线性电子电路试题要点

1、浙江省 2003 年 4 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题（ 每空1 分，共 20 分）1. 利用晶体二极管的 和特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。2. 半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成 电流，由外加电场引起载流子运动形成电流。3. 已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由 材料制造。4. 晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是电容，集电结的结电容主要是电容。5. 通常将反型层称为增强型MOSt的源区和漏区之间的 沟道，其中由 形成的沟道称为N沟道。6. 场效应管工作在非饱和区时，其ID和VD眨间呈

2、 关系，故又称该区为 。7. 在晶体管放大器中， 即能放大电压也能放大电流的是 组态放大电路； 可以放大电压但不能放大电流的是 组态放大电路。8. 放大电路的失真分为 和 两大类。9. 放大电路中，引入直流负反馈的作用是，引入交流负反馈的目的是改善放大器的10. 深度负反馈条件是，此时反馈放大器的增益近似等于。二、 单项选择题 （ 在每小题的四个备选答案中， 选出一个正确答案， 并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 2 分，共 20 分 ）1 .当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。A. 大于B. 小于C. 等于D.近似等于2 .当p型半导体和n型半导体相接触时，在 P型和N型半

3、导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域 ?()A. 阻挡层B. 耗尽层C. 空间电荷区D.突变层3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数0及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合适 ?()A. 0 =200,ICEO=10g AB. 0 =10,ICEO=0.1 g AC. 0 =50,ICEO=0.1 g AD. 0 =100,ICEO=10 g A4. 常温下，某晶体三极管在 ICQ=1mAb, rbe=1.6KQ, 0 =50，则 等于()。A.200 QB.300 QC.400 QD.500 Q5. 某场效应管的IDSS为6mA而IDQ自漏极流出，大小为 8mA则

4、该管是()。A.P 沟道结型管B.耗尽型PMOSfC.耗尽型NMOSTD.增强型PMOSf6. 场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的 () 。A. 非饱和区C. 截止区D.击穿区7. 具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降 () 。A.3dBB.6dBC.20dBD.9dB8. 集成运算放大器实质上是一种 () 。A. 交流放大器B. 高电压增益的交流放大器C. 高电压增益的直接耦合放大器D.高增益的高频放大器9. 多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是() 。A. 各级电路的参数很分散B. 回路增益 |

5、| 大C. 闭环增益大D.放大器的级数少10. 负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?()A. 减少放大器增益B. 改变输入电阻C. 改变输出电阻D.改善噪声系数三、简答题(每小题5 分，共 15 分 )1. 设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求VAO 的值。2. 设图三所示电路中三极管为硅管，B =50,试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?3. 在图三 (3)所示电路中，已知 MOS 管的,VGs(th)=1.0V,试求I DQ,VGSQ,VDSQ 的值。(每小9 分，共45 分 )2.差动放大电路如图四(2)所示，已知管的gm=2ms,rds 忽略不

6、计，所有电容对交流呈短路。求：(1)电压放大倍数Av ；(2)输入电阻Ri 和输出电阻Ro ；(3)只考虑 CD 的影响，求低端转折频率fL 的值。lEE=1mA,所有管子特性相同，P =100,=0,|Va|=100V,求：(1)差模输入电阻Rid 和差模输出电阻Rod；(2)差模电压放大倍数 A ud= u o/( u i1- u i2)；(3)由 T3 管构成的恒流源的等效内阻ro3.3 .电路如图四(3)所示。(1)采用u 01输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路(2)采用U 02输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路(3)假设为深度负反馈，试求第2种情况下的电压增益

7、A产U 02/ U4 .运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求U03和U o及U02和U 03的关系；(2)写出U0和US之间的关系式。5 电路如图四 (5)所示，所有运放均为理想且最大输出电压为± 12V ，设U i1= u i2=0V 时，u 0=+12V当uii=-10V, ui2=0V时，经过多少时间，uo由+ 12V跳变为-12V?uo变成-12V后，u i2由0V变为+15V,求再经过多少时间，uo由-12V跳变为+12V?(3)说明A1、A2各为什么单元电路浙江省 2003 年 7 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题( 每小题2 分

