智慧树知到《模拟电子技术》章节测试答案

1、智慧树知到模拟电子技术章节测试答案 智慧树知到模拟电子技术章节测试答案第一章1、 电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。A:对B:错答案: 对2、 电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.A:对B:错答案: 错3、 第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。A:对B:错答案: 错4、 电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。A:对B:错答案: 对5、 电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点A:对B:错答案: 对6、 模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度

2、有差别。A:对B:错答案: 错7、 计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号A:对B:错答案: 错8、 数字信号一般指时间和数值上都连续的信号A:对B:错答案: 错9、 含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统A:对B:错答案: 对10、 下列信号不属于模拟信号的是( )A:05V的电压信号B:20Hz20kHz的音频信号C:420mA的电流信号D:灯的亮灭状态答案: 灯的亮灭状态第二章1、 在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地A:对B:错答案: 错2、 凡是运算电路都可利用"虚短'和"虚断'的概念求解运算关系A:对B:错答案: 对3、

3、 集成运放在开环情况下一定工作在非线性区A:对B:错答案: 对4、 理想运算放大器的两个重要结论是A:虚地与反相B:虚短与虚地C:虚短与虚断D:短路和断路答案: 虚短与虚断5、 集成运放的线性和非线性应用电路都存在A:虚短B:虚地C:虚短与虚断D:虚断答案: 虚断6、如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为A:UOMB:-UOMC:无穷大D:0答案:UOM,-UOM7、 反相输入积分电路中的电容接在电路的A:反相输入端B:同相输入端C:反相端与输出端之间D:同相端与输出端之间答案: 反相端与输出端之间8、电路如图所示，若R1=5K,R2=R3=10K，Vi=1V，则VO=A:-1VB

4、:1VC:-2VD:2V答案:2V9、 集成运放能处理A:交流信号B:直流信号C:交流和直流信号D:正弦信号答案: 交流和直流信号10、 理想运算放大器的输出电阻Ro为A:零B:有限值C:无穷大D:不确定答案: 零第三章1、 设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为A:15VB:6.7VC:9.7VD:3V答案:B2、 用万用表的电阻档测量二极管，当 时说明二极管的单向导电性好A:正向电阻小反向电阻大B:正向电阻大反向电阻小C:正向电阻反向电阻都小D:正向电阻反向电阻都大答案:A3、 如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻

5、为0的电池正向连接，则该管A:击穿B:电流为0C:电流过大而使管子烧坏D:正常导通答案:C4、 二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。A:对B:错答案:A5、当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加（反向击穿），所以二极管不能工作在反向击穿区A:对B:错答案:B6、 P型半导体带正电，N型半导体带负电A:对B:错答案:B7、当温度升高时，二极管反向饱和电流将A:增大B:减小C:不变D:先增大再减小答案:A8、 半导体二极管的重要特性之一是A:温度稳定性B:单向导电性C:放大作用D:滤波作用答案:B9、二极管电路如图3.1所示，则二极管导通情况为A:D1导通

6、，D2截止B:D2导通，D1截止C:都导通D:都截止答案:B10、 稳压管的稳压区是其工作在A:正向导通区B:反向截止区C:反向击穿区D:饱和区答案:C第四章1、 场效应管的漏极电流是由的漂移运动形成的。A:少子B:多子C:两种载流子答案:A2、 场效应管是一种控制型的电子器件。A:电流B:光C:电压答案:C3、 场效应管是利用外加电压产生的来控制漏极电流的大小的。A:电流B:电场C:电压答案:C4、 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为3mA时，它的低频跨导将：A:增大B:减小C:不变答案:A5、 当栅源电压VGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管有：A:结型管B:增强型MOS管C:耗尽

7、型MOS管答案:A6、 广义地说，结型场效应管应该：A:属于耗尽型管B:属于增强型管C:不属于耗尽型管D:不属于增强型管答案:A7、图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是：A:P沟道耗尽型MOS管B:N沟道耗尽型MOS管C:P沟道增强型MOS管D:N沟道增强型MOS管答案:A8、某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：A:P沟道增强型MOS管B:P沟道结型场效应管C:N沟道增强型MOS管D:N沟道耗尽型MOS管答案:D9、图示场效应管放大电路的组态是:A:共漏B:共源C:共栅D:差动放大答案:B10、测得某FET管的输出特性如图所示，则判断此管为:A:N沟道结型FET管B:P沟道结型FET

