InTexTraining

1、清洗制绒培训课件清洗制绒培训课件刘汉清太阳能电池生产流程太阳能电池生产流程硅料硅料铸锭铸锭组件组件电池电池切片切片系统系统印刷、烧结印刷、烧结刻蚀、刻蚀、PECVD扩散扩散清洗、制绒清洗、制绒 硅片从切片工序到电池车间之间，要硅片从切片工序到电池车间之间，要经历很多工序，在这些工序中，硅片的表经历很多工序，在这些工序中，硅片的表面会附着部分的杂质和污物，这些杂质和面会附着部分的杂质和污物，这些杂质和污物会严重电池的性能，所以要对硅片进污物会严重电池的性能，所以要对硅片进行表面清洗以去除这些杂质。行表面清洗以去除这些杂质。硅片在切割过程中会在表面形成大约硅片在切割过程中会在表面形成大约10m厚厚

2、的的损伤层损伤层，这一层因为与硅片基体的状态已经，这一层因为与硅片基体的状态已经不同，基本上已经剥离于集体，会严重影响半不同，基本上已经剥离于集体，会严重影响半导体器件（太阳电池）的性能。清洗工序制绒导体器件（太阳电池）的性能。清洗工序制绒工艺就是利用硅片的这一层损伤层，通过硝酸工艺就是利用硅片的这一层损伤层，通过硝酸对其氧化制绒，形成高低不平的表面，大大增对其氧化制绒，形成高低不平的表面，大大增加电池片表面的受光面积，减少反射，从而提加电池片表面的受光面积，减少反射，从而提高太阳电池的转换效率高太阳电池的转换效率。晶体结构：金刚石结构（正四面体）晶体结构：金刚石结构（正四面体）单晶硅单晶硅多

3、晶硅多晶硅原子在三维空间中按原子在三维空间中按一定规则周期重复排一定规则周期重复排列构成的晶体。列构成的晶体。晶面均一、电性能稳晶面均一、电性能稳定、容易控制、晶体定、容易控制、晶体缺陷少。缺陷少。由晶粒尺寸为由晶粒尺寸为200500nm200500nm的的SiSi晶粒和晶粒间界组成的晶粒和晶粒间界组成的晶体。晶体。晶面杂乱、电性能不稳定、晶面杂乱、电性能不稳定、不易控制、存在大量晶体缺陷不易控制、存在大量晶体缺陷、晶粒间含有大量杂质。、晶粒间含有大量杂质。一一 、半导体硅片的化学清洗技术、半导体硅片的化学清洗技术 硅片表面沾污分类硅片表面沾污分类有机杂质沾污有机杂质沾污 颗粒沾污颗粒沾污 金

4、属离子沾污金属离子沾污 有机杂质沾污：有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。结合超声波清洗技术来去除。 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径超声波清洗技术来去除粒径 0.4 m颗粒，颗粒，利用兆声波可去除利用兆声波可去除 0.2 m颗粒。颗粒。 C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类： a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着一类是沾污离子或原子通过吸附分

5、散附着在硅片表面。在硅片表面。 b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如附着（尤如“电镀电镀”）到硅片表面。）到硅片表面。 硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。 a. 使用强氧化剂使使用强氧化剂使“电镀电镀”附着到硅表面的附着到硅表面的金属离子、氧化成金属离子、氧化成 金属，溶解在清洗液中或金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。吸附在硅片表面。 b. 用无害的小直径强正离子（如用无害的小直径强正离子（如H+）来替代）来替代吸附在硅

6、片表吸附在硅片表 面的金属离子，使之溶解于清洗面的金属离子，使之溶解于清洗液中。液中。 c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。液中的金属离子。 以以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术为基础的硅片化学清洗技术 目前常用目前常用H2O2作强氧化剂，选用作强氧化剂，选用HCL作作为为H+的来源用于清除金属离子。的来源用于清除金属离子。SC-1是是H2O2和和NH4OH的碱性溶液，通过的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水

