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文档简介
1、4.1晶体缺陷的类型(a)弗仑克尔缺陷 (b)肖特基缺陷 (c)内部只有填隙原子 (1)点缺陷热缺陷(1)点缺陷杂质原子(a)替位式 (b)间隙式 微量杂质缺陷大大改变了晶体的物理性质。 第1页/共20页4.1晶体缺陷的类型(1)点缺陷色心:能吸收光的点缺陷。一种非化学计量比引起的空位缺陷。离子晶体中负离子空位束缚一个电子的组合。 (a) F心(b) V心捕获一个空穴的阳离子空位。 (a) F心-e(b) V心*+e(1)点缺陷极化子:电子+晶格的极化畸变。 第2页/共20页4.1晶体缺陷的类型(2) 线缺陷周期性遭受破坏的区域形成一条线。(a)刃位错 (I) (II) (b)螺位错 (I)
2、(III) (III) (II) 第3页/共20页位错的伯格斯矢量4.1晶体缺陷的类型体中有位错存在时,滑移面一侧质点相对于另一侧质点的相对位移或畸变。理想晶体刃位错螺位错第4页/共20页(3)面缺陷 小角晶界示意图 4.1晶体缺陷的类型(a)堆垛层错: 如:ABCABCABCBCABC, 中缺少了一层A面。可看作由一排刃形位错构成。 (b)小角晶界:小角晶界的环纹暗场像 晶粒1晶粒2晶界晶界原子排列示意图(4)体缺陷 大尺寸的亚微观甚至宏观缺陷,如包裹体、裂纹、气孔等。第5页/共20页F U TS 由于晶体中原子热振动能量的统计涨落所产生。4.2热缺陷的数目统计晶体中的缺陷与运动热缺陷: 热
3、力学系统的自由能为: U为晶体的内能,S代表熵 当系统达到平衡时,其自由能为最小。 ()0TFnA肖脱基缺陷数目统计 设晶体有 N 个原子,平衡时晶体中存在n1 个空位,令 u1 是将晶格内部一个格点上的原子跳到晶体表面上去所需要的能量。 自由能改变量:11 11FnuTS第6页/共20页4.2热缺陷的统计理论A肖脱基缺陷数目统计 熵BSk lnWW 是微观状态数。 由热力学理论可知,熵增加: 1111N !()! !nNWCNnn晶格中 N 个原子形成 n 个空位的方式数,即此时的微观状态数为 W 10WW W11001ln()lnlnBBBSkW WkWkW自由能改变量:11 111!ln
4、()()!BNFnuk TNnn基于2点假设:空位出现不影响原来振动状态;空位数目不多。第7页/共20页4.2热缺陷的统计理论A肖脱基缺陷数目统计 11()0TdFdn平衡时,当x x是大数时,利用斯特令公式: xdxxd ln ! ln TkuBNen1111111 ln()!ln!BdFu dnk T dNndn11111 ln()lnBu dnk TNnn dn111 ln()lnBuk TNnn11()0TdFdn111Buk TneNn可得:假设Nn,同样计算,得填隙原子数:22Buk TnNe第8页/共20页4.2热缺陷的统计理论B弗仑克尔缺陷统计 设晶体由 N 个原子所构成,晶体
5、有 N 个间隙位置,夫仑克尔缺陷对的数目为 n ,每形成一对间隙原子和空位所需要的能量为 u 。 取出 n 个原子形成 n 个空位的可能方式数为: 1N !()! !nNWCNn n这 n 个原子排列在 N间隙位置形成间隙原子方式数为: 2!()! !NWNn n晶格的微观状态数为: 210WW W W ln()ln()2ln BdFudnk TNnNnn dn2()()Buk TneNn Nn可得 2Buk TnN N e第9页/共20页晶体中的缺陷与运动4.3 缺陷的扩散(1)(1)扩散方程tCD, rjD一般是浓度C(r) 的函数,扩散的连续性方程为: ,CtD Ctt rj r2,Ct
