B场效应晶体管的正常工作区是截止区和饱和区。（数字电路呢）C场效应晶体管的放大区用于信号放大作用。D场效应晶体管的放大区主要用于开关作用，而饱和区和截止区主要用做信号放大作用。38下面哪一种表东方法不是逻辑电路输入输出的表示方法A输入输出逻辑表达式B卡诺图C矩阵表达式D输入与输出波形图39如果101理想降压变压器次级绕组连接有50的负载电阻，则这个变压器初级绕组的等效电阻为_。A500B5KC05D540变压器不具备以下哪个功能A对输入与输出的交流电进行电压比变换B对输入与输出的阻抗进行阻抗比变换C对输入与输出的电流进行电流比变换D对输入与输出的电功率实现功率变换41利用变压器可以实现变压器输入输出电路的阻抗变换。A变压器不能对输入与输出的交流电进行电压比变换B变压器可以对输入与输出的直流电压送行电压比变换C变压器可以对输入与输出的直流电功率实现功率变换D变压器可以对输入与输出的交流电实现电压比变换42变压器具有变电压、变电流和可以实现变压器输入输出电路的阻抗变换功能。A变压器可以对输入的直流电功率实现功率变换，但对输入的交流电功率不能实现功率变换。B变压器既可以对输入的交流电实现变电压，同时也可以对输入的直流电压进行变电压。C变压器可以对输入的直流电进行变电压，但是不能对输入的交流电进行变电压。D利用变压器可以对输入的交流电流实现电流比变换。43变压器可以对输入的交流电流实现变流比的变换。A变压器可以实现对变压器输入、输出电路阻抗的变换B变压器可以对输入的交流电功率实现功率变换C变压器不能对输入的交流电进行变电压变换D变压器可以对输入的直流电流进行变电压变换44利用变压器可以实现变压器输入输出电路的阻抗变换。A变压器可以对输入的直流电功率实现功率变换B变压器可以对输入直流电压进行变电压C变压器不能对输入的交流电进行变电压D利用变压器可以对输入的交流电实现变电压、变电流、阻抗变换45交流电动机是用交流电驱动的电动机，可以实现交流调速运行。A直流电动机不可以调速，而交流电动机可以调速B直流、交流电动机都可以调地并且有多种调速方法C交流电动机调速是利用改变供电电压的方法，使用不方便（说明选项不好。随着可控硅技术的发展，变压调速很常见。）D交流电动机不可以调速46交流电动机可以实现交流调速运行。A交流电动机调速运行不节能B交流电动机调速是利用调节供电电压的方法，使用不方便（说明同上。）C交、直流电动机都可以调速运行，并且有多种调速方法D直流电动机不可以调运运行，而交流电动机可以调速运行47直流电动机是用直流电驱动的电动机，可以实现直流调速运行。A直流、交流电动机都可以调速，并且有多种调速方法B直流电动机可以调速，而交流电动机不可以调速C交流电动机调速是利用变频的方法，使用不方便D交流电动机不可以由速，而直流电机可以利用改变它的直流供电电压的方法调速，实现较为方便48交流电动机是用交流电驱动的电动机，可以实现交流调速运行。A交、直流电动机都可以调速，并且有多种调速方法B直流电动机不可以调速，而交流电动机可以调速C交流电动机调速是利用调压的方法，使用不方便（说明同上。）D交流电动机不可以调速，而直流电机可以利用改变它的直流供电电压的方法调速49霍尔元件是一种将变化的磁信号转变为电信号输出的信号检测器件。A霍尔元件可以将温度信号转换为电信号输出，得到了广泛的使用。B霍尔元件是一种特殊传感器，主要用于将位移信号转变为电信号输出。（错吗）C霍尔元件是一种用于电磁检测的半导体传感器，可以用来测量位移、加速度等参量，具有使用方便，测量精度高的特点。D霍尔元件是一种磁信号传感检测器件，它有5个信号端子，可以用来测量有关磁场变化的量，得到了广泛的使用。50霍尔传感器是一种磁电信号的检测装置器件。A霍尔传感器可以用来测量温度B霍尔传感器不可以将位移信号转变为电信号输出C霍尔传感器可以用来测量位移、加速度等参量D霍尔传感器是一种半导体红外传感器51霍尔元件是一种磁信号传感检测器件。