P845-模拟电路的振荡测试技术

1、“半导体技术”2008年 第10期摘要”趋势与展望P845- 模拟电路的振荡测试技术技术专栏P850- X 波段AlGaN/GaN HEMTs栅场板结构研究P855- 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究P859- SIC MESFET 中 Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究P862- Si 材刻蚀速率的工艺研究P866- 90 nm 技术中接触层 Cu 扩散缺陷分析与解决方案P869- 掩模版雾状缺陷的解方法工艺技术与材料P872- 工艺条件对 PZT 薄膜界面层电容的影响P876- 大尺寸 SI 片自旋转磨削表面的损伤分布研究P880- 玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究P885- Ce

2、0.8Gd0.2O1.9-氧离子固体电解质的制备P888- 超声波辅助湿法腐蚀制备多晶Si 低反射表面P892- 长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算P895- 半导体量子点的发光性质研究封装、测试与设计P899- 电磁外冲对 GaAs LNA 损伤及其分析P902- 功率发光二级管的寿命预测P905- 扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析集成电路设计与开发P909- 基于嵌入式技术的Ethernet over E1 网桥系统设计P913- 基于 CPLD 的Si 基液晶芯片显示驱动P917- 125 kHz RFID 反馈系统稳定性的研究P923- C 波段GaAs 低噪声放大器单片电路

3、设计P927- 采用功率测量负载牵引的阻抗匹配方法P930- Ka波段介质谐振器的研究趋势与展望P845- 模拟电路的振荡测试技术胡庚，王红，杨士元（清华大学自动化系，北京）摘要：集成电路设计和制造技术的发展给电路测试带来了巨大的挑战，其中模拟电路的测试是电路测试的难点。目前在这一领域有许多致力于降低测试难度，节约测试成本的研究。介绍了一种称为“振荡测试”的模拟电路测试技术，从振荡电路的构造、测试响应的测量和分析等方面综述了振荡测试技术的研究现状，同时总结了振荡测试技术的优点，分析了当前存在的局限性，并对将来的发展进行了展。关键词：集成电路测试；模拟电路；振荡测试技术专栏P850- X波段Al

4、GaN/GaN HEMTs栅场板结构研究王冬冬，刘果果，刘丹，李诚瞻，刘新宇（中国科学院微电子研究所，北京）摘要：基于 SiC 衬底成功研制波段0.25栅长带有栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT，对比型栅结构器件，研究了栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响。结果表明，栅场板结构减小器件截止频率及振荡频率，但明显改善器件膝点电压和输出功率密度。针对场板长度分别为0.4、0.7、0.9、1.1，得出一定范围内增加场板长度，器件输出功率大幅度提高，并结合器件小信号模型提参结果分析原因。在频率GHz下，总栅宽mm，场板长度0.9的器件，连续波输出功率密度7.11mm，功率附加效率（P

5、AE）35.31，相应线性增益10.25。关键词：AlGaN/GaN HEMTs ；栅场板 ；截止频率 ；功率密度P855- 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究庄四祥，冯士维，王承栋，白云霞，苏蓉，孟海（北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京）摘要：研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响，对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验，测量了不同结深下器件的I-特性和光响应度。结果表明：扩散结深对器件的1-特性影响不大，而对光响应度影响很大，当结深处在InGaAs吸收层上表面时，光响应度最大值出现在波长1.55处；而当结深进入衬底InP层后，光响应度最大值则出现在波

6、长处。另外，在闭管扩散实验中，严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键，研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深，为器件的制备提供了参考关键词：探测器；光响应度；InGaAs/InP；结深P859- SIC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究催晓英1，黄云1，恩云飞1，陈刚2，柏松2（信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室，广州510610；.南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室，南京210016）摘要：SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300温度应力下，存储1 00

