半导体器件解读

1、半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。A. 不变B. 变宽C. 变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。A. 不变B. 变宽C. 变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is 将增大 ， 是因为此时PN 结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小D. 少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。A. 削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（ 0K ）和没有外界激发时 ，本征半导体中 ()载流子。A.有B. 没有C.

2、少数D.多数6、 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。A 减小温漂B.增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管B 、发光二极管C 、变容二极管D 、稳压管8、当晶体管工作在放大区时， （）。A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在()，A正向导通区B反向截止区C反向击穿区D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别

3、为0 V，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（）。ANPN 型硅管B NPN 型锗管.C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。A P 沟道增强型 MOS 管B.P 沟道结型场效应管- 4C.N 沟道增强型 MOS 管D.N 沟道耗尽型 MOS 管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（A输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大iD /mA50uGS/V）。14、如右图所示复合管， 已知 V 1 的 1 = 30，V 2 的 2 = 50， 则复合后的约为（）。A1500B.80C.50D.3015、发

4、光二极管发光时，工作在 ()。A正向导通区B反向截止区C反向击穿区D不确定16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）A. 增大B. 减小C. 不变D. 等于零17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（） 。A. 非饱和区B. 饱和区C. 截止区D. 击穿区18、稳压二极管稳压时，其工作在 ()。A正向导通区B反向截止区C反向击穿区D.饱和区19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻20、测得 BJT各电极对地电压为： V B=4.7V， V C=4.3V ， V E=4V ， 则该 BJT 工作

5、在（）状态。A.截止B.饱和C.放大D. 无法确定21、FET是（）控制器件。A. 电流B. 电压C. 电场D.磁场22、通常要求运算放大器带负载能力强， 在这里，负载的大小是指负载 （）。A.电阻大B. 功率大C. 电压高D. 功率小23、二极管的电流方程是（）。uuA I S euB. I S eVTC. I S (eVT1)D. I S eVT24、FET是（）控制器件。A. 电流B. 电压C. 电场D. 磁场25、三极管工作在饱和状态的条件是（）。A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏26、测得工作在放大状态的BJT 三

6、个管脚 1、2、3 对地电位分别为0V， -0.2V ，-3V，则 1、 2、 3 脚对应的三个极是（）。A. ebcB. ecbC. cbeD.bec27、稳压二极管是利用 PN 结的（）。A. 单向导电性B. 反向击穿性C.电容特性D.正向特性28、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚 1、2、3 对地电位分别为0V， -0.2V，-3V， 则 1、2、3 脚对应的三个极是 （）。A. ebcB. ecbC. cbeD.bec29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A. 反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态30、 当超过下列哪个参数时，

7、三极管一定被击穿（）A集电极最大允许功耗B集电极最大允许电流C集基极反向击穿电压 （）D. （） E31、若用万用表测二极管的正、 反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大32、电路如图1 所示，设二极管D 1， D 2， D 3 的正向压降忽略不计，则输出电压uO =（）。A .2VB.0VC.6VD. 12V12VD1R0V6V+ uO-D2D32V图 133、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A. 反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正

8、向偏置未导通状态34、结型场效应管利用栅源极间所加的( )来改变导电沟道的电阻。A. 反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流35、场效应管是属于（）控制型器件。A.电压B.电流C.电感D.电容36、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态37、测量某硅 BJT 各电极的对地电压值为 U C 6V ， U B2V ，UE 1.3V，该管子工作在（）A.放大区B.截止区C.饱和区D.无法判断38、如图 1 所示复合管，已知 V 1 的 1 = 30，V 2 的2 = 50，则复合后的 约为（）。V 1V

9、2A 1500B.80C.50D.30图 139、共模抑制比 KCMR 越大，表明电路（）。A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.抑制温漂能力越强D.输入信号的差模成分越大二、填空题：40、根据是否掺入杂质， 半导体可分为半导体和半导体两大类。41、N 沟道场效应管中的载流子是，P 沟道场效应管中的载流子是42、图 1 所示处于反向截止状态的PN 结，则 a、b 两区分别是 PN 结的区、区。43、PN 结是靠多数载流子的运动和少数载流子的运动形成的。44、 PN结中内电场阻止的扩散，推动的漂移运动。45、二极管的特性是，场效应管是控制型器件。46、集成运放是多级耦合放大器。47、 BJT

10、工作在放大区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。48、集成运放内部是一个具有高放大倍数的耦合的放大电路， 故它的主要缺点是，为了克服这一缺点，输入级一般采用电路提高放大倍数，中间级一般采用负载，放大管多用；为了提高功率，输出级常采用 互补对称 电路。49、BJT 是控制器件， FET 是控制器件。50、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量， 若两次读数都为， 则此二极管 _；若两次读数都接近零， 则此二极管 _；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管 _。51、设如图 3 电路中 , D 1 为硅二极管 , D2 为锗二极管 ,则 D1处于状态, D2处于状态, 输出电压 U o 为伏。

11、52、 BJT工作在截止区时，其发射结处于偏图 3置，集电结处于偏置。53、结型场效应管输入回路 PN 结处于状态，因此它的输入电阻比双极型三极管的输入电阻。54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即：、；要使三极管工作在放大区必须给发射结加，集电结加。55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位 U1,U2,U3 分别为，U 16V,U211.3V ,U 312V，则此管是型三极管 ， 材料为。56、理想运放有“虚短”即指和“虚断”即指两个重要特性，“虚地”是的特殊情况。57、二极管最主要的特性是。58、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数、。59、在室温下，某三极管的I CBO=8

12、A， =70， 穿透电流为mA 。 另一只三极管的电流值 ：I B = 20 A 时 I C = 1.18m A、I B = 80 A 时 I C = 4.78m A ，该管的=。60、整流二极管的整流作用是利用PN 结的特性，稳压管的稳压作用是利用PN 结的特性。三、判断题：61、 运放的输入失调电压UIO 是两输入端电位之差。（）62、因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）63、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（）64、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。（）65、本征半导体不带电， P 型半导体带正电， N 型半导体带负电。（

13、）66、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）67、P 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）68、BJT的值越大，放大能力越强， 但在选用 BJT时，并不是值越大越好。（ ）69、发射结处于反偏的 BJT，它一定工作在截止区。（）70、BJT是由两个 PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当用。（）BJT使71、BJT的输入电阻 r be是对交流而言的一个动态电阻，在小信号情况下为常数。（ ）72、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（）73、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）74、处于放大状态的晶体

14、管其基极电流同场效应管的栅极电流差不多。（）75、三极管是双极型管，属于电流控制器件；场效应管是单极性管，属于电压控制器件。（）76、在运放电路中，闭环增益àf 是指广义的放大倍数。（）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）80、小功率晶体二极管 2CP12 的正向电流在 20mA 的基础上增加 1 倍，它的两端压降也增加 1 倍。（ ）81、双极型晶体管和场效应管都是电流控制型器件。（）82、处于线性工作状态的实际集成运放， 在实现信号运算时， 两个输入端对地的直流电阻必须相等，才能防止输入偏置电流带来误差。 （ ）四、分析作图题：83、画出图中各电路的u0 波形。设 ui=10sin t(V), 且二极管具有理想特性。10K uiDRuo1uiDuo210KR10K 84、电路如图（ a）、（b）所示，稳压管的稳定电压 UZ3V，R 的取值合适， uI 的波形如图（ c）所示。试分别画出 uO1和 uO2的波形。分析