7、的冲洗而被排除。冲洗而被排除。由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。 为此用为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。亦能去除某些金属沾污。 SC-2是是H2O2和和HCL的酸性溶液，它具有极强的的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生

8、成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除水冲洗而被去除 在使用在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。更好的效果。1. SC-1清洗去除颗粒：清洗去除颗粒： 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去 除部分金属杂质除部分金属杂质 去除颗粒的原理：去除颗粒的原理：硅片表面由于硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被呈亲水性），该氧

9、化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。清洗液内。 . 去除金属杂质的原理：去除金属杂质的原理： 由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。去离子水的冲洗而被排除。 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的反应，生成氧化物的=能的绝对值大的金属

10、能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：容易附着在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易等便易附着在自然氧化膜上。而附着在自然氧化膜上。而Ni、Cu则不易附着。则不易附着。 Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高的氢氧化物在高PH值清洗值清洗液液二、二、RENA制绒制绒工艺目的：制绒就是利用硅片的损伤层，通过硝酸工艺目的：制绒就是利用硅片的损伤层，通过硝酸与氢氟酸的混合溶液对硅片表面腐蚀进行制绒。在与氢氟酸的混合溶液对硅片表面腐蚀进行制绒。在硅片表面形成高低不平的表面及大量的孔洞，增加硅片表面形成高低不平的表面及大量的孔洞，增加电池片表面的受光面积降低反射率，从而提高太阳电池片表面的受光面积降低反射

11、率，从而提高太阳电池的转换效率电池的转换效率Rena InTexRena InTex工艺主要包括三部分：工艺主要包括三部分： 硝酸硝酸+ +氢氟酸氢氟酸 氢氧化钾氢氧化钾 氢氟酸氢氟酸+ +盐酸盐酸 在制绒过程中，首先是硝酸在损伤层与缺陷处将在制绒过程中，首先是硝酸在损伤层与缺陷处将硅片氧化，形成氧化硅，然后氢氟酸与氧化硅反应硅片氧化，形成氧化硅，然后氢氟酸与氧化硅反应生长硅的络合物生长硅的络合物（H2SiF6）与水，这样去损伤层与制绒同时进行，）与水，这样去损伤层与制绒同时进行，从而缩短了工艺流程。从而缩短了工艺流程。工艺原理：工艺原理： 制绒之后的硅片经过制绒之后的硅片经过KOH溶液去除硅

12、片表溶液去除硅片表面的多孔硅，再经过面的多孔硅，再经过DI水冲洗去掉表面残留的碱水冲洗去掉表面残留的碱液。液。 最后利用最后利用HF与与HCl的混合溶液除去硅片表的混合溶液除去硅片表面的各种金属离子等杂质，并用面的各种金属离子等杂质，并用DI水冲洗酸性表水冲洗酸性表面，最后用压缩空气将硅片表面吹干面，最后用压缩空气将硅片表面吹干。It produces three kind of gas, NO2、 NO and H2. when this gas forms bubbles, they intend to stick on the wafer and act as masks, then c

13、ause inhomogeneous texturing. So the texturing machine needs exhaust system反应方程式简化如下：反应方程式简化如下：Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 RENA设备主体设备主体RENA设备机械手设备机械手RENA设备机械手设备机械手Procedure of acidic texturingEtch BathDry1Rinse 1Alkaline RinseRinse 2Acidic RinseRinse 3Dry2These rolls s

14、hould be further adjusted to reduce shatter ratio or this is not a good designProcedure of acidic texturingEtch BathDry1Rinse 1Alkaline RinseRinse 2Acidic RinseRinse 3Dry2(HF/HNO3)To texture Si wafer surface(water)To eliminate acid on textured surface(NaOH)To eliminate porous Si film formed in textu