（说明不好。前3个选项都不是错误的。）A霍尔元件是一种用于磁电信号检测的半导体传感器B霍尔元件主要用于将位移信号转变为电信号检测的半导体传感器C霍尔元件是一种用于电磁检测的半导体传感器D霍尔元件可以将温度信号转变为电信号输出52红外传感器可以把被检测红外信号转换为电信号输出，是一种信号检测装置器件。（说明不好。前两个选项都不是错误的。）A红外传感器可以将热信号转换为电信号输出，得到了广泛的使用。B红外传感器是一种特殊传感器，主要用于将位移信号转变为电信号输出。C红外传感器是一种利用电磁感应原理制成的传感器，可以用来测量位移、加速度等参量，具有使用方便，测量精度高的特点。D霍尔元件是一种半导体红外传感器，它有5个信号端子，可以用来测量有关磁场变化的量，得到了广泛的使用。53红外传感器是一种信号检测装置（器件）。（说明不好。）A红外传感器可以将温度信号转换为电信号输出，得到了广泛应用B红外传感器主要用于将位移信号转变为电信号输出C红外传感器可以用来测量位移、加速度等参量D霍尔元件是一种半导体红外传感器54下面哪个器件不是可编程器件（）AFPGABPLDCASICDCPLD55指出下面哪一种不是总线。AI2CBSPICMODBUSD网线56在现场总线技术中常采用以下哪种方法来检测被传输数字信号在传输过程中是否出错ACRC（循环冗余差错校验B奇偶校验C数据位长度校验D被传输数字信号周期三、多选题1电阻器在电路中消耗的是有功功率。A电阻值越大在电阻中流过的电流越大（说明应该交代保持电压不变。）B电阻器串联后总电阻值加大，而总耐电压值减小（说明对电阻器说耐压值不妥当。下同。）C电阻器串联后总电阻值加大，并且总耐电压值加大D电阻器在电路中可以把电能转换为热能而将输入电能消耗掉2电阻在电路中消耗的是有功功率。A电感在电路中消耗的是无功功率B电容在电路中消耗的是有功功率C电阻在电路中可以把电能转换为热能而将输入电能消耗掉D电阻器串联后总电阻值加大，并且总耐电压值加大3电阻器串联连接，串联的电阻器越多，则串联电阻器的总耐电压值越大。A电阻器串联总电阻值减小，所以总耐电压值就加大。B在工作频率一定的情况下，电阻器串联的总电阻值加大。C每只电阻器的耐电压值与串联与否无关，每只电阻器的耐电压值只和这个电阻器本身的结构和材料有关。D电阻器串联后总电阻值加大，并且总耐电压值加大。4电阻器可以串联、并联和混联使用。A电阻器串联总电阻值加大，所以总耐电压值就加大B每只电阻器本身的耐电压值与和其它电阻器串联与否无关C电阻器并联总电阻值加大D利用电阻器和电容器可以组成RC滤波电路5一个由电阻器、电容器和电感器组成的电网络的阻抗和组成这个电网络的电阻器、电容器和电感器元件的参数有关。A一个由电阻器、电容器和电感器组成的电网络的阻抗和组成这个电网络的电阻器、电容器和电感器元件的材料性质有关。B组成一个电网络的电感器元件的电感量越大，则这个电网络的阻抗越大。C组成一个电网络的电容器元件的电容量越大，则这个电网络的阻抗越大。D组成一个电网络的电阻器元件的电阻值越大，则这个电网络的阻抗越大。6电容器有隔直流电流和通过交流电流的能力。A电感器的储存电磁能量能力和它的电感量成反比B利用电容器和电感器可以组成LC振荡电路C电容器的储存电荷能力和它的电容量成反比D电感对通过它的交流电有一种叫感抗的阻碍能力7阻抗由电阻R和电抗X两部分组成。A电阻R是阻抗的实部，而电抗X是阻抗的虚部C一个电网络中电容器元件的电容量越大，则这个电网络的阻抗越大D一个电网络中电感器元件的电感值越小，则这个电网络的阻抗越大8阻抗Z由电阻R和电抗X两部分组成。A电阻R是阻抗的实部，电抗X是阻抗的虚部C电抗X由容抗和感抗两部分组成D电抗X消耗电功率，而电阻R不消耗电功率9阻抗由电阻和电抗两部份组成。