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文档简介

1、第一题a) 如下图 Figure 1所示电路图，为一个运算放大器. 1)假设是一个理想运算放大器，算出传递函数（transfer function） 2) 画出波特图 (both magnitude and phase)已知 R1 = R2 = 10k, C1 = 1F , C2 = 0.1F b)下图Figure 2是一个反相运放， 带有一个T反馈网络用来代替一个很大的电阻值 1) 假设为理想运放, 算出此放大器的电压增益 Vo/Vi. 2) 假设输入电压为 Vi = 0.2cos 5t V, 绘制出预计的输出电压波形（标出相关值）。每个 rail 的供电电压为 15V. 现在假设运算放大器

2、为非理想运放，并且有以下参数: 输入偏置电流 IB = 120pA 输入偏移电流 Iio = 10pA 输入偏移电压 Vio = 80V 3） 用以上数据,计算出由总输入电流在每个输入端的IB和Iio的影响导致的输出偏移电压 |VOS|，并且用它的值求出由于总输入偏置电流导致的输出偏移电压的最坏情况。4) 计算出由输入偏移电压Vio导致的输出偏移电压|Vos|。 5) 根据以上结论，求出在输入偏置电流和输入偏移电压作用下所产生的输出偏移电压|VOS|的最坏情况。使用了哪种电路分析原理？ 第二题双极结式晶体管（BJT） a) 素描一个NPN双极晶体管结构。在图表中显示出当偏压在主动模式下，电子和

3、空穴在流动，在主动模式偏颇设备流动。 b)假设为一个理想的BJT, 素描出集电极电流(IC) 以作为一个集电极发射极电压函数(VCE)。显示不同的基极-发射极电压值(VBE)所产生的影响. 并且清楚地表明饱和，正向积极，主动和反向截止区域. c) 再一次素描出集电极电流(IC) 以作为一个集电极发射极电压函数(VCE)。这次所要考虑的是一个有限的输出电阻的影响，然后指出厄利电压(VA). MOSFETs d)画出一个N沟道MOSFET的结构。并指出在通道中反型层. e) 假设为宜个理想晶体管，画出漏电流(ID) 以作为一个漏源电压 (VSD)的功能（函数）. 显示该门源不同的电压值VGS所产生的影响。此

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