MR传感器13级 待用

1、磁电阻式传感器磁电阻式传感器 （MR传感器）传感器）220()Sa II 铁磁物质中存在着两类电阻铁磁物质中存在着两类电阻 “反常现象反常现象”，第一类，第一类“反常现反常现象象”中，中，电阻率随着电阻率随着磁化强度磁化强度而变化而变化，不依赖于磁场的方向不依赖于磁场的方向，且对且对温度温度极为敏感极为敏感，在居里点附近电阻率发生急剧变化在居里点附近电阻率发生急剧变化。有人认为其电。有人认为其电阻率的变化率正比于总磁化强度的平方阻率的变化率正比于总磁化强度的平方I2和某一起始值之差，这个和某一起始值之差，这个起始值与自发磁化强度的平方起始值与自发磁化强度的平方 成正比，所以成正比，所以2SI一

2、、铁磁体中的磁电阻效应一、铁磁体中的磁电阻效应 第二类第二类“反常现象反常现象”叫做磁电阻各向异性效应，是叫做磁电阻各向异性效应，是thomson在在1857年发现的。这个效应依赖于铁磁体中电流密度年发现的。这个效应依赖于铁磁体中电流密度J与磁化强度与磁化强度I的的相对取向。这两种现象的本质差别在于，前者基本上只取决于原子相对取向。这两种现象的本质差别在于，前者基本上只取决于原子中不成对中不成对3d电子之间的交换作用力。电子之间的交换作用力。 而后者是铁磁体技术磁化的结果，它与而后者是铁磁体技术磁化的结果，它与自发磁化强度在晶体内的自发磁化强度在晶体内的取向和铁磁体内不同磁相的体积浓度分配有关

3、取向和铁磁体内不同磁相的体积浓度分配有关，也就是依赖于总的，也就是依赖于总的技术磁化强度，在理论上可用电子的自旋磁矩与轨道磁矩相互耦合技术磁化强度，在理论上可用电子的自旋磁矩与轨道磁矩相互耦合和电子和电子d能带的分裂来解释。本节讨论的就是这种效应。能带的分裂来解释。本节讨论的就是这种效应。磁性物理学内容磁性物理学内容自发磁化、技术磁化、应用磁学自发磁化、技术磁化、应用磁学 我们首先考查我们首先考查Ni0.9942C0.0058合金。下图表明了磁化强度合金。下图表明了磁化强度M平平行或垂直于电流行或垂直于电流I的纵向磁电阻率的纵向磁电阻率11和横向磁电阻率和横向磁电阻率。样品。样品磁化饱和以后，

4、如果磁场增加至数千磁化饱和以后，如果磁场增加至数千Oe，/和和等量地均匀等量地均匀减小，减小，/（H）和）和（H）所呈现的变化规律几乎完全一样。）所呈现的变化规律几乎完全一样。HS/R0NiFe合金和合金和NiCo合金的各向异性磁电阻效应直接与合金的各向异性磁电阻效应直接与技术磁化技术磁化有关，有关，从从磁化机制磁化机制而言，属于而言，属于磁畴磁化矢量的转动过程磁畴磁化矢量的转动过程。 为了研究为了研究/0与其它技术磁参数的相关性，我们继续考查与其它技术磁参数的相关性，我们继续考查 NiFe和和NiCo合金的合金的/0随合金成份的变化规律。下图表示了获得最大随合金成份的变化规律。下图表示了获得

5、最大/0的合金成份。对于的合金成份。对于NiFe合金，当合金，当x=0.9时，所得到的时，所得到的/0为为5% ，而，而NixCo(1-x)合金。当合金。当x=0.8时，时，/0的最大值为的最大值为6%。 关于磁电阻效应的机理，至今尚有许多不清楚的地方。磁阻传感关于磁电阻效应的机理，至今尚有许多不清楚的地方。磁阻传感器的原理仍是根据实验中所发现的一些规律来设计的。器的原理仍是根据实验中所发现的一些规律来设计的。理论上的缺陷没有阻止理论上的缺陷没有阻止MR元件的研究和应用元件的研究和应用块状与薄膜块状与薄膜34%二、磁性薄膜二、磁性薄膜MR元件的特性元件的特性2211( )sincosRRRIH