（说明这几道题都不妥当。这道题只有一个正确的选项，不能算多选题。估计命题人想的是感抗大于容抗。）A电阻是阻抗的实部，而电抗是阻抗的虚部B组成一个电网络的电感器元件的电感量越大，则这个电网络的阻抗越大C组成一个电网络的电容器元件的电容量越大，则这个电网络的阻抗越大D组成一个电网络的电阻器元件的电阻值越小，则这个电网络的阻抗越大10正序对称三相交流电压UAUMCOST2，则CUBUMCOST6DUCUMCOST4611对于阻抗Z4J4，则下面正确的表达式为BZ44512共发射极放大电路的特点是_。A输入和输出信号同相位B电压放大倍数高C输入阻抗低，输出阻抗高D电流放大倍数为倍13晶体三极管3个电极UB、UC、UE的电位分别为53V、0V、6V，对应的晶体三极管处于下列何种状态（注没有交代是NPN管还是PNP管，只好按NPN管考虑）A放大B电流放大倍数为倍C截止D饱和导通14放大电路引入负反馈可以_。A减小电路的放大失真B展宽工作频带C加大电路的放大倍数D工作更加稳定15以下关于理想集成运算放大器的说法正确的是_。A利用理想集成运算放大器可以构成对数放大电路B利用理想集成运算放大器可以构成指数放大电路C利用理想集成运算放大器可以构成加法器电路D利用理想集成运算放大器可以构成减法器电路16下列哪些是关于格雷码的说法A格雷码是循环二进制码B格雷码是一种余3码C格雷码是反射二进制码D格雷码属于可靠性编码17三极管3个电极UB、UC、UE的电位分别为下列各组数值，哪几组数据对应的三极管处在放大状态A07V，6V，0VB28V，0V，3V（如为PNP锗管，接近放大状态）C48V，5V，5VD53V，0V，6V18工作在放大状态的晶体管放大电路如下图所示，对下图正确的说法是A该电路的输出电压UO与输入电压UI的相位相反B保持UCC和RC取值不变，增大RB的取值可以使静态电流IC0减小C该电路的输出电压UO与输入电压UI的相位相同D保持UCC取值不变，增大RC，可以使静态电流IC0减小19在场效应晶体管中只有一种载流子参与工作，是利用沟道导电的工作原理，而在半导体三极管中有N型和P型两种载流子参与工作，是利用PN结的工作原理。A由于场效应晶体管是利用沟道导电的工作原理，所以场效应晶体管是单载流子导电工作的器件。B在半导体三极管和场效应晶体管中都利用PN结的工作原理，所以都有N型和P型两种载流子参与导电过程。C场效应晶体管也是一种N型、P型载流子参与导电工作的器件。D由于半导体三极管是利用PN结工作原理制成的器件，所以是一种两种载流子参与工作的器件。20在场效应晶体管中只有一种载流子参与工作，是利用沟道导电的工作原理，和半导体三极管的工作原理不同。A场效应晶体管是单载流子导电工作的器件B在半导体三极管中有N型和P型两种载流子参与导电过程C场效应晶体管是一种N型、P型载流子参与导电工作的器件D由于半导体三极管是利用PN结工作原理制成的器件，所以是一种两种载流于参与工作的器件21场效应晶体管（FET）是单载流子导电工作的器件。A双极型晶体管（BJT）是两种载流子参与工作的器件BIGBT是一种MOSFET和双极型晶体管的复合器件C在场效应晶体管中电子和空穴两种载流子都参与了工作D双极型晶体管（BJT）是利用PN结工作原理制成的器件22振荡电路是一种波形产生电路。A利用R、C元件和放大器电路可以构成正弦波振荡电路B利用L、C元件和放大器电路可以构成正弦波振荡电路C利用门电路不可以构成脉冲波产生电路D利用555定时器可以构成脉冲波产生电路23以下与振荡电路品质因数Q有关的正确说法是A品质因数Q值越高，则振荡电路的3分贝带宽BW3DB值越小（说明BW3DBF0）QB品质因数Q值越高，则振荡电路的3分贝带宽BW3DB值越大C品质因数Q值越高，则振荡电路的振荡频率越稳定D品质因数Q值越高，则振荡电路的振荡频率越不稳定24常用的触发器按逻辑功能划分主要有_。