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1、2导带电子浓度和价带空穴浓度和计算状态密度是一样,认为能带中的能级是连续分布的,将能带分成一个个很小的能量间隔来处理。对导带分为无限多的无限小的能量间隔,则在能 量E到E+dE之间有dZ个量子态,而电子占据能量为E的 量子态的几率是f (E),则在能量E到E+dE间有f (E) dZ个 被电子占据的量子态,因为每个被占据的量子态上有 一个电子,所以在E到E+dE间有f (E) dZ个电子。然后把 所有能量区间中的电子数相加,实际上是从导带底到 导带顶对f(E)dZ进行积分,就得到了能带中底电子总 数,再除以半导体体积就得到了导带中的电子浓度。由于费米能级一般在禁带中,导带中的能级远高 于费米能

2、级,即E-EFkT当时,计算导带电子 浓度可用玻耳兹曼分布函数。由于:参考教林P芳图3-刃所以:廿2也齊eg罟儿(2tz7? ikyT) *令:Nc=2一百一 为导带有做状态密度 显然“c OC芬则:坯二現盟)(笛尹)*口一口而s /() = exp(-)是电子占据能量为戈的量子态的慨率心2、价带空穴浓度ar3 exp(迓) QA同理,热平衡状态下,非简并半导体价带中空穴浓度=a 严3;声凤=尿仏为价带低能量a列=2超輕 为价带有如态密度显然皿卷I?Po = N、exp(-二身工)qE _ E-而:f(Ev) = exp(-y)是空穴占据能量为&的量子态的慨率*E - E _ _载流子浓度乘积:Vo = NN exp(-二于)=NcNv exp(-冷丁由上式可知:电子浓度和空穴浓度的乘积 0卩0与费米能级无关。对一定的半导体材料,乘积只决定 于温度,与所含杂质无关。而在一定温度下, 对不同的半导体材料,因禁带宽度Eg不同, 乘积力oPo也将不同。这个关系式不论是本征半导体还是杂质 半导体,只要是

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