8、，共 20 分 )1. 杂质半导体中的多数载流子是由 产生的，少数载流子是由 产生的。2. 一般而言，击穿电压在6V 以下的属于击穿， 6V 以上的主要是击穿。3. 三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=IB ， IE=IC.4. 根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和区。5. 已知场效应管 VGS(th)=4V ,当VGS=6V寸，ID=1mA试写出饱和区转移特性的表达式ID=,当VGS=3V时， ID= 。6. 在JFET中，沟道的导电能力受VG讨口 VDS的控制与MOST类似，不同的是这不H空制是通过改变PN结中的 来实现的。7. 放大器中

9、的线性失真可分为 失真和 失真两类。8. 直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为 。采用电容耦合方式是否存在这种现象?。9. 若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用 负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入 负反馈。10. 若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数二、 单项选择题 ( 在每小题的四个备选答案中， ，这样的反馈称为选出一个正确答案， 并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 2 分，共 20 分 )1 .当PN结反向工作时，其结电容主要是()A. 势垒电容B. 扩散电容C. 平板电容D. 势垒和扩散电容并存2 . 温度升高时，晶体二极管的 VD(on) 将

10、()A. 增大B. 减小C. 不变D. 近似不变3 .晶体管的混合无型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用？()A. 小信号，管子处在饱和区B. 大信号，管子处在放大区C. 小信号，管子处在放大区D. 大信号，管子处在饱和区4 .某晶体三极管的 旧从20 MA变化到40 MA时，对应的iC从2m岐化到5mA则该管的B等于()A.100B.150C.200D.3005 .P沟道增强型MOSW工作在饱和区的条件是()A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)B.VGS>V GS(th),VDS<VGS-VGS(th)C.VGS<VGS(th),VDS&

11、gt;VGS-VGS(th)D.VGS<VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)6 .当场效应管工作在（）区且限制VDS为小值时，可彳为阻值受VGS空制的线性电阻器。A. 饱和B. 截止C. 非饱和D. 击穿7 . 在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的 （） 。A. 和值B. 差值C. 迭加D. 平均值8 . 多级放大电路放大倍数的波特图是（） 。A. 各级波特图的叠加B. 各级波特图的乘积C. 各级波特图中通频带最窄者D. 各级波特图中通频带最宽者9 .已知某一放大器的 A=100,现要求引入反馈以后增益Af=10,问反馈系数kf应为多少？（）A.0.01B.0

12、.05C.0.09D.0.10三、简答题（每小题5 分，共 15 分 ）1 .如图三（1）所示电路中的二极管为理想，试画出电路的传输特性曲线（V0Vi的关 系曲线 ） ，并写出分析过程。=50，试通过估算判断它的静态工作2 .设图三(2)所示电路中的三极管为硅管，点位于哪个区 ?3 .图三(3)所示电路中，设两管特性相同，Ti管的(W/L)是T2管的5倍，=1000cm2/V - S, Cox=3Xl0-8F/cm2, (W/L) i=10,VGS(th)=2V,求 Id2 的值。(每小题 9 分，共 45 分 )1 .放大电路如图四(1)所示，已知晶体管的B =50, 丫 b» =

13、0Q ,电容对交流短路,Y b' e=5.2kQ , Y ce忽略不计。试求：(1)放大电路的输入电阻Ri 和输出电阻R0 ；2 2) 电压增益Av 和源电压增益Avs.2 .图四 (2)是高输入阻抗型场效应管差分放大电路，用作高阻型集成运放的输入级。已知 gm=2ms, RL=10kQ,求：(1)差模电压增益Avd； (2)共模电压增益Avc,共模寸制比Kcmr.3 .反馈放大电路的交流通路如图四(3)所示，试：(1) 判别级间反馈的类型；(2) 设满足深度负反馈条件，计算源电压增益Avfs=v0/vs.4.理想运放电路如图四(4)所示，求v01 、 v02、 v03 的值。5.迟滞