7、0 TiPtAu 栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300温度应力下，器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势，在实验前期一段时间内退化较快，而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定。关键词：碳化硅金属肖特基场效应晶体管；肖特基结；栅退化；稳定性P862- Si 材刻蚀速率的工艺研究蔡长龙，马睿，周顺，刘欢，刘卫国（西安工业大学光电微系统研究所，西安）摘要：在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中，Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题，它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能。介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法，通过大

8、量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻蚀气体、射频功率和气体流量等工艺参数对Si刻蚀结果的影响，包括刻蚀速率、刻蚀轮廓垂直度和刻蚀表面粗糙度等。通过研究，获得了Si材刻蚀效果与各种工艺参数之间的变化关系，得到了快速刻蚀Si材的较好的工艺参数。关键词：硅；等离子体刻蚀；刻蚀速率；工艺参P866- 90nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案阎海滨1，2，程秀兰1，（上海交通大学微电子学院，上海 200030；中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，上海 201203）摘要：在90nm工艺时代，接触孔工艺问题对于提升90nm产品的成品率具有重要意义。基于在90nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的C

9、u扩散问题，通过失效分析，确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的。通过合理的设计，优化了光刻胶清洗流程，最终达到成品率提升的目的。关键词：半导体制造；接触层；铜扩散；缺陷P869- 掩模版雾状缺陷的解方法陈尧，黄其煜（ 上海交通大学微电子学院，上海200240； 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，上海201203）摘要：在光刻波长进入到193nm之后，雾状缺陷（haze defect）越发严重，研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因。目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷，通过对这两种方案的对比表明，对掩模版的存储环境进行改善，可有效降低掩模版雾状缺

10、陷的发生频率，提高掩模版的使用寿命，并且整体费用较低，是目前比较可行的方案，掩模版的无S化工艺也是未来发展方向。关键词：雾状缺陷；掩模版；存储环境；使用寿命工艺技术与材料P872- 工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响费瑾文，汤庭鳌（复旦大学微电子学系ASIC和系统实验室，上海200433）摘要：采用了一种新的界面层电容计算方法来提取PTZ薄膜与电极之间的界面层电容，使用这种方法对不同工艺条件下制备的PTZ薄膜界面层电容进行了比较。通过实验发现，不同的Pt溅射温度和PTZ薄膜的退火温度都会对PTZ薄膜与电极之间的界面层产生影响。高温溅射Pt会破坏Pt衬底中的TiO2结构，并导致PTZ薄膜与电极

11、之间的界面层特性变差；PTZ薄膜600退火得到的薄膜表面均匀致密，界面层电容值最大。通过不同工艺条件下PTZ薄膜界面层电容的提取比较，获得了调整PTZ薄膜工艺条件的优化参数。关键词：PTZ薄膜；界面层；铂溅射温度；二氧化钛；退火温P876- 大尺寸 SI 片自旋转磨削表面的损伤分布研究郜伟，张银霞，康仁科（.郑州大学机械工程学院，郑州450001；. 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室，辽宁大连116024）摘要：为了更好地评价大直径Si片磨削加工损伤深度的大小和分布，提高下道抛光工序的效率，采用角度抛光法和方差分析法研究了Si片表面的损伤分布。结果表明，采用自旋转磨削方式磨削的Si片

12、表面的损伤分布不均匀，沿圆周方向在110晶向处的损伤深度比在100晶向处的损伤深度大，沿半径方向从圆心到边缘损伤深度逐渐增大，损伤深度的最大差值约为2.0。该分布规律对检测损伤深度时样品采集位置的选取及提高抛光加工效率均有重要的指导意义。关键词：硅片；自旋转磨削；损伤分布P880- 玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究王文彦，秦福文，吴爱民，宋世巍，李瑞，姜辛，徐茵，顾彪（大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室，辽宁大连116024）摘要：采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECRPEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜，利用反射高能电子衍射（RHEE