（有允许全选的题吗）AD触发器BRS触发器CJK触发器DT触发器25用触发器可以构成各种计数器。A计数器可以用于定时B计数器可以用于分频C异步计数器不易出现逻辑错误D同步计数器的计数速度比异步计数器的计数速度漫26单稳态脉冲电路也可以用于脉冲整形。（说明题目有问题。哪有四个选项都对的）A施密特电路可以用于脉冲整形B脉冲整形电路是用于将输入信号的波形加以整形，使输出信号波形更加规范的电路C单稳态电路和施密特电路都可以用于脉冲整形D双稳态电路可以用于脉冲整形27施密特电路是一种脉冲整形电路。A脉冲整形电路是用于将输入信号的波形加以整形，使输出信号波形更加规范的电路。B单稳态脉冲电路也可以用于脉冲整形。C施密特电路可以用于脉冲整形，而单稳态脉冲电路则不可以用于脉冲整形。D单稳态脉冲电路可以用于脉冲整形，而施密特电路不可以用于脉冲整形。28以下关于脉冲整形电路的正确说法是A单稳态脉冲电路不可以用于脉冲整形B单稳态脉冲电路可以用于脉冲整形C施密特电路可以用于脉冲整形D施密特电路不可以用于脉冲整形29脉冲整形电路用于将输入脉冲信号的波形加以整形。A单稳态脉冲电路可以用于脉冲整形B单稳态脉冲电路不可以用于脉冲整形C施密特电路不可以用于脉冲整形D施密特电路可以用于脉冲整形30脉冲整形电路用于将输入信号的波形加以整形。A单稳态脉冲电路可以用于脉冲整形，而施密特电路不可以用于脉冲整形B施密特电路是一种脉冲整形电路C施密特电路可以用于脉冲整形，而单稳态脉冲电路则不可以用于脉冲整形D单稳态脉冲电路也可以用于脉冲整形31变压器的变压比匝数比N决定变压器的阻抗变换比。A调节变压器的匝数比，可以调节变压器的变电压比B变压器的变压比N越大则变压器两侧的阻抗值差别越大C调节变压器的匝数比，可以调节变压器输入与输出信号的频率比D调节变压器的匝数比，可以调节变压器输入与输出信号的功率比32变压器的变压比（匝数比）N决定变压器的阻抗变换比。A变压器的变压比N越大则变压器两侧的阻抗值差别越大，变压器匝数越多的一侧，相应的阻抗值越大。B利用变压器还可以实现功率变换的作用。C改变变压器的匝数比，可以改变变压器两侧的阻抗比。D变压器有改变输入信号工作频率的作用。33变压器的匝数比N，可以改变变压器两侧的阻抗比A改变变压器的匝数比N，可以改变变压器的输入/输出的阻抗比B变压器可以实现功率变换的作用C改变变压器的匝数比N，可以改变变压器的输入/输出的电流比D变压器有改变输入信号频率的作用34PGA是一种可编程器件。APSOC是一种可编程器件（说明是片上可编程系统，大概也算吧）BASIC也可以编程使用（说明ASIC是集成电路APPLICATIONSPECIFICINTEGRATEDCIRCUIT的缩写）CPLD是一种可编程器件DCPLD是一种可编程器件35电机调速运行可以节能，电机调速的主要应用场合有_。A变风量送风系统B变水量给水系统C恒定负载驱动系统D电梯节能系统36以下与电机调速运行有关的正确说法是A直流电机可以调速运行B电机调速运行不节能C交流电机可以调速运行D交流电机可以变压变频VVVF调速运行37交流电桥的测量精度和组成交流电桥臂的元件精度有关。A交流电桥检流计的精度对交流电桥的测量精度影响不大B交流电桥电桥臂元件的精度越高，则测量精度越高C提高交流电桥检流计的精度有助于提高交流电桥的测量精度D交流电桥的交流供电电压幅度越高，则测量精度越高38交流电桥检流计的精度对交流电桥的测量精度影响很大。A交流电桥电桥臂元件的精度越高，则测量精度越高B交流电桥和直流电桥都可以测量电阻、电容和电感等参数C交流电桥可以测量电阻、电容和电感等参数，故称为万能电桥D直流电桥只能测量电阻39AD变换器的变换精度与变换位数有关。