14、电压比较器电路如图四(5)所示，已知稳压管的VZ=6.3V ， VD(on)=0.7V ，运放的最大输出电压为± 10V ， V REF=3V ，试：通过分析，画出比较特性(V0Vi)曲线。浙江省 2004 年 4 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题（ 每小题2 分，共 20 分 ）1 . 半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成电流，由外电场引起载流子运动，形成电流。2 .PN 结具有电容特性，正偏时以 电容为主，反偏时以 电容为主。3 .晶体三极管的ICBO是指 极开路的情况下， 的电流。4 .已知某三极管 VBE=0.7V, VCE=0.3V,

15、则该管工作在 区，是由 材料制造的。5 .MOS管作为开关应用时，其工作状态应在 和 之间转换。6 .就VGSB言，增强型 MOSW是 极性的，而耗尽型 MOST是 极性的。7 . 多级直接耦合放大电路的两个主要问题是和 。8 . 放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为 失真，这时输出信号中将产生频率成份。9 . 反馈量来自放大电路的输出电压，而又以电流信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是 。这种反馈可以使放大电路的输入电阻。10 . 设计一个负反馈放大电路， 若要稳定输出电压， 应引入 负反馈， 若要稳定输出电流应引入 负反馈。二、 单项选择题 （ 在

16、每小题的四个备选答案中， 选出一个正确答案， 并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 2 分，共 20 分 ）1.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V,主要发生何种击穿现象 ？（）A. 雪崩击穿B. 齐纳击穿C. 热击穿D.碰撞击穿2.一个硅二极管在正向电压VD=0.6V时，正向电流ID为10mA若VD增大到0.66V（即增加10%）,则电流ID（） 。A.约为11mA（也增加10%）B.约为20mA（增大1彳§）C.约为100mA（增大到原先的10倍）D.仍为10mA（基本不变）3. 如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则 （） 。A. 管子深饱和B. 发射结反偏C

17、.管子截止D.集电结烧坏4.测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V,则可判断该管的材料和类型是（）。A. 硅、NPNB. 硅、PNPC.楮、NPND.楮、PNP5. 场效应管是一种 (A. 电压控制器件B. 电流控制器件C. 双极型器件D.少子工作的器件6.若场效应管的偏置电压VGSQ=1V则该管不可能是一个()。A.P 沟道结型管B.N 沟道结型管C.P沟道耗尽型MOSWD.N沟道增强型MOSf7. 需设计一只单级晶体管放大器，要求输入电阻很大，输出电阻小，请选择()A. 共射放大B. 共基放大C.共集放大D.共源放大8. 电容耦合放大电路() 。A. 只能放大直

18、流信号B. 只能放大缓变信号C.只能放大交变信号D.既能放大直流信号又能放大交流信号9. 要得到一个由电流控制的电压源，应选 () 负反馈形式。A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联10. 深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数，与基本放大器的放大倍数无关，但基本放大器(A. 可以去掉B. 不能去掉C. 不一定D.并不重要三、简答题（每小题5 分，共15 分 ）1 .已知晶体三极管的静态工作电流IcQ=1mA, | Va I =100V, B =100,=100Q ,试画出低频小信号混合 冗型等效电路，并求出gm, Be、rce的值。2 .电路如图三（2）所示，设 MOS

19、管的 Cox（w/1）=40nA/V2, VGS（th）=-1V,试求V0和Id的值。3.一电流源电路如图三（3）所示，设Ti, T2管参数相同，B=100, Vbe=-0.6V。若 要使Ic2=1mA, Vc2<12V,且Ri=R2,试确定电阻Ri、R2的最大允许值。四、分析计算题（每小题9 分，共 45 分 ）1 .放大电路如图四（1）所示，已知三极管的B =80,rbe=2.2k 0求（1）放大器的输入电阻Ri；（2）从射极输出时的Au2 和 R02；(3)从集电极输出时的A u1 和 R01。2 .放大电路如图四 所示，设各管的B=100, Vbe=0.7V,=200Qo试(1)

