模拟电子技术基础-知识点总结(20210315123458)

1、模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）o2特性一-光敬、热敬和掺杂特性。3. 本征半导体-一纯净的具有单晶体结构的半导体。4两种载流子一一带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5. 杂质半导体一-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导 体的掺杂特性。*P型半导体： 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是 电子）。*N型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子 是空穴）。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度

2、有关。*体电阻-一通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型一-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导 体。7. PN 结* PN结的接触电位差-硅材料约为0. 608V,错材料约为0. 203Vo* PN结的单向导电性-一正偏导通，反偏截止。8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-一同PN结。*正向导通压降硅管0. 6、07V,错管0. 2、0. 3Vo*死区电压硅管0. 5V,错管0. lVo3分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳5（正偏）,二极管导通（短路）；若V阳5（反偏）,二极管截止（开路）1）

3、图解分析法rD=/DD- gR该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点0。（a）二极管屯路（b）图解分析2）等效电路法 直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳V阴（正偏）, 若V阳V阴（反偏）, *三种模型二极管导通（短路）； 二极管截止（开路）。6r（b）恒压源模型（c）折线模型（a）理根棋申微变等效电路法3/16稳爪管的伏安特性（d）小信号模型三稳压二极管及其稳压电路水稳压二极管的特性-一正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在 电路中要反向连接。第二章 三极管及其基本放大电路三极管的结构、类型及特点1.类型-分为NPN和PNP两种。2特点一-基区

4、很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态(刃)共发射极组态(b)共蕖电极组态(c)共棊极组态2. 三极管内各极电流的分配lC=，CN + ZCBOIe = /BN + /CN = /b + /c/b= bn - /cBO*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件/-7cn1 /bnfc=fihi + (1 +/? )/cbo =fifn+rcEO /?/b式子/ceo=(1+A)/cbo 称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-一同二极管。(b)输入特性曲线*输出特性

5、曲线(饱和管压降，用弘S表示放大区-一发射结正偏，集电结反偏。 截止区-发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升咼矗)、-ZcEO %厶以及0均增加。三. 低频小信号等效模型(简化) 氐-输岀端交流短路时的输入电阻，常用耳表示；氐- - -输出端交流短路时的正向电流传输 常用B表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、 坯、&、凡、G、G的作用。比,输。2. 组成原则一一能放大、不失真、能传五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析 水概念-一直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-一III %产3足确定的直

6、线。 水电路参数对静态工作点的影响1）改变凡：0点将沿直流负载线上下移动。2）改变丘:0点在厶所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变纵：直流负载线平移，0点发生移动。2. 交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路，理想直流电压源视为短路。*作用-一分析信号被放大的过程。水交流负载线-连接Q点和卩J点卩J二馄q+厶qT? J的 直线。4/ 16*当 d (Q 咕。*(厶& Ices) ( Vcrbe*输入电阻/=l=心* A 峦/傀+”be *输出电阻Rn=LXRc5七.分压式稳定工作点共 放大电路的等效电 1.静态分析,+VI+短川 10 Y4L.G50+7-0 IT

7、e 1+3. 电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1,称为射极跟随器，简称射随器。*输入电阻高，输出电阻低。第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（JFET ）1 结构示意图和电路符号（a ） NJFET结构及电路符号 Cb） PUKE构及电路符号16/162. 输岀特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）力/roAAiss一截止电压顶夹断轨迹my-IV饱严区 _2VQ 区:-3迄；-4V0 嵌止区 /i|s=wnsi 皿/v输岀特杵性曲(tr|Gs 区 la_ _ _输出特件U ihK “ds=“dsi结构示意图和电路符号a时，u=+lL ao时，uF-Ug两输入端的输入电流

8、为零:1=1=0第七章 放大电路中的反馈f xid=xrxf/ （开环）I11111反馈依号反馈网络I I11111F111A1 + AF输入厂一1 输出信号出C净输入信划玉卡放大糾潭弓反馈放大器组成方框图一.反馈概念的建立开环放大倍数*闭环放大倍数71/*反馈深度1 +A F*环路增益A Ft1. 当AF 0时，下降，这种反馈称为负反馈。2. 当4 F= 0时，表明反馈效果为零。3当A FC 0时，升高，这种反馈称为正反馈。4. 当AF= 1时,。放大器处于“自激振荡”状态。二反馈的形式和判断1. 反馈的范圉一-本级或级间。2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈

9、，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。3. 反馈的取样-电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作 用。（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输岀电流。具有稳定输出电流的作用。（输岀短路时反馈不消失）4. 反馈的方式并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。斥越大反馈效果越好。 反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。島越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端）5. 反馈极性瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示）,并设信号 的频率在中频段。（2）根据该极性

10、，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用一表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4）根据凡与X f的极性，确定净输入信号的大小。X记减小为负反馈；Xid增大为正反馈。三. 反馈形式的描述方法某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四. 负反馈对放大电路性能的影响1. 提高放大倍数的稳定性M _1 dA2 /if 1 + AF A3：扩展频带4 减小非线性失真及抑制干扰和噪声5. 改变放大电路的输入、输出电阻水串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍*电压负反馈使输岀电阻减小1+AF倍*电流负反馈使输出电阻增加

11、1+AF倍五. 自激振荡产生的原因和条件1. 产生自激振荡的原因附加相移将负反馈转化为正反馈。2. 产生自激振荡的条件AF=A若表示为幅值和相位的条件则为：af=10af=0a+0f = （2 +1）兀（为整数）第八章信号的运算与处理分析依据 “虚断”和“虚短”一.基本运算电路1. 反相比例运算电路尼二尼斥Mo =-MI2. 同相比例运算电路RRJ/R.o =（1+字）“+3. 反相求和运算电路(“基本形式!|R： 00反相求利运算电賂RRJ/Rj/Rd/Ri&O 820/16Hi4. 同相求和运算电路RJ/RJ/RZ/RRJ/R.同相求和运算rft路5.加减运算电路RJ/RJ/RRJ/RJ/

12、R,3和卸等器等单运放加减运算电賂二积分和微分运算电路1.积分运算1 f .“ n-而做曲2.微分运算Uq = -RC棊本枳分运算电路(：i)基本微分电賂第九章信号发生电路 正弦波振荡电路的基本概念1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈) 自激振荡的平衡条件：月F = 1即幅值平衡条件：AF=l相位平衡条件：0af二土2帧(Th 1, 2)2.起振条件： 幅值条件：Mi 相位条件：0AF二2帧3正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成(1)放大电路建立和维持振荡。 正反馈网络-与放大电路共同满足振荡条件。(3) 选频网络以选择某一频率进行振荡。(4) 稳幅环节使波形幅值稳定，且波形的形状良好。*正弦波振荡器的分类氏振荡器振荡频率较低以下；厶。振荡器振荡频率较高以上；石英晶体振荡器一一振荡频率高且稳定。（1）截止失真*产生原因-一 0点设置过低*失真现象-一NPN管削顶，PP管削底。*消除方法减小Ab,提高Q。（2）饱和失真*产生原因-一 0点设置过高*失真现象-一NPN管削底，FP管削顶。水消除方法-增大凡、减小&、增大Co4. 放大器的动态范围（1）bpp是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围*当（心一