8、管C:N沟道耗尽型MOS管D:P沟道耗尽型MOS管答案:C11、欲得到电流电压转换电路，应在放大电路中引入A:电压串联负反馈B:电压并联负反馈C:电流串联负反馈D:电流并联负反馈答案:B第五章1、 测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U13V，U28V，U33.7V，则三个电极为A:1为发射极，2为基极，3为集电极B:1为发射极，2为集电极，3为基极C:1为集电极，2为基极，3为发射极答案:B2、 当输入电压为正弦信号时，若NPN管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压的波形将A:正半周削波B:负半周削波C:不削波答案:C3、 为了使放大器具有高输入电阻，低输出电阻，应采用A:共射电

9、路B:共集电路C:共基电路答案:B4、两个三极管参数分别为：甲管200，ICBO0.1uA；乙管260，ICEO1uA，选用哪个管子较好？A:甲管B:乙管答案:B5、 测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（ ）状态。A:截止B:饱和C:放大D:已损坏答案:A6、 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是A:发射结正偏，集电结正偏B:发射结正偏，集电结反偏C:发射结反偏，集电结反偏D:发射结反偏，集电结正偏答案:A7、 温度升高，半导体三极管的共射输出特性曲线下移。A:对B:错答案:B8、 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管A:对

10、B:错答案:A9、 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。A:对B:错答案:A10、 静态工作点是过高可能会导致饱和失真A:对B:错答案:A第六章1、 放大电路的增益和通过信号的频率无关A:对B:错答案:B2、放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为上限频率或下限频率时，放大器增益的幅值将：A:降为1B:降为中频时的1/2倍C:降为中频时的0.707倍D:降为中频时的1.414倍答案:C3、 在ffL的低频区，放大电路的增益会随着信号频率的降低而增大A:对B:错答案:B4、 放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的级间电容和接线电容的影响A:对B

11、:错答案:A5、MOS管共源极放大电路在低频信号作用时电压放大倍数数值下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。A:对B:错答案:A6、 放大电路的增益带宽积为常数A:对B:错答案:A7、 幅度失真和相位失真统称为:A:频率失真B:饱和失真C:截止失真D:交越失真答案:A8、 频率失真是一种非线性失真A:对B:错答案:B9、 分析放大电路频率响应的三个分区不包含A:低频区B:中频区C:高频区D:特频区答案:D10、 放大电路频率响应是指在输入正弦信号情况下，输出随输入信号频率连续变化的稳态响应A:对B:错答案:A第七章1、 差分式放大电路的主要特点是( )A:放大差模信号，抑制共模信号B:同时放大

12、差模和共模信号C:放大共模信号，抑制差模信号D:同时抑制差模和共模信号答案:A2、 差分放大电路是为了（ ）而设置的A:提高放大倍数B:提高输入电阻C:抑制温漂D:提高输出电阻答案:C3、双端输入、双端输出差动放大电路，设差模电压增益AVD=-150，共模电压增益AVC=0，Vi1=30mV，Vi2=20mV，则输出电压|Vo|为( )A:3VB:1VC:2.5VD:1.5V答案:B4、 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )A:电阻阻值有误差B:晶体管参数的分散性C:晶体管参数受温度影响D:电源电压不稳定答案:CD5、 差分放大电路由双端输出变为单端输出，则空载时差模电压增益( )A:增

13、加一倍B:为双端输出时的1/2C:不变D:不确定答案:B6、具有理想电流源(动态电阻ro无穷大）的差分放大电路，采用不同的连接方式，其共模抑制比( )A:均为无穷大B:均为无穷小C:完全相同D:不完全相同答案:A7、 共模抑制比KCMR越小，表明电路( )A:放大倍数越不稳定B:输入信号中差模成分越小C:抑制温漂能力越弱D:交流放大倍数越小答案:C8、 双端输入差分放大电路的共模输入信号等于两输入端信号的平均值。A:对B:错答案:A9、带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。A

14、:对B:错答案:A10、由于集成运放实际上是一个直接耦合放大电路，因此它只能放大直流信号，不能放大交流信号。A:对B:错答案:B11、功率放大电路与电压放大电路的区别是在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电 压大；（ ）A:对B:错答案:B12、功率放大电路与电流放大电路的区别是前者比后者电流放大倍数大；（ ）A:对B:错答案:B13、功率放大电路与电流放大电路的区别是前者比后者效率高；（ ）A:对B:错答案:A14、功率放大电路与电流放大电路的区别是在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。（ ）A:对B:错答案:A第八章1、 放大电路的开环增益-带宽积与闭环增益-带宽积