AAD变换器的速度与AD变换的位数无关BAD变换器的分辨率与AD变换的位数有关CAD变换器的噪声与AD变换的位数有关DAD变换器的位数越多，AD变换的误差越小40以下与AD变换器有关的正确说法是AAD变换器的噪声与AD变换器的位数有关BAD交换器的分辨率与AD变换器的位数有关CA变换器的位数越多，AD变换器的误差越小DAD变换器的速度与AD变换器的位数无关41压敏电阻的阻值和加在它两端的电压有关。A压敏电阻在电路中可以用做过电压保护器件B压敏电阻在电路中可以用做过温度保护器件C压敏电阻在电路中可以用做过电流保护器件D压敏电阻在输入过电压条件下电阻值变的很小42电感传感器可以完成_。A转速测量B发光亮度测量C湿度测量D位移测量43以下关于霍尔传感器的正确说法是A霍尔传感器是一种磁电传感器B通过霍尔传感器的磁场越强，霍尔传感器的输出信号越强C霍尔传感器的输出信号与外加磁场强度和通过的电流有关D霍尔传感器主要用于静止物体的检测44照明电光源的发光效率是表示照明电光源发出的光功率与输入电功率的一个比值，照明电光源发光效率的最大值为L。A照明电光源的发光效率越高表示该照明电光源的电能利用率越高。B照明电光源的发光效率与照明电光源的种类有关，是表示照明电光源质量的最重要技术指标之一。C白炽灯照明电光源的发光效率是目前所有照明电光源中最高的。D照明电光源的色温这个技术指标是照明电光源的很重要技术指标。45照明电光源发光效率的最大值为L。A照明电光源的发光效率越高表示该照明电光源的电能利用率越高B照明电光源的发光效率与照明电光源的种类无关C发光效率是表示照明电光源质量的最重要技术指标之一D照明电光源的色温这个技术指标是个很重要的技术指标46照明电光源的发光效率与照明电光源的种类有关。A白炽灯的发光效率低于气体放电灯的发光效率B荧光灯的发光效率比白炽灯的发光效率要高得多CLED的发光效率比荧光灯的发光效率要高D白炽灯电光源的发光效率是目前所有电光源中最高的47照明电光源的显色指数是一项很重要的技术指标。A荧光灯的显色指数为100B不同照明电光源的显色指数不一样C显色指数高的照明电光源照明视觉效果好D照明电光源的色温也是项很重要的技术指标48以下与显色指数CRIRA有关的正确说法是（说明白炽灯97、日光灯8094、白色荧光灯7585、卤钨灯9599、高压汞灯2251高压钠灯2030、金属卤化物灯6065）A显色指数高的照明电光源照明视觉效果好B白炽灯的显色指数在所有电光源中是最高的C金卤灯的显色指数为L00D不同照明电光源的显色指数不一样49建筑物接地主要是为了保证建筑物的安全，并保证建筑物内有关电器和建筑物的安全使用。A建筑物接地的主要目地之一是用于防雷。B建筑物接地实际上是一种建筑物的装饰。C建筑物接地可以为建筑物提供一个统一的地电位。D建筑物接地可以为建筑物提供一个统一的地电位，但非绝对必要。50建筑物接地主要是为了保证建筑物的安全。A建筑物接地的主要目地之一是用于防雷B建筑物接地实际上是一种建筑物的装饰C建筑物接地可以为建筑物提供一个统一的地电位D建筑物接地可以确保建筑物内有关电器和建筑物的安全使用51常用可充电电池有_。（注后三种也属于碱性电池）A碱性电池B锂离子电池C镍氢电池D镉镍电池52信号传输总线实际上是一条信号传输的公共通道，利用总线技术可以简化系统设计和系统结构。ARS232、LEEE1394和RS485是三种总线标准。BRS485总线的电性能优于RS232总线的电性能。C电话线是一种总线。D电源线是一种总线。53信号传输总线实际上是一条信号传输的公共通道。A电源线是一种总线B电话线是一种总线CRS一485总线的电性能优于RS一232总线的电性能DUSB、HDMI和CAN是三种总线标准54利用总线技术可以简化电路系统设计和电路系统结构。