6、 有两种表示磁电阻效应的公式，两式具有相同的形式，只是一有两种表示磁电阻效应的公式，两式具有相同的形式，只是一个用电阻值表示，而另一个则用电阻率表示。我们知道电阻率是个用电阻值表示，而另一个则用电阻率表示。我们知道电阻率是材料的固有参数，而电阻值则是考虑了材料的几何形状的结果。材料的固有参数，而电阻值则是考虑了材料的几何形状的结果。在下面的分析中，我们均采用电阻值表示式来描述铁磁薄膜的磁在下面的分析中，我们均采用电阻值表示式来描述铁磁薄膜的磁电阻特性。电阻特性。0111122111122/cossincossincossincossincossinxuEEEJJJEEJJEEJJ 2211(

7、)sincosRRR22112211sincoscossinABRRRRRR 把两个磁电阻效应完全相同的电阻体（铁磁金属薄膜把两个磁电阻效应完全相同的电阻体（铁磁金属薄膜A、B）象图那样垂直放置，以象图那样垂直放置，以b点为中心将点为中心将RA、RB串联起来，让电流流串联起来，让电流流过过ac端，这样就构成了三端型端，这样就构成了三端型MR元件，在这种元件中以足够强元件，在这种元件中以足够强度的磁场作用于薄膜电阻平面，使元件磁化饱和。将磁场的角度度的磁场作用于薄膜电阻平面，使元件磁化饱和。将磁场的角度的原点取在的原点取在RA的电流方向上，那么这样三端型的电流方向上，那么这样三端型MR元件的结构

8、原元件的结构原理图如图所示。理图如图所示。RA（ ）、）、RB（ ）的关系为）的关系为 迂回栅状迂回栅状110( )( )( )( )cos222()cos224BABRVVRRVRVRRVRVRRRR111102RRR0R 为退磁状态下（为退磁状态下（ 或或 =450）的单个电阻值，也就是）的单个电阻值，也就是R（ ）在）在一周内的平均值。即一周内的平均值。即 直流与交流直流与交流dRRR)cossin(21)(220112011)(21RRR11()( )( )ABRRRR 给定激励电压给定激励电压V的情况下输出电压的情况下输出电压 V正比于正比于 值。我值。我们称该值为各向异性磁电阻系数

9、。们称该值为各向异性磁电阻系数。RR /1 10()()()()c o s 222 ()c o s 224BABRVVRRVRVRRVRVRRRRR /RR /金属 0(%)金属 0(%)80Ni-20Co2.6630Ni-70 Co3.4090Ni-10Co6.4890Ni- 10Fe4.6070Ni-30Co5.0280Ni-20Fe3.5560Ni-40Co2.5360Ni-40Fe3.7950Ni-50Co5.8370Ni-30Fe2.5040Ni-60Co5.0590Ni-10Cu2.6069Ni-31Pd4.3083Ni-17Pd2.3297Ni-3Sn2.0398Ni-2Mn2.

10、9399Ni-1Al2.2894Ni-6Mn2.4898Ni-2Al2.4095Ni-5Zn2.60+-E-evB电场强度电场强度E半导体霍尔效应半导体霍尔效应磁感应强度磁感应强度Bz 罗伦兹力罗伦兹力BevFL静电力静电力eEFEEFLF 这种这种MR元件和霍尔效应元件相比具有如下独特优点元件和霍尔效应元件相比具有如下独特优点: 1、可靠性高，使用合金材料，物理、化学性能稳定。、可靠性高，使用合金材料，物理、化学性能稳定。2、温度特性好，当器件温度从、温度特性好，当器件温度从-20+150变化时，其变化时，其电阻值呈线性变化，总电阻的温度系数为电阻值呈线性变化，总电阻的温度系数为+3.010

11、-3/细细 分分HBARR )(AR)(BR0009001800270ARBR3、倍频特性。信号磁场旋转一周，能够得到两个周期变、倍频特性。信号磁场旋转一周，能够得到两个周期变化的正弦波输出电压。如图所示，这一倍频特性对于提化的正弦波输出电压。如图所示，这一倍频特性对于提高灵敏度是有利的。高灵敏度是有利的。iVRRCV2cos44、灵敏的方向性。下图所示是外场方向与、灵敏的方向性。下图所示是外场方向与MR元件平面所呈不同元件平面所呈不同夹角时的输出特性。当外场垂直于薄膜平面时，其输出为零。因夹角时的输出特性。当外场垂直于薄膜平面时，其输出为零。因此，在使用这种传感器时，可以利用这一特性将磁敏电