15、不相等。A:对B:错答案:B2、 利用输出短路法，假设输出电压为零，若反馈信号不存在了，说明引入的是电流反馈。A:对B:错答案:B3、放大电路引入深度负反馈后，放大电路的增益决定于反馈网络的反馈系数，而与基本放大电路几乎无关。A:对B:错答案:A4、负反馈减小非线性失真所指的是反馈环内的失真。如果输入波形本身就是失真的，这时即使引入负反馈，也是无济于事。A:对B:错答案:A5、 负反馈放大电路，(1+AF)越大，则闭环增益的相对变化量越小，闭环增益的稳定性越好。A:对B:错答案:A6、 在反馈放大电路中，通常把(1+AF)称为反馈深度，则深度负反馈的条件是：A:|1+AF|=1B:|1+AF|

16、1C:|1+AF|1D:|1+AF|1答案:C7、 在某放大电路中引入了电压串联负反馈，则下列说法错误的是：A:可以稳定输出电压。B:可使放大电路的输入电阻增大。C:可使放大电路的输出电阻减小。D:闭环输入电阻是开环输入电阻的AF倍。答案:d8、 在放大电路中引入负反馈会对电路的性能产生一些影响，下列说法正确的是：A:可以提高增益的稳定性。B:可以减小反馈环内的非线性失真。C:可以抑制反馈环外噪声。D:可以扩展带宽。答案:ABD9、 存在于放大电路交流通路中的反馈为交流反馈。交流反馈影响放大电路的交流性能，如：A:静态工作点。B:增益。C:输入电阻。D:输出电阻。答案:BCD10、 放大电路引

17、入负反馈后，下面说法正确的有：A:降低了闭环增益。B:增益稳定度提高。C:负反馈不能使输出量保持不变，只能使输出量趋于不变。D:不同类型的负反馈能稳定的增益也不同。答案:ABCD第九章1、 若功放的效率降低了，则在电源供给功率一定情况下，放大器的输出功率和耗散功率A:都增大B:都减小C:前者增大，后者减小D:前者减小，后者增大答案:D2、 乙类互补推挽功放常会A:频率失真B:饱和失真C:截止失真D:交越失真答案:d3、 要使互补推挽功放输出功率为50W，则须选两个异型管，每个管的PCM不小于A:25WB:50WC:10WD:100W答案:C4、 随着输出功率PO的提高，互补推挽功放输出级的电源

18、供给功率A:减小B:增大C:不变D:等于PO答案:B5、 理想情况下，单电源互补对称功放的最大输出电压VomA:等于VCC/2B:大于VCC/2C:等于VCCD:大于VCC答案:A6、 理想情况下，双电源互补对称功放的最大输出电压VomA:等于VCC/2B:大于VCC/2C:等于VCCD:大于VCC答案:C7、甲乙类双电源功放用VCC，甲乙类单电源功放用VCC，当RL相同时，甲乙类双电源功功放的最大输出功率Pom是甲乙类单电源的A:2倍B:4倍C:0.5倍D:相等答案:b8、 乙类双电源互补对称功率放大电路，在理想情况下其最大效率为A:25%B:50%C:75%D:100%答案:C9、 在乙类

19、单电源互补对称功率放大电路中，VCC24V，RL8，理想情况下，Pom（ ）WA:7B:8C:9D:10答案:C10、甲乙类单电源互补对称功率放大电路，当功率管的饱和压降VCES增大时，最大输出功率Pom的变化情况为( )A:增加B:减小C:不变D:先增大后减小答案:B第十章1、 只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。A:对B:错答案:B2、 单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。A:对B:错答案:B3、 从结构上看，正弦波振荡电路是一个无输入信号的带选频网络的正反馈放大器A:对B:错答案:A4、正弦波振荡电路维持振荡条件是 图片.pngA:对B:错答案

20、:A5、 低通滤波器的通带截止频率一定低于高通滤波器的通带截止频率。A:对B:错答案:B6、理想情况下，有源高通滤波器在 图片.png时的放大倍数就是它的通带电压放大倍数。A:对B:错答案:A7、 正弦波振荡电路的决定了电路有唯一频率的振荡波形输出。A:基本放大电路B:选频网络C:反馈网络D:稳幅环节答案:B8、 欲实现将正弦波电压转换成占空比50%的方波电压，应选用。A:迟滞比较器B:积分电路C:过零比较器D:正弦波振荡电路答案:C9、在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则其振荡频率f01/RC。A:对B:错答案:B10、以下电路可能产生正弦波振荡的是：A:左上B:右上C:左下D:右下答案:BD第十一章1、 直流电源是一种能量转换电路，它将交流