15、ring step(HCl/HF)To eliminate some metal ions on wafer surface腐蚀槽结构腐蚀槽结构上料上料混合液混合液HNO3、HF、DI腐蚀腐蚀风刀风刀1 1DIDI水冲洗水冲洗KOHKOH腐蚀腐蚀风刀风刀2 2DIDI水冲洗水冲洗HCIHCI、HFHF清洗清洗风刀风刀3 3DIDI水冲洗水冲洗压缩空气风干压缩空气风干下料下料工艺流程工艺流程l工艺材料：合格的多晶硅片、工艺材料：合格的多晶硅片、HF（40%，电子，电子级）、级）、KOH（50%,电子级）、电子级）、HNO3（65%，电，电子级）、子级）、DI水（大于水（大于15 Mcm）、压缩空

16、气（）、压缩空气（6 bar，除油，除水，除粉尘）、冷却水（，除油，除水，除粉尘）、冷却水（4 bar）等。等。工艺准备工艺准备 1、工艺洁净管理：操作时需戴口罩、洁净手套，、工艺洁净管理：操作时需戴口罩、洁净手套，并保持室内正压，严禁随便开启门窗并保持室内正压，严禁随便开启门窗,以保持室内以保持室内洁净度。洁净度。 2、设备准备、设备准备:确认设备能正常运行确认设备能正常运行,工艺温度、工艺温度、冷却水、压缩空气等压力及流量正常。冷却水、压缩空气等压力及流量正常。 3、原材料准备、原材料准备:硅片需经抽检合格后方可投入，硅片需经抽检合格后方可投入，将不合格硅片挑拣出来。常见的不合格片包括：将

17、不合格硅片挑拣出来。常见的不合格片包括：崩边、缺角、裂纹、锯痕、手印、孔洞、微晶、崩边、缺角、裂纹、锯痕、手印、孔洞、微晶、含氮化硅的硅片等。含氮化硅的硅片等。 4、工装工具准备：备齐用于工艺生产的、工装工具准备：备齐用于工艺生产的PVC手套、口罩、防护眼罩、防护面罩、防护套袖、手套、口罩、防护眼罩、防护面罩、防护套袖、防护服、防酸碱手套、防酸碱胶鞋等。防护服、防酸碱手套、防酸碱胶鞋等。 5、工艺准备：确认设定的制绒工艺名称及参数、工艺准备：确认设定的制绒工艺名称及参数正确无误。正确无误。 去离子水压力为去离子水压力为6bar6bar、压缩空气压力为、压缩空气压力为6bar6bar、排、排风压

18、力为风压力为0.01bar0.01bar环境温度：环境温度：252533相对湿度：相对湿度：40%40%60% 60% ，无凝露，无凝露 腐蚀槽温度：腐蚀槽温度：6-96-9槽温度：槽温度：88左右左右工艺条件工艺条件1 1、工装工具准备：、工装工具准备：备齐用于工艺生产的备齐用于工艺生产的PVCPVC手套、口罩、防护眼罩、防手套、口罩、防护眼罩、防护面罩、防护套袖、防护服、防酸碱手套、防酸碱护面罩、防护套袖、防护服、防酸碱手套、防酸碱胶鞋等。胶鞋等。2 2、设备准备：、设备准备：确认设备能正常运行确认设备能正常运行,DI,DI水、压缩空气等压力及流量水、压缩空气等压力及流量正常。确认设定的刻

19、蚀工艺，碱洗工艺和正常。确认设定的刻蚀工艺，碱洗工艺和HFHF腐蚀工腐蚀工艺名称及参数。艺名称及参数。3 3、工艺洁净管理：穿好净化服，戴口罩，操作时戴、工艺洁净管理：穿好净化服，戴口罩，操作时戴洁净洁净PVCPVC手套。手套。4 4、原材料准备：、原材料准备：观察外观是否正常。常见的不合格片包括含缺角、观察外观是否正常。常见的不合格片包括含缺角、裂纹、手印、孔洞的硅片等裂纹、手印、孔洞的硅片等。工艺要求工艺要求5 5、碱洗槽温度要求、碱洗槽温度要求 2323。当发现碱洗槽温度超。当发现碱洗槽温度超过控制范围时，及时通知相关负责人进行检查调整。过控制范围时，及时通知相关负责人进行检查调整。6