A光纤是一种总线BIEEE488是一种并行总线C同轴电缆是一种总线DUSB、LEEE1394和I2C是三种总线标准55在磁性录音过程中，需在录音磁头加偏磁场，利用偏磁可以解决以下的问题。A偏磁有交流偏磁和直流偏磁两大类，交流偏磁的偏磁效果较直流偏磁要好，所以得到了广泛的应用，偏磁可以减小录音信号的失真。B偏磁对加大录音输出信号的幅度无影响。C偏磁无助于录音输出信号的稳定性。D录音磁头加偏磁的主要目的就是为了克服录音磁信号的非线性失真。56在磁性录音过程中，需在录音磁头加偏磁场，利用偏磁可以解决录音信号失真的问题。A偏磁有交流偏磁和直流偏磁两大类B偏磁无助于录音输出信号的稳定性C偏磁对加大录音输出信号的幅度无影响D录音磁头加偏磁的主要目的就是为了克服录音磁信号的非线性失真57在数字音频信号的记录过程中，常采用数据压缩的方法，MP3是常用的一数字音频信号压缩方法。AMP3也是一种数字音频信号的压缩方法。B数字音频信号的压缩方法对节省存储空间影响不大。C模拟音频信号记录和数字音频信号记录的重放效果差不多。DWMA也是一种数字音频信号的压缩方法。58WMA也是一种数字音频信号的压缩方法。ATFP是一种数字音频信号的压缩方法B数字音频信号的压缩方法对节省存储空间影响不大CMP3是一种常用数字音频信号的压缩方法D数字音频信号的压缩算法对节省存储空间影响很大四、简答题1如何判断一只双极性晶体管BJT的好坏试加以解释说明。1区别基极（B）、发射极（E）、集电极（C）并区别是PNP型管还是NPN型管。根据PN结正反向电阻小、反向电阻大的特点，将万用表选择在R100电阻档（小功率管用R1000档），将万用表的一个表笔接在第一个管脚上，分别测量与另外两个管脚之间的电阻。如果测得两个阻值都很小或都很大，则第一个管脚为基极。如果测得两个阻值一大一小，则第一个管脚不是基极，需改变管脚测试，直到找到基极为止。万用表黑色试笔接基极时，如果基极与另外两个管脚之间的电阻只有数十欧至数百欧，则为NPN型管；如果基极与另外两个管脚之间的电阻在200K以上，则为PNP型管。根据正向电阻RBC0；U2负半周，V2、V4导通，V1、V3截止，RL上电流从上到下，UL0。波形9桥式整流电路如图所示，试说明工作原理。若U2210SIN100TV，IO25SIN100TA，试画出UO的波形，并标出输出电压UO的峰值电压、输出电压UO周期T的参数，计算在负载电阻RL上消耗的功率（忽略整流二极管D1、D2、D3、D4上的压降）。说明电源电压频率F50HZ、周期T002S；输出电压周期TO001S。RL上消耗的功率UO09U209109VIO5APOUOIO9545W10分析下图所示电路的工作原理，并计算输出电压VOUT为多少伏特图中，假定晶体三极管PN结电压降为07V。此电路为针对负载不稳定的稳压电路，输出电压VOUT为1570715V。其稳压原理是VOUT升高时，三极管VT基极电位不变，集电极电位升高，发射结电压降低，管压降UCE降低，使输出电压降低；VOUT降低时，变化相反，也起到稳定输出电压的作用。该电路对电源电压波动的稳定效果不明显。只能勉强解释为VIN升高时，使输出电压VOUT升高，以下分析同上。11下图所示的电路有VCC12V、RC4K、RB130K、RB210K、RL6K、RS300、RE23K，假设VBE07V、60，求这个放大电路的静态工作点IB0、IC0、IE0、VC0、VE0各为多少该电路为共发射极分压偏置直流电流串联负反馈放大电路。静态工作点为VBRB210UCC123VRB1RB23010VBUBE307I11MAIB0E000164MARE231160IE0IC0IB60001640984MAUC0UCCIC0RCIE0RE1209844123576V12试分析下图所示半导体共发射极放大电路的工作原理、分析每个电阻器和电容器元件的作用（电路中晶体管的共发射极放大倍数25），并计算