12、阻传感器此，在使用这种传感器时，可以利用这一特性将磁敏电阻传感器的平面与外界干扰磁场相垂直，就能避免外界磁场的干扰。的平面与外界干扰磁场相垂直，就能避免外界磁场的干扰。 平行于平行于MR元件面内的磁场元件面内的磁场5、宽的频带响应。、宽的频带响应。MR元件的频响特性如图所示。元件的频响特性如图所示。输出信号的大小在极宽的频带范围内与频率无关，理论上极限输出信号的大小在极宽的频带范围内与频率无关，理论上极限频率为发生铁磁共振的频率。以输出在频率为发生铁磁共振的频率。以输出在10MHz以内保持不变的以内保持不变的频率特性来说，几乎所有位置，转速检测都能使用这类传感器。频率特性来说，几乎所有位置，转

13、速检测都能使用这类传感器。输出输出频率频率10MHZ06、小的饱和磁场。、小的饱和磁场。cos2VKV 差动电桥差动电桥0cos2( )24VRVVR?K 直流分量直流分量 两种输出形式两种输出形式如图所示，四个电阻单元如图所示，四个电阻单元RA、RB、RC、RD互相垂直，组成一个电互相垂直，组成一个电桥。若在桥。若在A、B而端加一直流电压而端加一直流电压V，磁场方向和基准方向成，磁场方向和基准方向成 角角时，时，C、D间的输出电压间的输出电压V0为为 在三端型在三端型MR元件的基础上又发展了四端元件的基础上又发展了四端MR元件。元件。02参数参数符号符号数值数值单位单位全阻值全阻值1.4K1

14、.4K电源电压电源电压DCDC1212V V输出电压输出电压270270mVmV饱和磁场强度饱和磁场强度H HS S5050O Oc c消耗功率消耗功率103103mVmV温度系数（恒流源）温度系数（恒流源）-0.05-0.05%/%/频率响应频率响应010MH010MHz z平直平直日本日本Sony公司的公司的SDE-DM型三端元件型三端元件 三、传感器的设计三、传感器的设计 MR元件的设计主要包括元件的设计主要包括薄膜材料薄膜材料选择，选择，元件几何尺寸元件几何尺寸，几何图形几何图形的计算，的计算，基片材料基片材料的选择以及的选择以及有关保护膜有关保护膜材料的选材料的选择等。择等。 MR元

15、件设计的原则一是要根据使用的要求，使设计出的元件设计的原则一是要根据使用的要求，使设计出的元件能满足使用提出的各项指标。二是要根据实际的加工能元件能满足使用提出的各项指标。二是要根据实际的加工能力力,加工成本，在满足使用要求的情况下，加工成本，在满足使用要求的情况下，尽可能地减轻工艺尽可能地减轻工艺压力，降低加工成本压力，降低加工成本。现以三端。现以三端MR元件为例，说明设计程元件为例，说明设计程序和在设计过程中应注意的有关问题。序和在设计过程中应注意的有关问题。线条宽度线条宽度薄膜厚度薄膜厚度WLSLR 全电阻全电阻2R0=1.40.1K 输出信号输出信号Vpp=140mV 电源电压电源电压

16、V=12V（一）薄膜材料的选择（一）薄膜材料的选择mvRRVVVV140204%4 . 3122121)0()90(00 NiCo技术指标技术指标薄膜与块状薄膜与块状0cos2( )24VRVVR)2/(2121)0(00RRVVV)2/(2121)90(00RRVVV(二二)、基片材料的选择、基片材料的选择(三三)、薄膜厚度的确定、薄膜厚度的确定0RR2500A厚度与腐蚀厚度与腐蚀（四）、电阻条宽的确定（四）、电阻条宽的确定oLLRSW通常通常25 m（五）、电阻条总长及图形的设计（五）、电阻条总长及图形的设计=1.510-6cm 2R0=1.4K R0=0.7K NiCo合金的电阻率合金的