20、求T2管的静态工作点(ICQ2、VCQ2)；(2)估算放大器的电压增益Av ；(3) 求放大器输出电阻R0。3 .放大电路如图四(3) 所示，所有电容对交流视作短路，(1) 判断级间反馈的类型和极性。(2)计算在深负反馈条件下，源电压增益Avfs=v0/vS 的表达式。(3)若要求电路参数变化时，电压放大倍数基本不变，如何改接反馈电阻Rf?并予以说明。4 .理想运放组成的电路如图四(4)所示，试求输出电压V0与输入电压vi的关系式, 并说明 A1、 A2 实现的功能。5 .迟滞比较器电路如图四(5) 所示，二极管为理想器件，(1) 画出比较特性；(2)设 vi=6sin t(V) ，画出输出波

21、形。(画二个周期)浙江省 2004 年 7 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题( 每小题1 分，共 10 分 )1. 半导体是依靠和空穴两种载流子导电的。2. PN 结中的反向击穿现象按物理机制可分为 和齐纳击穿两大类。3. 当晶体三极管工作在发射结加、 集电结加反偏的模式时， 它呈现的主要特性是正向受控作用。4. 若测得晶体管的三个电极电位分别是-5V ， -4.7V ， -2V ，则该管类型是 。5. 场效应管的饱和区又称放大区，它是沟道 后所对应的工作区。6. MOS管分为 种类型。7. 三种基本组态晶体管放大电路中，共集组态具有输入电阻高、输出电阻的特点。

22、8. 在直接耦合多级放大器中存在着需要解决的两个问题： 一是级间电平的配合； 二是克服 的有害影响。9. 放大电路中，要稳定输出电压，应引入 负反馈。10. 反馈放大器是一个由基本放大器和 构成的闭合环路。二、 单项选择题 ( 在每小题的四个备选答案中， 选出一个正确答案， 并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 2 分，共 30 分 )1. 杂质半导体中多数载流子浓度 () 。A. 与掺杂浓度和温度无关B. 只与掺杂浓度有关C. 只与温度有关D. 与掺杂浓度和温度都有关2 .半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时，其参数IS和VD(on)都将发生变化，试选择正确答案。() 。A.IS

23、 上升， VD(on) 下降B.IS 上升， VD(on) 上升C.IS 下降， VD(on) 下降D.IS 下降， VD(on) 上升3 . 随着温度的升高，晶体三极管的 () 将变小。A. 0B. VBE(on)C. ICBOD. ICEO?(4. 晶体管的输出特性曲线分为四个区，请选择哪个区具有基区宽度调制效应A. 饱和区B. 放大区C. 截止区D. 击穿区5. N沟道耗尽型MO潸工作在非饱和区的条件是()。A. VGS>VGS(th), VDS>VGS-VGS(th)B. VGS>VGS(th), VDS<VGS-VGS(th)C. VGS<VGS(th)

24、, VDS>VGS-VGS(th)D. VGS<VGS(th), VDS<VGS-VGS(th)6. 以下场效应管中哪个的衬底必须接在电路中的最高电位上 ?()A. P 沟道 JFET 管B. N 沟道 DMOS1C. N沟道EMO潸D. P沟道EMO潸7. 设计一只单级放大器，要求输入阻抗小，输出阻抗大，请选择 ()A. 共射放大8. 共基放大C.共集放大D. 共源放大8. 差分放大器中，用恒流源替代射极电阻Re是为了()。A. 提高AvdB. 提高AvcC. 提高KCMRD. 提高Rod9. 交流负反馈是指() 。A. 只存在于电容耦合电路中的负反馈B. 交流通路中的负反