20、6、碱洗槽喷淋量要求，且首先保证下喷淋量充足，、碱洗槽喷淋量要求，且首先保证下喷淋量充足，以便使硅片背面多孔硅腐蚀充分。以便使硅片背面多孔硅腐蚀充分。7 7、压缩空气风干、压缩空气风干Dryer Dryer 处风刀频率及流量的控制太处风刀频率及流量的控制太小，易造成硅片不能完全风干；过大易产生碎片。小，易造成硅片不能完全风干；过大易产生碎片。以硅片上下表面能够被完全风干为前提。以硅片上下表面能够被完全风干为前提。建议风刀频率为：建议风刀频率为：80% 80% 85%85%；压缩空气流量：（压缩空气流量：（8 8道）道）2020立方米每小时立方米每小时工艺要求工艺要求测试及检查测试及检查l新换槽

21、药液后，需等到槽温实际值降到设定值时新换槽药液后，需等到槽温实际值降到设定值时方可进行投片生产。方可进行投片生产。l批量投入生产前需先投入称重片，以观测实际腐批量投入生产前需先投入称重片，以观测实际腐蚀深度。由于新换药液的腐蚀速度较慢，因此可蚀深度。由于新换药液的腐蚀速度较慢，因此可以将传输速度降低。随着生产的进行，每半小时以将传输速度降低。随着生产的进行，每半小时需要称重一次。当工艺稳定后，每个小时需进行需要称重一次。当工艺稳定后，每个小时需进行一次腐蚀量的测量。一次腐蚀量的测量。 具体测量方式如下：具体测量方式如下：l先利用电子天平称量先利用电子天平称量8 8片腐蚀前硅片的质量，将此质片腐

22、蚀前硅片的质量，将此质量按顺序填写在工序腐蚀深度记录表中，同时记录量按顺序填写在工序腐蚀深度记录表中，同时记录好班次、称重时间、硅片数（即称重时设备从维护好班次、称重时间、硅片数（即称重时设备从维护结束已生产的硅片数）、工艺条件（如腐蚀温度、结束已生产的硅片数）、工艺条件（如腐蚀温度、传输速度等参数），并按照顺序装片投入腐蚀槽运传输速度等参数），并按照顺序装片投入腐蚀槽运行工艺。行工艺。l刻蚀后按照顺序取出此称重硅片，再称量腐蚀后硅刻蚀后按照顺序取出此称重硅片，再称量腐蚀后硅片的重量，填入表格，利用电子表格的公式直接求片的重量，填入表格，利用电子表格的公式直接求出腐蚀深度值。出腐蚀深度值。l注

23、：前后两次称重前都要将电子天平置零。注：前后两次称重前都要将电子天平置零。测试及检查测试及检查l硅片的单面腐蚀深度（硅片的单面腐蚀深度（8片的平均值）为片的平均值）为4.60.3，允许有一片（，允许有一片（5道）或者道）或者2片（片（8道）的道）的腐蚀深度不在该范围内，如果有大于一片（腐蚀深度不在该范围内，如果有大于一片（5道）道）或者或者2片（片（8道）超出此范围应当复测一次，如果仍道）超出此范围应当复测一次，如果仍有一片（有一片（5道）或者道）或者2片（片（8道）超出范围应当立即道）超出范围应当立即通知当班工艺人员进行调整。通知当班工艺人员进行调整。l若预计设备若预计设备1 1小时以上不投

24、产，必须将小时以上不投产，必须将/槽槽(Etch (Etch Bath)Bath)里的药液排至里的药液排至Prep.tankPrep.tank里，以保证药液浓度里，以保证药液浓度的不变。的不变。lRenaRena制绒机的维护更换制绒机的维护更换/槽药液后，需要在槽药液后，需要在“腐蚀深度记录表腐蚀深度记录表” ” 中认真填写更换时间、更换中认真填写更换时间、更换班组。班组。测试及检查测试及检查（1 1）生产中的操作必须带手套，佩带口罩，并经常更换）生产中的操作必须带手套，佩带口罩，并经常更换手套，保证生产的清洁。手套，保证生产的清洁。（2 2）要随时注意硅片在设备内的传输状况，以免发生大）要随

