切片培训资料

1、 太阳能硅片分为两种:多晶硅片 单晶硅片 切片工艺流程： 多晶硅锭 开方 硅块去胶 去头尾 磨面 倒角 粘胶 切片 脱胶 清洗 分检 包装 单晶硅棒 截断 开方 滚磨 硅块去胶 磨面 粘胶 切片 脱胶 清洗 分检 包装 我们可以清楚看到多晶硅片与单晶硅片加工工艺的不同点 单晶切割工艺 1.硅棒截断带锯截断机 需注意： a.硅棒需固定稳当。 b.运行时关注带锯是否正常。 2.开方 a.开方准备-硅棒需准备固定在工作架上 磨料：磨料：SIC切割液切割液: PEG 浆料浆料 需注意：1.检查原料是否合格,sic需烘干，PEG中是否含有水等 2.搅拌速度和时间符合规范 3.浆料密度至切割要求 b.开方

2、-一次可开25根单晶硅棒，长度小于500mm 注：操作严格按作业指导书进行 3.硅棒去胶硅棒去胶 放入80度水中使胶水变软，然后清除干净硅棒上的胶。 4.滚磨 磨面倒角机.VOB 工艺标准 ： 直径：150 0.2mm，边缘无崩边现象。，边缘无崩边现象。 技术标技术标 准准 WC 1250.5mm1500.5mm210.8mm 5.磨面 工艺标准： 两平面平行度 0.01mm 垂直度 0.02mm 尺寸，误差 0.01mm 粗糙度 0.02m 6.粘胶 B剂剂 A剂剂 调胶：根 据棍棒长 度确定胶 的用量。A 为树脂，B 为固化剂 把玻璃板 粘在工作 台上，用 重物压在 玻璃上加 强固化效 果

3、 硅棒粘 在玻璃 上，放 置6H后 可切片 7.切片 HCT.mov HCT1.mov 切割原理介绍 多线切割：高速运动的镀铜钢线+切削液(含 具备切削能力的介质如SiC)+持续下压的工 件(硅块) 切割三大必备要素 1.切割线：镀铜钢线（D：100140um） 2.切割砂：颗粒小、高硬、尖锐、高切割力（D：10um） 3.切削液：具备润滑、冷却、高悬浮性能（带砂） 如何做好线切工作？ 1.人：操作合理、到位，责任心强 2.机：机台保养、检修，保证设备状况良好 3.料：物料准备要足、快、好 4.法：执行良好的切割工艺 5.环：生产环境良好、杜绝外界因素的影响 线切机介绍切片工艺简介.ppt 8

4、.脱胶 切片后，去 胶前情况 脱胶后， 工作台 被移走， 硅片表 面浆料 被冲洗 干净 放入85 水中， 等待胶 变软 脱胶 完成 后 9.清洗 硅片 插入 篮中 插好的 片子放 入干净 的水中 清洗 篮 插片蓝 硅片清洗区 硅片干燥区 捷佳创.avi 10.分选 清洗完的硅片放入检片区 检片工作台 自产的硅片分合格品和等外品两大类，合格品等外品的分类及标准如下：自产的硅片分合格品和等外品两大类，合格品等外品的分类及标准如下： 硅片按照 不同的类 别放入不 同盒中 每叠100片 硅片性质、生产流程及其工艺硅片性质、生产流程及其工艺 右图为可以测量厚度和右图为可以测量厚度和 TTV的花岗石测量仪

5、器。的花岗石测量仪器。 用刻度模板的刻度目测缺角、梯形、用刻度模板的刻度目测缺角、梯形、 外形片是否存在检测标准内。外形片是否存在检测标准内。 上图为刻度模上图为刻度模 板板 自动分选机 检测项目包括：厚度、TTV、线痕、气孔、翘曲度、BOW/WARP、外形尺 寸、寿命、电阻率、P/N型、崩边、裂纹和边缘缺陷等。 硅片分选机.mpg 11.包装 多晶切割工艺 -多数工艺与单晶类同，选取不同的几点说明。 1.开方 2.去头尾 通过红 外探伤 和少子 寿命检 测仪器 确定截 断长度 3.倒角 倒角尺寸均匀度 0.15mm 粗糙度 Ra0.63m 角度误差 450.3 祝各位在各自的工作岗位上祝各位在各自的工作岗位上 百尺竿头百尺竿头 更进一步更进一步 谢谢！谢谢！ 单晶切割工艺 1.硅棒截断带锯截断机 需注意： a.硅棒需固定稳当。 b.运行时关注带锯是否正常。 b.开方-一次可开25根单晶硅棒，长度小于500mm 注：操作严格按作业指导书进行 工艺标准 ： 直径：150 0