25、馈C. 放大正弦波信号时才有的负反馈D. 变压器耦合电路中的负反馈10. 负反馈放大电路中，若满足深度负反馈条件，则反馈信号和输入信号之间应满足 ()A. f> iB. G iC. f< iD. f=1/ i11. 纯净半导体中加入 +3 价元素后，将形成() 。A. 电子型半导体B. 空穴型半导体C. 杂质半导体D. 本征半导体12. PNP 型晶体三极管工作在截止区的条件是() 。A. VBE>0,VCB>0B. VBE>0,VCB<0C. VBE<0,VCB>0D. VBE<0,VCB<013.若已知 MO狼效应晶体管的 IDS

26、S=10mA,VGS(th)=-4V , VGSQ=-2V 则 IDQ 为()。A. 1.5mAB. 2.0mAC. 2.5mAD. 3.0mA14. 理想差分放大器由单端输出改为双端输出时，其共模抑制比应为 () 。A. 无穷大B. 为单端输出时的一半C. 为单端输出的2 倍D. 零15. 对于电压并联负反馈而言，下列哪个回答是正确的 ?()A. 输入电阻变大，输出电阻变大B. 输入电阻变大，输出电阻变小C. 输入电阻变小，输出电阻变大D. 输入电阻变小，输出电阻变小三、简答题(每小题5 分，共 15 分 )1判断图三(1)电路中各二极管是否导通，并求VAO 的值。设二极管正向导通压降为 0

27、.7V。2 .图三 (2)所示为两级放大电路，若忽略管子的基极电流，B >>1,|VBE(on)|=0.7V,求Ic1,Vc1和Ic2的值。3 .图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型？并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值？(图中iD的假定正向为流进漏极)四、分析计算题 (每小题 9 分，共 45 分 )1 .放大电路如图四 所示，已知IcQ=1mA, P =100,rbb =0,|Va|=oo,电容对交流短路，试求：(1)输入电阻 Ri 和输出电阻Ro；(2)电压增益 Av 和源电压增益AvsI=2mA2 .差分放大电路如图四 所示，已知

28、Ti,T2参数对称，B =100,m=0Q ,求：(1)T1 的静态工作点 (ICQ1、 V CQ1) ；(2)差模电压增益Avd 的值；(3)共模抑制比KCMR 的值。3 .反馈放大电路的交流通路如图四 (3)所示，试：(1)判别级间反馈的类型；(2)设电路满足深度负反馈条件，计算电压增益Avf =vo/vi4 .电路如图四(4)所示，运放A是理想的，已知R2=5kQ, R3=1kQ , Ci=47iF,Ri=0.83kQ(1)若输入为中频正弦交流信号，求中频增益A vi=v o/vi 的值；(2)电路的下限截止频率fL=?vo5 .电路如图四(5)所示，图中二极管和运放均为理想，试通过分析

29、，绘出的关系曲线，要求写出分析过程。浙江省 2005 年 4 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题（ 每小题2 分，共 20 分 ）1. P 型半导体中多数载流子为 ，少数载流子为 。2. PN 结的反向击穿有和两种击穿。3. 三极管工作在饱和状态时，其发射结 ，集电结 。4. 当某三极管VBE=0.7V， VCE=0.3V， 则该管工作在 区， 集电极电流和基极电流关系是 。5. 场效应管的导电过程仅仅取决于 载流子的运动；因而它又称做 器件。6. 在场效应管放大电路中，就VGS而言，型MOSt是单极，卜iE的，而 型MOSt可以是双极性的。7. 放大器的失真分为

30、 失真和 失真两大类。8. 在相同条件下， 阻容耦合放大电路的零点漂移， 而直接耦合放大电路的零点漂移 。9. 共发射极放大电路输出电压 Uo与输入电压Ui的相位关系是 ，共基极放大电路输出电压 Uo与 输入电压 Ui 的相位关系是 。10. 设计一个负反馈放大电路，要使输入电阻增大应引入型负反馈，若要稳定输出电压应引入型负反馈。二、 单项选择题 ( 在每小题的四个备选答案中， 选出一个正确答案， 并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 2 分，共 20 分 )1. 杂质半导体中少数载流子浓度() 。A. 只与温度有关B. 取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C. 与温度无关D.与掺杂浓度和温度