17、电阻率 cmWRL0 . 310251025. 0105 . 1107 . 0446300LLRSW 由于由于Wnl) 12(LWnnl) 1(可算得可算得n及每条长度及每条长度 条数为条数为n，每条长为，每条长为 ,长和宽相等，并令条宽长和宽相等，并令条宽w与间隔相等，与间隔相等，则有则有lwww四、四、MR元件的制备元件的制备基片金属化基片金属化 有选择性的腐蚀有选择性的腐蚀 真空蒸发真空蒸发光刻板光刻板光刻胶的保护光刻胶的保护 基片清洗基片清洗 真空蒸发真空蒸发光刻光刻 光刻板光刻板划片划片超声焊超声焊封封 装装基片金属化基片金属化有选择性腐蚀有选择性保护光刻胶光刻胶 负型光刻胶负型光刻

18、胶光照射光照射 聚合反应聚合反应分解反应分解反应可可 溶溶 不可溶不可溶可可 溶溶 不可溶不可溶 正型光刻胶正型光刻胶基基 片片金金 属属 膜膜 光光 刻刻 胶胶是什么金属？是什么金属？基 片金 属 光 刻 胶显影液显影液基基 片片金金 属属 光刻光刻 胶胶受到光照的地方胶被溶化受到光照的地方胶被溶化显影液显影液腐蚀、去胶腐蚀、去胶已知金属图形和光刻板，求光刻胶的类型已知金属图形和光刻板，求光刻胶的类型金属图形金属图形玻璃基片玻璃基片遮光部分遮光部分透光部分透光部分玻璃基片玻璃基片金属膜金属膜五、五、MR传感器的输出电路传感器的输出电路0cos2( )24VRVVRVV0RARBVV0RARB

19、0cos2( )4RVVRVV0RR（一）（一）. 恒压源供电时电桥的输出恒压源供电时电桥的输出1R4R3R2R0USUTTTTTTRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRR2cos22cos22cos2sincos2cos2cossin01402302112202112124012340cos222SSTU RU RURRRRRRR US24012340cos222SSTU RU RURRRRRRR TTTTTTRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRR2cos22cos22cos2sincos2cos2cossin014023021122021121TTTTTTRRRRRRRR

20、RRRRRRRRRRRRRRRR2cos22cos22cos2sincos2cos2cossin014023021122021121TTTTTTRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRR2cos22cos22cos2sincos2cos2cossin0140230211220211211R4R3R2R0USU（二）（二）. 恒流源供时电桥的输出恒流源供时电桥的输出2()ABCADCTRRRR20I2cos2)2cos2(21)2cos2(21000000RlRRRlRRRlUTTI0I0I01R4R3R2R0U0IABCD3、电桥输出电路、电桥输出电路恒压源供电电路如图所示恒压源供电电路

21、如图所示据以前的分析有据以前的分析有)()(tRRUpRUUinBDout当没有温度影响或不考虑温度影响时，当没有温度影响或不考虑温度影响时，0)(tRRUpRUinout)(固态压阻式传感器固态压阻式传感器24012340cos222SSTU RU RURRRRRRR 24012340cos222SSTU RU RURRRRRRR US电桥的两个支路的电阻相等电桥的两个支路的电阻相等)(2tRRRRADCABC即有即有2OADCABCIII由此可得输出电压为由此可得输出电压为11( )( )( )( )( )22outBDOOOUUIRR pR tIRR pR tIR p固态压阻式传感器固态

22、压阻式传感器2cos2)2cos2(21)2cos2(21000000RlRRRlRRRlUTTI0I0I0（三）外加偏置磁场（三）外加偏置磁场 由于由于MR元件的倍频特性，外场方向的变化和输出之间不存元件的倍频特性，外场方向的变化和输出之间不存在一一对应的关系，若磁场方向变化在一一对应的关系，若磁场方向变化180，而，而MR元件的输出元件的输出电压却变化了电压却变化了360。MR元件的倍频特性对于作转速传感器应元件的倍频特性对于作转速传感器应用时，可以提高测量灵敏度，但在检测信号的反转时，用时，可以提高测量灵敏度，但在检测信号的反转时，MR元元件不能单独使用。采用偏磁场的方法可以解决这个问题