25、时注意硅片在设备内的传输状况，以免发生大量卡片现象。如在腐蚀槽发生卡片，可用耐酸工具对其量卡片现象。如在腐蚀槽发生卡片，可用耐酸工具对其进行疏导。情况严重时要立即进行进行疏导。情况严重时要立即进行Drain BathDrain Bath操作，将操作，将酸液排到酸液排到TANKTANK中，穿好整套防护装备，手动取出卡片。中，穿好整套防护装备，手动取出卡片。（3 3）除设备维护，更换药液，使用）除设备维护，更换药液，使用DI-DI-水喷枪时，严禁水喷枪时，严禁将水流入药液槽。将水流入药液槽。（4 4）工艺过程中：定时检查设备运行情况，传输速度、）工艺过程中：定时检查设备运行情况，传输速度、气体流量

26、等参数以及各槽液位情况。气体流量等参数以及各槽液位情况。（5 5）完工后详细填写完工转交单，要求字迹工整、各处）完工后详细填写完工转交单，要求字迹工整、各处信息准确无误，与硅片一同转入下一工序。表面合格的信息准确无误，与硅片一同转入下一工序。表面合格的硅片才可转入下工序。硅片才可转入下工序。注意事项注意事项安全操作规范安全操作规范l1、员工上岗前必须经过专业培训，并进行安全教、员工上岗前必须经过专业培训，并进行安全教育要严格按照本工序设备安全操作规程和工艺操作育要严格按照本工序设备安全操作规程和工艺操作规程进行作业。规程进行作业。l2、熟悉生产中所用的化学药品危险性及当不慎接、熟悉生产中所用的

27、化学药品危险性及当不慎接触到药液时的处理方法。触到药液时的处理方法。l3、硅片的装卸应该在、硅片的装卸应该在10000级的洁净环境中进行，级的洁净环境中进行，注意保持室内洁净度，进出时随手关门。注意保持室内洁净度，进出时随手关门。l4、更换化学药品时须由专人负责，两人同时进行、更换化学药品时须由专人负责，两人同时进行作业，穿好防护服，戴好防护眼罩、防酸碱套袖和作业，穿好防护服，戴好防护眼罩、防酸碱套袖和手套，小心处理，换好药液后及时填写化学药品更手套，小心处理，换好药液后及时填写化学药品更换记录。换记录。l5、洗眼器附近不可堆放物品；设备内部或周围严、洗眼器附近不可堆放物品；设备内部或周围严禁

28、接触和堆放易燃易爆等危险品。禁接触和堆放易燃易爆等危险品。l6、更换化学药品时须由专人负责，两人同时进行、更换化学药品时须由专人负责，两人同时进行作业，穿好防护服，戴好防护眼罩、防酸碱套袖作业，穿好防护服，戴好防护眼罩、防酸碱套袖和手套，小心处理，换好药液后及时填写化学药和手套，小心处理，换好药液后及时填写化学药品更换记录。品更换记录。l7、洗眼器附近不可堆放物品；设备内部或周围严、洗眼器附近不可堆放物品；设备内部或周围严禁接触和堆放易燃易爆等危险品。禁接触和堆放易燃易爆等危险品。 l8、在机器运行过程中任何人不得将头、手伸入工、在机器运行过程中任何人不得将头、手伸入工作腔体，以免发生危险。作

29、腔体，以免发生危险。l9、工作时一定要有专人看守，工作交接时，下班、工作时一定要有专人看守，工作交接时，下班组要向上班组询问设备运行状况。组要向上班组询问设备运行状况。l10、为防止硅片沾污，、为防止硅片沾污，Rena InTex后的硅片在空后的硅片在空气中滞留的时间不得超过气中滞留的时间不得超过60分钟，应尽快转到下分钟，应尽快转到下道工序。道工序。化学品特性及应急处理预案化学品特性及应急处理预案HF的物化性质的物化性质1、分子式：、分子式：HF2、理化性质：是氟化氢、理化性质：是氟化氢40%的水溶液，的水溶液，极易挥发，露置空气中即冒白烟。极易挥发，露置空气中即冒白烟。3、危险特性：极毒，

