2.3_IC测试要求和步骤(精)_第1页
2.3_IC测试要求和步骤(精)_第2页
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文档简介

1、ICIC 测试要求和步骤 测试原理: 对于基于 CMOSCMOS 工艺制造的 ICIC 芯片，T3SterT3Ster 系统可以进行瞬态热测试，并进 而得出散热路径上的结构函数。 使用 CMOSCMOS 工艺制造的芯片，在进行瞬态热测试的时候，将 GNDGND 管脚和 Vdd Vdd 管脚找到，并在 GNDGND 管脚接入正电压，VddVdd 管脚接入负电压，电流流过 CMOSCMOS 电 路的体二极管，使芯片发热，并进行测试。 测定畑阻的因喉,正电歴. 端接负电圧 电沆说过益的债二（8 俭器件炭热 图：ICIC 测试原理一一 CMOSCMOS 芯片的体二极管作为测试对象 或者选择 ICIC

2、电路中的 ESDESD 保护二极管作为测试的对象，进行瞬态热测试。F*MO5 测足測阻的时假,GN Dig接正电压r 端接负电压：电流 jnacMos 的体二極 便器件发热。 _ t 一 r = 图：ICIC 测试原理一一芯片的 ESDESD 保护二极管作为测试对象 结构函数反映了从发热源（Die Chip Die Chip ）到环境（热沉， 最后直线向上部分） 的 热流路径上的所有热容与热阻分布。 根据结构函数上斜率 （热容与热阻的比值变 化，可以区分出代表不同材料的线段。 T3SterT3Ster 系统用直观的方式，帮助分析热流路 径上不同材料的热阻与热容。vdd NMOS PMOS 图：

3、ICIC 芯片测试后的结构函数 二、测试的准备和条件： 1 1,对于复杂的 BGA ICBGA IC 来说，首先要按照 Block DiagramBlock Diagram 找到每个 BlockBlock 中存 在体二极管的 GNDGND 管脚和 VddVdd 管脚； 放置在静态空气箱中进行测试; 图：焊在 PWBPWB 板上的 BGA ICBGA IC图：IC BlockIC Block 示意图 2 2,通过一个电路板，将所有 BlockBlock 中的 GNDGND 管脚和 VddVdd 管脚连接起来，并 图：放置在静态空气箱中的 BGA ICBGA IC 和电路板 3 3,如果需要进行符合 JESD51JESD51- -1414 规定的 RthjcRthjc 的测试，请准备两种电路板, 这两种电路板的导热铜层厚度有区别； 图：不同铜层厚度的 FR4FR4 电路板 F _ _ _ 函-BGA -0枣 T3sff

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