23、，下面件不能单独使用。采用偏磁场的方法可以解决这个问题，下面简单介绍一下外加偏磁场的方法。简单介绍一下外加偏磁场的方法。如何获得开关特性如何获得开关特性NSNSHX-HXHB045BXHHXBXtHHHH222HXHBHt090NS-HXHB00Ht（四）能辨判旋转（四）能辨判旋转方向方向的的MR元件元件被测量基本属性：大小、方向被测量基本属性：大小、方向大小：输出电量的幅值大小：输出电量的幅值方向：辨向电路方向：辨向电路辨向电路：要求输入辨向电路：要求输入两路相位相差两路相位相差90的信号的信号整形整形放大放大微分微分反相反相微分微分延时延时整形整形放大放大整形整形放大放大触发器触发器可逆可

24、逆计数器计数器Y1Y2+1u2u/2u/1u/1u/1wu/1wuQQHsincos12ABCDERREVC2cos4210ERREVD2cos4210ERRVCD2cos201R4R3R2RECVDVABCD具有两路输出，相位相差具有两路输出，相位相差90的的MR元件元件VV0RARBVRRVVo2cos4210ERREV2cos42101ERREV2sin421021R4R3R2RE1V2V20032003级马韬同学友情提供级马韬同学友情提供2cos2sincos2sin2)135(cos)135(sin2sin2)45(cos)45(sin2cos2cossin0211202112021

25、1202/2RRRRRRRRRRRRRRRRRRRRDCBARDRBRARC21341RARBRCRD3242cos2sincos2sin2)135(cos)135(sin2sin2)45(cos)45(sin2cos2cossin02112021120211202/2RRRRRRRRRRRRRRRRRRRRDCBA2cos2sincos2sin2)135(cos)135(sin2sin2)45(cos)45(sin2cos2cossin02112021120211202/2RRRRRRRRRRRRRRRRRRRRDCBA2cos2sincos2sin2)135(cos)135(sin2sin

26、2)45(cos)45(sin2cos2cossin02112021120211202/2RRRRRRRRRRRRRRRRRRRRDCBA对这种具有辨向功能的四端对这种具有辨向功能的四端MR元件的使用需要注意的是，电源电元件的使用需要注意的是，电源电压必须正确的施加。上式的导出是在电源电压如图所示的方法施压必须正确的施加。上式的导出是在电源电压如图所示的方法施加情况下的结果。如果电源电压接在加情况下的结果。如果电源电压接在RB、RC和和RA、RD的交点处，的交点处，该电路就不具有辨向功能了，这一点必须充分注意。和普通四端该电路就不具有辨向功能了，这一点必须充分注意。和普通四端MR元件不同，普通

27、四通元件不同，普通四通MR元件不管电源电压加在哪二点，输出元件不管电源电压加在哪二点，输出电压始终为一无直流分量的倍频信号电压。电压始终为一无直流分量的倍频信号电压。SSSDADSURRUURRRRRRUU2cos42122cos2001SSSCBCSURRUURRRRRRUU2sin42122sin2002RDRBRARC2134U2U4USRARDRBRC六、传感器的应用六、传感器的应用 MR元件主要是依据对磁场的方向敏感即信号磁场方向的改元件主要是依据对磁场的方向敏感即信号磁场方向的改变，变，MR元件的阻值亦相应地改变而适用于各种应用。元件的阻值亦相应地改变而适用于各种应用。 非电量作用

28、非电量作用 MR元件面内磁场方向变化元件面内磁场方向变化 MR效应效应 电量输出电量输出1. 测转速测转速 MR元件测量旋转转速的装置如所示。元件测量旋转转速的装置如所示。将磁体固定在旋转体上，并使将磁体固定在旋转体上，并使MR元件的平面平行于磁场方向。元件的平面平行于磁场方向。当旋转体时，磁体随着转动。即磁场方向随着旋转体不断的发当旋转体时，磁体随着转动。即磁场方向随着旋转体不断的发生改变。当旋转体一周，由于生改变。当旋转体一周，由于MR元件的倍频特性，输出信号元件的倍频特性，输出信号变化二周，经放大，整形产生两个电压脉冲。此脉冲正比于旋变化二周，经放大，整形产生两个电压脉冲。此脉冲正比于旋