30、车间空气中最高允、危险特性：极毒，车间空气中最高允许浓度为许浓度为1mg/m3。除金、铂、铅、石蜡、及。除金、铂、铅、石蜡、及塑料外，腐蚀大多数金属及物质。特别是与塑料外，腐蚀大多数金属及物质。特别是与硅及硅的化合物反应生成剧毒的气态四氟化硅及硅的化合物反应生成剧毒的气态四氟化硅，故不能用玻璃及陶瓷做容器。常温下极硅，故不能用玻璃及陶瓷做容器。常温下极易挥发出剧毒氟化氢气体。触及皮肤极为疼易挥发出剧毒氟化氢气体。触及皮肤极为疼痛，伤口治愈慢并能腐烂指甲、骨头。痛，伤口治愈慢并能腐烂指甲、骨头。 灭火剂及储运注意事项灭火剂及储运注意事项1、灭火剂：雾状水、泡沫。禁用柱状水，以防、灭火剂：雾状水、

31、泡沫。禁用柱状水，以防飞溅伤人。飞溅伤人。2、运储注意事项：、运储注意事项： 存于通风阴凉库房。远离存于通风阴凉库房。远离火种、热源。与火种、热源。与H发孔剂、氰化物、金属粉末、发孔剂、氰化物、金属粉末、碱类分开储运。搬运人员应带好防护用具，切碱类分开储运。搬运人员应带好防护用具，切勿接触皮肤。勿接触皮肤。u吸入吸入1、援助时需穿戴合适、安全的保护装备，以确、援助时需穿戴合适、安全的保护装备，以确保自己安全。保自己安全。2、移除污染源或将患者移至新鲜空气处。、移除污染源或将患者移至新鲜空气处。3、若呼吸停止，立即有受训人员施予人工呼吸、若呼吸停止，立即有受训人员施予人工呼吸或心肺复苏术。或心肺

32、复苏术。4、避免口对口接触，最好在医生的指示下，由、避免口对口接触，最好在医生的指示下，由受训人员来是与氧气。受训人员来是与氧气。5、立即就医、立即就医 1、分子式：、分子式：HNO3 2、理化性质：无色透明发烟液体，工业品常用、理化性质：无色透明发烟液体，工业品常用黄色或红棕色。能黄色或红棕色。能 与水以任何比例相混合。有硝化作用，能在有与水以任何比例相混合。有硝化作用，能在有机化合物中引入硝机化合物中引入硝 基化合物。密度基化合物。密度1.41（68%）、）、1.5（无水），（无水），沸点沸点86（无（无 水）、水）、120.5（68%）。）。HNO3的物化性质3、危险特性：是强氧化剂，与

33、金属粉末、危险特性：是强氧化剂，与金属粉末、H发孔发孔剂、松油立即燃剂、松油立即燃 烧，甚至爆炸。与还原剂、可燃物，如糖、纤烧，甚至爆炸。与还原剂、可燃物，如糖、纤维素、木屑、棉花、稻草等接触可引起燃烧。维素、木屑、棉花、稻草等接触可引起燃烧。遇氰化物则产生剧毒气体。有强腐遇氰化物则产生剧毒气体。有强腐 蚀性，其蒸气刺激眼和上呼吸道，皮肤接触能蚀性，其蒸气刺激眼和上呼吸道，皮肤接触能引起灼伤，误触皮肤应立即用苏打水冲洗，再引起灼伤，误触皮肤应立即用苏打水冲洗，再做医治做医治1、灭火剂：、灭火剂： 沙土、二氧化碳、雾状水（禁沙土、二氧化碳、雾状水（禁用加压的柱状水，以防飞溅影响消防人员的用加压的