31、都无关2. 判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量() 。A.IBB.VCEC.VBED.IC3. 若三极管的发射极电流为 1mA基极电流为20 “A,则集电极电流为()mA。A.0.98B.1.02C.1.2D.0.84. 场效应管是() 器件。A. 电流控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电流D. 电压控制电压5. 在差动式放大电路中，共模输入信号等于两个输入端信号的 () 。A. 和值B. 差值C. 平均值D.乘积值6.由PNPf组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC,-VCC；电源电压，则可判断该三极管处于()。A. 放大状态B. 饱和状态C.截止状态D.击穿状态7.

32、希望放大器具有大的输入电阻和稳定的输出电流，应引入 () 负反馈。A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联8. 共集电极电路信号从() 。1. 基极输入，集电极输出8. 发射极输入，集电极输出C.基极输入，发射极输出D.发射极输入，基极输出9. 集成运算放大电路的输入级通常采用 () 电路。A. 共集电极放大B. 共发射极放大C.差动放大D.共基极放大三、简答题(每小题5 分，共 15 分 )1 .试分析图三(1)所示各电路是否能够放大正弦交流信号， 简述理由。 设图中所有电容对交流信号均可视为短路。2 .电路如图三(2)所示，已知MOS管的nCox( )=250 NA/V2,

33、VGs(th)=2.0V,试求ID,VGS,VDS 的值。3 .图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的VGS(th)或VGS(of)等于何值？(图中iD的假定正向为流进漏极)（每小题9 分，共 45 分 ）1 .电路如图四（1）所示，晶体管的B =80, rbe=1kQ。1求出Q 点；（2）分别求出Rl = 0°和RL=3kQ时电路的 和Ri；3求出Ro 。2 .放大电路如图四 所示，Ti管和T2管的B均为40, rbe均为3kQ。试问：若输 入直流信号uii=20mv, ui2=10mv,则电路的共模输入电压uic=?差模输入电压 UId=?

34、输出动态电压 Uo=?3 .放大电路如图四（3） 。要求：（ 1）指出级间反馈支路，判断其反馈类型；（ 2）按深度负反馈估算其闭环放大倍数；3）说明输入电阻和输出电阻的变化趋势。4 .电路如图四(4)所示，设图示电路中的运算放大器为理想的，电阻阻值在图中已标出。试写出Uo/Ui=?浙江省 2006 年 4 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码： 02340一、填空题 ( 本大题共 10 小题，每空1 分，共 20 分 ) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1. N 型半导体中多数载流子为 ，少数载流子为。2. PN 结反偏，内电场增强，空间电荷区变宽， 运动减弱， 运动加

35、强，PN结截止，电阻大。3. 为保证三极管工作在放大状态UG UR UE之间的关系是：对 NPN©: ;对PNP型：4. 当某三极管 VBE=-0.7V, VCE=-0.3V,则该管工作在 区，是由 材料制造的。5. 场效应管从结构上分成 和 两种类型。6. 沟道结型场效应管的夹断电压VGS（ off ）为正， 沟道结型场效应管的夹断电压 VGS（ off ）为负。7. 多级放大电路连接（耦合）的两个主要方式是连接和 连接。8. 共漏极放大电路具有输入电阻输出电阻 的特点。9. 集成运算放大器的两个输入端是输入端和 输入端。10. 为了减小放大电路的输出电阻，应引入 负反馈，为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈。二、单项选择题 （ 本大题共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1. 稳压管的稳压区是其工作在（ ）A. 正向导通B. 反向截止C.齐纳击穿D.雪崩击穿2 .某晶体三极管的 旧从30 MA变化到50 MA时，对应的iC从2mA变化到6mA则该管的B等于（）A