13、D）、射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测，研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明，当沉积温度为250430时，得到的GaN薄膜都呈现高度的C轴择优取向，结晶性较好；薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。关键词：电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积；氮化镓；低温沉积；玻璃衬底P885- Ce0.8Gd0.2O1.9-氧离子固体电解质的制备陈爱莲，陈杨，杨建平（江苏工业学院机械与能源工程学院，江苏常州213016）摘要：掺杂CeO2基复合氧化物是一种很有应用前景的中温固体电解质材料。以Ce（NO3）36H2O、Gd（NO3）36H2O为原料

14、，NH4HCO3为沉淀剂，采用雾化共沉淀工艺合成了Ce0.8Gd0.2O1.9-粉体。XRD测定表明，Ce0.8Gd0.2O1.9-粉体及其烧结体均为立方萤石结构，符合电解质材料的要求。TEM图片显示所得粉体呈近球形，分散性较好且具有较高的烧结活性。将所合成的粉体在1400下烧结制得了较致密的固体氧化物电解质陶瓷样品，此烧结温度比普通粉体的烧结温度（1600）低了200以上。不同温度下所得烧结样品的Arrhenius曲线研究表明，提高致密度对提高电导率具有重要意义。关键词：钆掺杂氧化铈；固体电解质；制备P888- 超声波辅助湿法腐蚀制备多晶Si低反射表面王艺帆，周浪（南昌大学NCU-LDK太阳

15、能研究中心，南昌330031）摘要：为降低光在多晶Si表面的反射，一种以湿法腐蚀为基础，添加超声波震荡的新方法，首次被用来腐蚀多晶Si太阳能电池片。利用扫描电子显微镜观察发现，此法所制备的多晶Si片表面形成了较多窄而深的沟壑状结构。其反射谱测试结果表明，此方法所获得的凹凸表面的减反射效果良好，加权反射率达到3.5；同时减反射效果对入射光波长选择性不明显。最后，在实验的基础上对腐蚀机理进行了深入的探讨，认为超声波的空泡特性有利于腐蚀的纵向深入，抑制了腐蚀的横向发展，是形成此沟壑状形貌的主要原因。关键词：多晶硅；织构化；湿法腐蚀；超声波P892- 长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算李新政，郑滨

16、（河北科技大学理学院，石家庄050081）摘要：采用复合体模型，探讨了长余辉晶体YO:Eu中碱土金属离子+和Ti4+离子对3离子的取代，离子间价电子数的差异，会造成掺杂中心的净电荷效应，当掺杂中心的净电荷为正时，掺杂中心起电子陷阱作用；当掺杂中心的净电荷为负时，掺杂中心起空穴陷阱作用。利用量子力学变分原理获得了碱土金属离子2和Ti4+掺杂中心的势阱深度和捕获半径的对应关系，利用所得结论估算出共掺杂的空穴陷阱MgY和电子陷阱TiY的有效捕获半径分别为0.117nm和0.071nm。关键词：变分原理；掺杂中心；陷阱深度；捕获半径P895- 半导体量子点的发光性质研究官众，张道礼（华中科技大学电子科

17、学与技术系，武汉430074）摘要：用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能，分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响，及导致发光峰红移的原因。结果显示，In元素有效抑制界面组分的混杂，使得量子点的均匀性得到改善，PL谱半高宽变窄。用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3发光。关键词：量子点；发光性质；光致发光谱测试封装、测试与设计P899- 电磁外冲对GaAs LNA损伤及其分析李用兵，王海龙（.中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050051；.中国电子科技集团公司第二十九研究所，成都610036 ）摘要：介绍了电磁脉冲对Ga

18、As低噪声放大器（LNA）损伤机理和损伤模式。利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤，通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法，针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损伤模式进行了分析与讨论。实验表明，GaAs低噪声放大器的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化，主要失效部位表现为有源器件，指出了对GaAs器件加固的一些措施，对器件设计者和使用者具有一定的参考意义。关键词：低噪声放大器；电磁脉冲；损伤试验；软损伤机理P902- 功率发光二级管的寿命预测蔡伟智（厦门三安电子有限公司，福建厦门361009）摘要：针对功率发光二极管（LED）的使用寿命问题，提出了利用阿仑尼