34、柱状水，以防飞溅影响消防人员的安全）安全）2、储运注意事项：储存于铝罐、陶瓷坛或、储运注意事项：储存于铝罐、陶瓷坛或玻璃品中，陶瓷坛可放露天或棚下，下垫沙玻璃品中，陶瓷坛可放露天或棚下，下垫沙土上盖瓦钵。远离易燃、可燃物，并遇碱类、土上盖瓦钵。远离易燃、可燃物，并遇碱类、氰化物、金属粉末隔离储存。泄露物可用沙氰化物、金属粉末隔离储存。泄露物可用沙土或白灰吸中和，再用雾状水冷却稀释后处土或白灰吸中和，再用雾状水冷却稀释后处理。理。灭火剂及储运注意事项灭火剂及储运注意事项1、分子式：、分子式：HCl2、别名：氢氯酸、别名：氢氯酸3、理化性质：澄清无色或微黄色发烟液体，是氯化氢、理化性质：澄清无色或

35、微黄色发烟液体，是氯化氢的水溶液，有刺激性气味。无氧化性。密度的水溶液，有刺激性气味。无氧化性。密度1.2（38%），），1.15（30%），），1.127（25%）。广泛用于）。广泛用于燃料。医药，食品，燃料。医药，食品， 印染，皮革，冶金等行业。印染，皮革，冶金等行业。4、危险特性：与、危险特性：与H发孔剂接触立即燃烧。与氰化物接发孔剂接触立即燃烧。与氰化物接触会放出剧毒气体。遇碱发生中和反应并放热。有毒，触会放出剧毒气体。遇碱发生中和反应并放热。有毒，车间空气最大容许浓车间空气最大容许浓度度15 mg/m3。有强腐蚀性。有强腐蚀性。u灭火剂及储运注意事项灭火剂及储运注意事项1、灭火剂：雾

36、状水，沙土。、灭火剂：雾状水，沙土。2、储运事项：与硝酸基本相同、储运事项：与硝酸基本相同HCl的物化性质氢氧化钾分子式：氢氧化钾分子式：KOH。特性：特性：1性状：固体工业氢氧化钾为灰白、蓝绿或淡紫性状：固体工业氢氧化钾为灰白、蓝绿或淡紫色的片状或块状，液体工业氢氧化钾为淡黄色色的片状或块状，液体工业氢氧化钾为淡黄色或蓝紫色液体。属强碱，有强腐蚀性，比重或蓝紫色液体。属强碱，有强腐蚀性，比重2.044，易溶于水，溶解时放出大量的热。从浓，易溶于水，溶解时放出大量的热。从浓度上来说氢氧化钠与氢氧化钾是一样的度上来说氢氧化钠与氢氧化钾是一样的KOH的物化性质的物化性质2. 理化性质理化性质: 强

37、碱性物质强碱性物质,白色或稍带黄色白色或稍带黄色,能迅速从空气中吸能迅速从空气中吸收水分和二氧化碳而潮解。分子式收水分和二氧化碳而潮解。分子式KOH。分子。分子量量56.1。熔点。熔点360。易溶于水、乙醇和甘油中。易溶于水、乙醇和甘油中。溶解时或其溶液与酸反应时产生大量热。溶解时或其溶液与酸反应时产生大量热。 侵入途径侵入途径: 由呼吸道、消化道、皮肤侵入。由呼吸道、消化道、皮肤侵入。临表现临表现: 口服中毒口服后消化道剧痛口服中毒口服后消化道剧痛,呕吐、腹泻呕吐、腹泻,可有休可有休克。呕吐物含有血液和脱落的粘膜上皮。严重克。呕吐物含有血液和脱落的粘膜上皮。严重者可致胃肠道穿孔。在数周甚至数月后可发生者可致胃肠道穿孔。在数周甚至数月后可发生食道狭窄而引起吞咽困难。食道狭窄而引起吞咽困难。 急性吸入中毒吸入氢氧化钾粉尘或烟雾可引起急性吸入中毒吸入氢氧化钾粉尘或烟雾可引起化学性上呼吸道炎。眼接触眼接触浓氢氧化钾化学性上呼吸道炎。眼接触眼接触浓氢氧化钾液可发