6、DCtt rr扩散流密度j为:菲克第一定律dxJ1J2单元体积中溶质积累速率为12CdxJJt当D与浓度无关时,扩散的连续性方程为:菲克第二定律第10页/共20页4.3 缺陷的扩散对一维样品的扩散: 22,C x tC x tDtx(a)定量扩散:一定量C的杂质原子由晶体表面向晶体内部扩散,开始时t = 0, C0 = C; 当t 0时有: CdxxC0DtxDtCtxC4exp,2(b)(b)定浓度扩散:扩散原子在晶体表面的浓度C0保持不变。 在x = 0处,t0,C(0,t) = C0;在x 0处,当 t = 0时, C(x,0) = 0。 2202000 2, exp 1 exp4xDt
7、xxCC x tdxCdDtDt第11页/共20页4.3 缺陷的扩散(2)(2)扩散的微观结构扩散的微观基础是原子的无规则的布朗运动。 依据宏观运动方程的解(高斯分布): 221( , )2xx n x t dxDtn粒子的扩散三种方式:以间隙原子的形式进行扩散;借助于空位进行扩散;两种方式都同时发生。以间隙原子的形式扩散为例10 expBpvk T单位时间越过势垒的次数第12页/共20页4.3 缺陷的扩散一个填隙原子在时间t t内沿x x方向向左向右跳的总次数为 12NptN N次跳跃共有 不同的方式 。2 2 2 22N 若m次向右,N-m次向左。 沿x x方向移动距离: ()(2)xmd
8、Nm dmN dt t时间,间隙原子沿x x方向方均位移: 22221(2)2mNNmxCmNdNd第13页/共20页4.3 缺陷的扩散22xNd其中d d为相邻间隔的距离。 22221022 expBxNdp d tv d tk T 扩散系数直接反映了原子布朗运动的强弱。比较两种方法求出的布朗运动位移平方的平均值可得:TkDTkdvDBBexp exp 02022xDt第14页/共20页4.4 4.4 杂质原子的扩散 一般认为最常见的是空位式扩散。在格点上的扩散原子虽然不断地向周围冲击,但是只有当一个空位出现在它周围时,它才有可能跃进这个空位。在自扩散情况下的跳跃率为:TkuvTkvNnvB
9、B1001exp exp TkuDTkudvDBB10120exp exp 这种情况下,扩散激活能除了空位跳跃势垒的能量外,还有形成空位的能量u1 。因此扩散系数为:晶体中的缺陷与运动第15页/共20页4.5 热缺陷的迁移 离子晶体中点缺陷带有一定的电荷。没有外电场时,无规布朗运动的缺陷不产生宏观电流。当外电场存在时,由于库仑力的影响,带电缺陷产生一定的沿外电场方向的定向运动,从而引起宏观电流。 无外电场时的势能曲线 有外电场时的势能曲线 晶体中的缺陷与运动2/Eqd2/Eqd 造成填隙原子向左右两边跳跃的势垒不同,沿外电场方向势垒减小为逆外电场方向的势垒增加为第16页/共20页因此沿外电场方
10、向速度:02 exp sinh2dBBEqdvv dk Tk T 这种在外场的影响下,在原来无规运动基础上引起的定向的平均运这种在外场的影响下,在原来无规运动基础上引起的定向的平均运动通常称为动通常称为“漂移漂移”。4.5 热缺陷的迁移每秒净余向右的步数:001 21 2exp()exp()BBEqdEqdk Tk T0exp()2sinh()2BBEqdk Tk T第17页/共20页对于一般的电场强度,Eqd kBT,上式简化为: EETkqDETkdvTkqBBBdexp 20TkdvTkqBBexp 20为离子的迁移率。DTkqB通常称为爱因斯坦关系。4.5 热缺陷的迁移Eqnjd0TkdvTkqnBBexp 2020n n0
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