模拟电路1笔试题

1、 试卷五一 填空题（每题2分，共20分）二极管的伏安关系可近似表述为公式： 当工作频率过高时，二极管会失去单向导电特性，其原因是： 在常温下，杂质半导体的参数载流子主要由 产生，少数载流子由 产生。利用二极管的 特性可以制成稳压管。利用二极管在 偏置时的 电容效应可制成变容二极管。耗尽型场效应管在恒流区的平方律关系式为： 当该类型FET的沟道预夹断时，与满足方才： 。当偏置于放大区的晶体管的集电结反偏电压的值增加时，基区有效宽度的变化是 ，共射直流电流放大系数的变化是 。图1所示放大器的静态=，=。当输入信号增大时，首先出现的削波失真应为 失真，若改变来消除这种失真，应使其 。 图1当频率增加

2、到使晶体管的高频=1，频率称为晶体管的 频率。若某管=800MHZ，低频=50，则频率=50MHz时，= 。图2所示，由两支配对硅管（=0.7V）组成的电路称为 。按图中给出的数据I0= 。 图2 图3图3为一反馈放大器数学模型，该模型的中频区闭环电压增益为 分贝，闭环电压增益的高频截止频率= MHZ。某运放开环电压增益的幅频率特性为图4所示，若用该运放构成负反馈反相放大器，并且有450的相位裕量，该放大器的电压增益应为 倍。12010080604020-20 图4二 单选题（每题2分，共20分）在正偏PN结阻挡层两侧的P区和N区中，自由电子浓度n和空穴浓度p应满足关系式（ ）。下面各式中的n

3、i的本征浓度。Anp=ni2 B.npni2 C.np ni2 D.n=p若图1电路出现了故障，测得各管脚电压为=3.5V，=4V，=3.3V，由此可以推断，故障的原因应该是（ ）。AR1开路 B.R2开路 C.RC短路 D.RL短路某放大器信号源内阻较大，希望加入负反馈的输出电流随负载变化明显减小，则应采用（ ）负反馈。A电压取样电流求和（并并） B电压取样电压求和（串并）C电流取样电流求和（并串） D电流取样电压求和（串串）若差动放大器一个输入端的输入电压Vi1=2mv,且共模输入电压与差模输入电压相等，则另一个端的输入电压Vi2=( )A 、6mV B 、-6mV C 、3mV D 、0

4、mV5.若对下面四种无负反馈的基本放大器输入相同振幅的小信号则（ ）的非线性失真最小。A、共射放大器 B、 晶体管差动放大器 （CE差模组态） C、共源放大器 D、场效应管差动放大器 （CS差模组态）6、图5是某放大器低频段的交流通路。当开关K置于（）位置时，Ar(jw)= 的低频截止频率fL最低 图5、在图放大器中，假设R1 R2 RE RC hie其值的数量级相同，1，C1=C2=CE,则该放大器电压增益函数的低频截止频率（ ）。A. B. C. D.8.若OTL功放是功率管的极限参数PCM=1W，BVCEO=20V，ICM=2A，则该功放电源电压VCC及最大功率输出POMAX应满足（ ）

5、。A. VCC<20V , POMAX<5W B. VCC<20V, POMAX<10WC. VCC<10V, POMAX<5W D. VCC<10V, POMAX<10W9.若某反馈放大器的环路传输f(j)的波特图为图6的所示，则该放大器（ ）。A 将产生高频自激B 将产生低频自激C 高低频自激均会产生D 不会产生自激 图610图7是运放作微分器的实用电路，该电路对输入电压的频率的要求是（ ）。 图7A. 1/2R1C B. 1/2R f C C. 1/2R1C D. 1/2R f C 三 在图8所示的二极管电路中，已知二极管的伏安特性曲线如图

6、9所示。 图8 图91 用图解法求二极管的电流ID和电压VD（2分）2 估算二极管此时的交流电阻（T=300K）（3分）四 某放大器在负载开路时的电压增益AVO=40dB，输入电阻Ri=1K输出电阻RO=10，负载电阻RL=10。若输入信号源内阻RS=1K，源电压有效值VS=2mV，求负载RL得到的信号功率PO。（10分）五 在图10所示的共射放大器中，C1C3，Ca均对信号短路，晶体管=50，rx0,不计基或宽调效应，T=300K。 图101 电容C2有何作用？（2分）2 估算工作点IC，VCE的值（4分）3 求中频段源电压增益AVS=VO/VS的值（4分）六 在图11所示的由理想运放组成的

7、电路中，R=10K，R2=20K，R3=5K，R4=20K，C=1，t=0时刻接入V1=1V，V2=1.1V，求VO=10V时所需的时间。（10分） 图11七 图12所示的FET放大器中,两管F1F2的小信号参数相同,跨导为g(即gfs),漏源内阻为r(即rds),C1C3为耦合傍路电容。1. F1在电路中起什么作用? (2分)2. 画出放大器中频段不信号模型。(4分)3. 求VO/Vi。(4分) 图12八 图13为两级差动放大器级联组成的负反馈放大器。ID1，ID2为恒流源，T1T4参数相同1. 判断反馈类型（2分）2. 求深度负反馈条件下的电压增益Avf=Vo/Vs（4分）3. 电路不满足

8、深度负反馈条件时，求输入电阻Rif（晶体管用低频简化模型）（4分）（Rf>>Re,Rf>>Rc） 图13九 图14是由理想运放构成的正弦振荡器（3分）1 试解释振荡原理（3分）2 推导振荡频率和起振条件（7分） 十 图15是一种利用传输线变化器B倒相的RC分相器，即输出与辐度与输入相同，但存在相移。1是对的相移，2是对的相移。1 求12的表达式2 若的频率=30MHZ，试求使与正交，即1-2=90°时的电阻取值（取C1=C2=30）1998年硕士研究生入学测试模拟电路试题参考平分标准一、 填空题：每题2分共10题总分20分1 I=IS(eV/vT-1),二极管有接点电容2 杂质电离，本征激发3 反向击穿，反向，势垒4 Id=Idss(1-UGS/VP)2,UDS=UGS-Vp5 变窄，增大6 饱和，减小7 特征，168 比例镜像恒流源，4.159 39.2，1.7510 -999 （填-