19、斯模型预测功率发光二极管器件寿命的方法，以器件输出光功率P 下降到初始值 的50为失效判据，通过对功率蓝光GaN LED芯片两个结温点的高温恒定应力加速寿命实验结果进行分析计算，求出了功率蓝光GaN LED器件在正常应力条件下的期望寿命，确定阿仑尼斯模型在功率发光二极管寿命实验过程中的适用性，为预测功率发光二极管寿命提供理论依据。关键词：发光二极管；阿仑尼斯；寿命实验；结温；退化P905- 扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析张志勤，李胜华，张秀丽（中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050002）摘要：扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度。实际外延片测试过程中，经常发生

20、扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题，从三个方面分析了产生的原因，其中两方面存在于样品制备过程：样品研磨角度不等于垫块角度造成的误差；研磨斜面两条边缘不平行造成的误差。另外一方面存在于测试过程，测试仪两探针起始位置偏离样品表面和研磨斜面的边界线造成的误差。由样品制备引起的误差占实际误差的大多数，所有误差均可通过计算公式进行修正。关键词：扩展电阻；硅外延；厚度误差；过渡区集成电路设计与开发P909- 基于嵌入式技术的Ethernet over E1网桥系统设计刘华珠，贺前华（.华南理工大学电子与信息学院，广州510640；.东莞理工学院电子系，广东东莞523808）摘要：基于Ethern

21、et over E1的原理，结合通用嵌入式芯片的功能特点，辅以现场可编程器件，介绍了Ethernet over E1网桥系统中核心部分的设计，包括网桥的系统统构、HDLC接口模块的嵌入式程序设计和E1接口电路的FPGA设计。E1接口电路分为数据接收、时隙选择、时钟产生、数据发送四大模块，用FPGA逐一实现。有关设计经过多次软硬件联合仿真验证后，在基于嵌入式系统的网桥项目中通过了板级的功能测试和验证，取得到了较好的效果。关键词：嵌入式技术；高级数据链路控制；网桥系统；同步数字系统P913- 基于CPLD的Si基液晶芯片显示驱动黄苒，王文博，王晓慧，杜寰，韩郑生（中国科学院微电子研究所，北京100

22、029）摘要：以复杂可编程逻辑器件（CPLD）作为QVGA微显示视频核心控制单元，搭建LCOS微显示芯片驱动系统。通过对CPLD编程产生与微显示芯片相匹配的控制信号与显示数据信号，实现对显示芯片的驱动控制，向微显示芯片输入16帧顺序16级灰度电压测试信号以测试像素的灰度响应。测试结果表明电压灰度响应正确，通过控制行列坐标的方式产生测试图像，驱动微显示芯片显示出测试图像，验证了LCOS微显示芯片显示功能的正确性，显示效果良好，视频刷新频率可达到60。关键词：硅基液晶；微显示；控制电路；复杂可编逻辑器P917- 125 kHz RFID反馈系统稳定性的研究杨彪，田曲平，应建华（.华中科技大学电子科

23、学与技术系，武汉430074；.孝感学院外国语学院，湖北孝感432400）摘要：设计了一种射频识别（RFID）收发器模拟前端芯片，可广泛应用于手持终端读卡器等读卡器电子设备。介绍了RFID收发器原理，并在滤波模块设计方面从系统传递函数入手，提出了分析有限增益运放传递函数的4种方法，进而重点分析了考虑寄生参数的实际运放电路两级运放补偿和零点消除技 术，并给出滤波电路和采样电路的仿真结果。本芯片采用德国XFAB高压CMOS 0.6的工艺流片成功，仿真测试结果满足设计要求，系统在各种应用条件和环境下均能正常工作，达到设计要求。关键词：射频识别；收发器；密勒补偿；零点消除P923- C 波段GaAs低噪声放大器单片电路设计王德宏，刘志军，刘文杰，高学邦，吴洪江（中国电子科技集团公司第十三研究所，石