29、转体转数、转速。如前所述，转体转数、转速。如前所述，MR元件具有很宽的频带范围，元件具有很宽的频带范围，因此和其它转速传感器相比，它可适用于极高的转速测量系统。因此和其它转速传感器相比，它可适用于极高的转速测量系统。根据上述原理可以把机械式水表齿轮和指针去掉，做成电子式根据上述原理可以把机械式水表齿轮和指针去掉，做成电子式水表，即用磁铁安装在叶轮轴上，由水表，即用磁铁安装在叶轮轴上，由MR元件直接测量与水量元件直接测量与水量成正比的叶轮轴转速，计算流量。成正比的叶轮轴转速，计算流量。 磁旋转编码器磁旋转编码器2. 测量角位移测量角位移02( )cos2RVVR3. 测量线位移测量线位移2cos

30、2)(VRRVBHXH450工作场工作场偏置场偏置场合成场合成场/XH合成场合成场4. 4. 测量液位高度测量液位高度lxlxl2122cosMR元件元件小磁体小磁体lxlxl2122cos 利用利用MRMR元件测量液位高度的原理如图所示。滑块的位置对应元件测量液位高度的原理如图所示。滑块的位置对应着液位的高度，随着液位高度的变化，滑块沿着导杆自由上升着液位的高度，随着液位高度的变化，滑块沿着导杆自由上升和下降。在转动轴上固定有一磁体，滑块的上下运动带动磁体和下降。在转动轴上固定有一磁体，滑块的上下运动带动磁体旋转，即磁场方向不断变化。设液面在旋转，即磁场方向不断变化。设液面在A A位置时磁场

31、的方向和位置时磁场的方向和MRMR元件夹角为元件夹角为 ，当液面升至，当液面升至B B点时滑块和连接杆由图中的实线状点时滑块和连接杆由图中的实线状态变到虚线所示的情况，结果导致旋转轴旋转了角态变到虚线所示的情况，结果导致旋转轴旋转了角 。滑块的。滑块的位置和旋转角的关系满足下述关系位置和旋转角的关系满足下述关系SNNMR元件元件2PH1PH2P1P5、测压力、测压力 测量压力过程？测量压力过程？BH0PH00PBHP6. 6. 精密位移、角度传感器精密位移、角度传感器 我们知道，利用我们知道，利用MRMR元件测量旋转转动情况时，由于元件测量旋转转动情况时，由于MRMR元件元件的倍频特性，当旋转

32、体旋转半周，通过放大，整形后便有一个的倍频特性，当旋转体旋转半周，通过放大，整形后便有一个脉冲输出。利用这种方法测量旋转体的旋转情况，测量分辨率脉冲输出。利用这种方法测量旋转体的旋转情况，测量分辨率为半周。若将旋转磁体改用多极磁体，设旋转磁体的磁极对数为半周。若将旋转磁体改用多极磁体，设旋转磁体的磁极对数为为n,n,那么那么, ,旋转体旋转一周旋转体旋转一周, ,将有将有2 2n n个脉冲输出个脉冲输出, ,这时测量的分这时测量的分辨率为辨率为1/2n1/2n周周. .下图示出了一个旋转磁极对数为下图示出了一个旋转磁极对数为4 4的旋转体测试的旋转体测试示意图，当旋转示意图，当旋转1/81/8

33、周时，输出端便有一个脉冲信号。由此我周时，输出端便有一个脉冲信号。由此我们可以看出，单位长度内磁极对数越多，则测量精度越高。们可以看出，单位长度内磁极对数越多，则测量精度越高。多极充磁多极充磁 一种具有一种具有辨向功能辨向功能的的精密精密角位移角位移MRMR传感器如图所示。传感器如图所示。8 8个个MRMR元件相互间隔等距离排列，元件相互间隔等距离排列，R R8 8连接成如图所示的两组连接成如图所示的两组电桥结构。很容易可以看出，这种结构的输出既不存在直电桥结构。很容易可以看出，这种结构的输出既不存在直流分量流分量, ,同时输出幅值为四元件的二倍。同时输出幅值为四元件的二倍。1RNSSNNNA1B2B4B3B1A3A2A4A1A3A4A2B1B3B3B2ViV01V02NSSNSNSSSNNNWLSLR线条宽度线条宽度薄膜厚度薄膜厚度NSSNNNA1B2B4B3B1A3A2A4A1A3A4A2B1B3B4B2ViV01V020458045NSSNNNA1B2B4B3B1A3A2A4NSSNSNSSSNNNNSSN NN