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文档简介

1、 单元器件单元器件 线列结构线列结构 焦平面焦平面 2 1 2 k Emv k EhE 1.24 () () c hc m EEeV E 2 () n npp eN G L 2 () nnpp eNu iu G L 光电导： 光电流： + 结区 p n 光 无光照 光照下 i Vu 0 光生伏特 i0短路光电流 00 phph IeI hv PhvP e h= 当探测器的输入光信号为方波时，输出信号的电流从最大值 的90%减小到10%所需的时间称为下降时间d，以及从最大 值的10%上升到90%所需的时间称为上升时间r。 n dnu VP NEP V VR * opt A BW D NEP 第二

2、代光伏型HgCdTe焦平面探测器的两种扫描方式： （a）扫描型 和（b）凝视型 (a)(b) 1.E+08 1.E+09 1.E+10 1.E+11 1.E+12 1.E+13 1.E-011.E+001.E+011.E+021.E+031.E+04 Wavelength (um) D* (cmHz 1/2W-1) NEP = (Sensitive Area) 1/2/D* Radiometers Golay cell Thermopile Uncooled bolometers Si or Ge HEB (hot-electron-bolometer, 4K) Infrared Detect

3、or Performance at FOV=180, 300K background InSb HEB (4K) PC BLIP, 300K Ge:Ga(4K), Stressed Ge:Ga(4K) Ge:Zn(4K) Ge:Cu(4K) MCT, LW(77K) InSb(77K) MCT, MW(77K) InGaAs Si Diode InAs(PC, 77K) PbS(PC,193K) Si:As(4K) NbN/NbTiN film HEB (4K) EO crystals Cooled radiometers QWIP(77K) PbS(PC,77K) MicrowaveTera

4、HertzInfrared VisibleUltrvoilet 能隙能隙 HgCdTe ： 波长与相对响应度的曲线图 GaAs AlGaAs continuum “dark current” mechanisms photocurrent bound state conduction band energy position cross section TEM 1 2 3 N+ GaAs 注入区注入区 N+ GaAs 收集区收集区 暗电流较大，后来Choi等人对此结构进行改进，适当地增加 势垒的厚度和高度，导致引起暗电流的基态电子隧穿数目减少 ，从而也提高了探测率。 目标识别目标识别 “库尔斯克”号内装备先进的“花岗岩”远程超音速 反舰导弹 红外制导红外制导 医学医学 古画辨认

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